侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响

为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明:涂覆了高阻釉的芯片组分均匀性得以提高、缺陷减少,样品的8/20μs大电流耐受能力提高;在1 000 mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作,从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。

降低ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率的研究

为了减少ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率,将不同配方的高阻釉施涂在电阻片的侧面,研究不同的高阻釉对于电阻片电性能的影响。结果表明:在电阻片的侧面施涂绝缘能力和膨胀系数匹配性均达到要求的高阻层,能够使电阻片的缺陷减少,均匀性提高,从而使电阻片的电性能提高,降低了ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率。