期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺 被引量:1
1
作者 王界平 王清平 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第3期150-152,共3页
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。
关键词 SOI材料 全介质隔离 工艺 高频互补双极
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部