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SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺
被引量:
1
1
作者
王界平
王清平
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期150-152,共3页
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。
关键词
SOI材料
全介质隔离
工艺
高频互补双极
下载PDF
职称材料
题名
SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺
被引量:
1
1
作者
王界平
王清平
机构
电子工业部第
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1996年第3期150-152,共3页
文摘
SOI材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种SOI材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。
关键词
SOI材料
全介质隔离
工艺
高频互补双极
Keywords
Semiconductor process
SOI
Full dielectric isolation
Complementary bipolar process
High-speed operational amplifier IC
分类号
TN305.95 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺
王界平
王清平
《微电子学》
CAS
CSCD
1996
1
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