高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命

高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。

基于高频光电导法半导体少数载流子寿命测量系统的设计与实现

基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理,设计了半导体少子寿命测量系统,并在二极管检波电路的基础上,对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路,相比于传统二极管检波电路,运用运算放大器的反馈原理减小了检波二极管压降产生的误差,同时结合二极管嵌位作用,减小了运算放大器压摆率带来的影响,提高了测量系统的检波能力。通过实验,验证了该检波电路的可行性,测试结果表明,有效提升了测量系统的准确性。

高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析

高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。