考虑高频寄生参数继电器EFT干扰机理分析

为研究考虑主回路高频寄生参数条件下,电磁继电器电快速脉冲群干扰产生机理,在火花放电理论基础上,提出了引入集总高频等效参数的分析方法。分别对触点断开过程中的三个阶段进行了求解,建立了能够反映电磁继电器触点断开感性负载过程中的瞬态电接触动态数学新型模型。相比传统分析方法只给出基频击穿表达式,而无法反映EFT干扰的高频特性,新模型能够反映主回路中高频寄生参数对EFT干扰特性在宽频范围内的影响,并能够解释气体击穿区继电器触点两端产生负向电压这一特殊现象。通过几组实验分析了各主要参数对EFT干扰特性的影响,并且验证了模型的正确性。

改进EMI滤波器的高频寄生效应方法

针对滤波器小型化、轻型化、薄型化方向发展的趋势,介绍了平面集成滤波器的概念,通过比较分立元器件滤波器与集成滤波器的异同,分析分立元器件的高频寄生效应,介绍了平面PCB如何构建电感和电容及有效去除其高频寄生效应。并用MAXWELL软件对其仿真,得出其高频寄生参数。最后通过ADS软件对其高频寄生参数建模,验证了该方法是有效的。

基于高频等效模型的平面集成电源滤波器仿真

建立了平面集成EMI电源滤波器的高频等效电路模型。通过分析其高频特性,对滤波器高频耦合参数进行了简化。同时为了改善平面集成EMI滤波器的高频性能,提出了在两平面电感绕组层之间嵌入一层接地导电层以减小等效并联电容(EPC),并应用PSpice仿真软件对其进行了验证。

基于新能源逆变系统的直流侧电磁干扰噪声机理分析及其抑制技术

针对新能源逆变系统的直流侧传导电磁干扰(EMI)噪声进行了综合分析,就其产生机理提出了直流侧传导电磁干扰噪声的共模干扰机理模型和差模干扰机理模型,在共模、差模噪声分析的理论基础上,详细分析了直流EMI滤波器的设计及其特性。采用MATLAB仿真对比分析了高频寄生参数的存在对DC_LISN受试端阻抗、隔离度、插入损耗等参数的影响。以某一风能逆变系统为实验对象,具体分析了该系统直流侧的传导干扰噪声特性,并设计了相应的直流EMI滤波器。实验结果很好地验证了采用所提方法设计的直流EMI滤波器的有效性。

超导磁储能电压源型变流器系统电磁干扰分析

超导磁储能用电压源型变流器是超导磁体与电网进行能量交换的桥梁,采用复杂的级联结构,大量使用高频大功率开关器件(如IGBT)。工作时由于开关器件动作会产生很高的dv/dt和di/dt,引起严重的电磁干扰。首先,对超导磁储能电压源型变流器电磁干扰产生机理进行分析,进而提出该级联电路的传导电磁干扰等效电路模型;其次,对电路中各器件的高频特性进行分析。最后通过仿真,对比分析电路器件高频寄生参数对电磁干扰的影响。分析结果表明,器件的高频寄生参数对传导电磁干扰有很大影响,在高频段更为明显。

移动通信射频对EMI滤波器干扰的分析及解决办法

指出了移动通信射频在EMI滤波器上引入干扰的现象及影响。基于高频寄生原因对EMI滤波器的结构重新给出了拓扑,并对其引入射频干扰进行了原因分析。给出了用于干扰场强估计的实测模型与公式。最后提出了针对移动通信射频干扰在EMI滤波器上的屏蔽与消除方法。

一种共面波导的统一物理模型

共面波导因其优越的性能,在毫米波电路设计中得到广泛应用。本文提出了一种基于工艺和物理尺寸参数的,综合考虑各种高频寄生效应,针对不同结构共面波导的统一物理模型。该模型包括由R-L阶梯组成的串联部分和由电容、C-R-C支路和C-L-R支路组成的并联部分。基于UMC 65 nm CMOS工艺设计和测试了3种不同结构的共面波导,结果显示所建立的模型仿真得到的S参数和特征参数与测试结果相吻合。