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添加Na^+对ANT系统介电性能的影响 被引量:2
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作者 李玲霞 郭炜 +3 位作者 吴霞宛 王洪儒 张志萍 余昊明 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期823-826,共4页
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体... Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ωcm。 展开更多
关键词 高频高介 ANT 松弛极化 电损耗
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