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添加Na^+对ANT系统介电性能的影响
被引量:
2
1
作者
李玲霞
郭炜
+3 位作者
吴霞宛
王洪儒
张志萍
余昊明
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期823-826,共4页
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体...
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ωcm。
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关键词
高频高介
ANT
松弛极化
介
电损耗
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职称材料
题名
添加Na^+对ANT系统介电性能的影响
被引量:
2
1
作者
李玲霞
郭炜
吴霞宛
王洪儒
张志萍
余昊明
机构
天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期823-826,共4页
基金
国家自然科学基金(50172035)
文摘
Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可以在1150℃以下进行中温烧结。在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位A+离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的损耗因子,使系统的介电性能达到:ε>500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃,ρv>1012Ωcm。
关键词
高频高介
ANT
松弛极化
介
电损耗
Keywords
high frequency high permittivity
ANT
relaxation polarization
dissipation factor
分类号
TQ174 [化学工程—陶瓷工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
添加Na^+对ANT系统介电性能的影响
李玲霞
郭炜
吴霞宛
王洪儒
张志萍
余昊明
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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职称材料
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