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高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
被引量:
1
1
作者
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
1999年第5期30-32,共3页
GaAsMESFET的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散,因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频C-V法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化,可获得栅金属下沉和栅金属...
GaAsMESFET的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散,因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频C-V法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化,可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息。
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关键词
高频c-v
法
肖特基势垒
失效分析
MESFET
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职称材料
MOS结构电容高频C-V特性的应用
被引量:
5
2
作者
熊海
孔学东
章晓文
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期94-98,共5页
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的...
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。
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关键词
MOS电容
电荷密度
界面态
高频c-v
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职称材料
利用高频C-V特性评价CMOS工艺
被引量:
1
3
作者
熊海
孔学东
+1 位作者
章晓文
汪顺婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期383-387,共5页
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容...
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。
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关键词
MOS电容
界面态
高频c-v
测试
下载PDF
职称材料
Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
4
作者
姚博
方泽波
+2 位作者
朱燕艳
陈圣
李海蓉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期2085-2088,共4页
采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在...
采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
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关键词
Er2O3
高频c-v
测试
高K栅介质
频率色散
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职称材料
工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响
5
作者
谢茂浓
杜开瑛
刘玉荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期23-26,共4页
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气...
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH4/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,约为1010cm-2量级。Ts>120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts<110℃,ΔNot呈负电荷性。Si—O—Si伸缩振动吸收峰位在1060~1080cm-2间,随Ts的减少而增加。
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关键词
高频c-v
特性
光CVD
硅
二氧化硅
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职称材料
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
被引量:
1
6
作者
汤晓燕
张义门
+3 位作者
张鹤鸣
张玉明
戴显英
胡辉勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期3225-3228,共4页
利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 .为检验氧化层质量所做的高频C V测试采用了正面接地的新的测试结构 。
关键词
碳化硅材料
MOS器件
二氧化硅
高频c-v
测试
半导体材料
原文传递
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
7
作者
张胜坤
陆昉
+1 位作者
陈溪滢
孙恒慧
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期323-329,共7页
提出用高频C-V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法,并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响.用这一方法对GaS/GaAs和Znse/GaAs两种异质结进行了测试,发现在这两种异质界...
提出用高频C-V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法,并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响.用这一方法对GaS/GaAs和Znse/GaAs两种异质结进行了测试,发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态,其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0.51eV.
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关键词
异质结
高频c-v
法
集中分布
界面态密度
原文传递
题名
高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
被引量:
1
1
作者
费庆宇
机构
信息产业部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1999年第5期30-32,共3页
文摘
GaAsMESFET的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散,因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频C-V法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化,可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息。
关键词
高频c-v
法
肖特基势垒
失效分析
MESFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOS结构电容高频C-V特性的应用
被引量:
5
2
作者
熊海
孔学东
章晓文
机构
广东工业大学材料学院
工业和信息化部电子第五研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期94-98,共5页
文摘
CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。
关键词
MOS电容
电荷密度
界面态
高频c-v
Keywords
MOS capacitor
the density of charge
interface state
high freqency
c-v
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
利用高频C-V特性评价CMOS工艺
被引量:
1
3
作者
熊海
孔学东
章晓文
汪顺婷
机构
广东工业大学材料学院
工业和信息化部电子第五研究所
广州圣大电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期383-387,共5页
文摘
MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。
关键词
MOS电容
界面态
高频c-v
测试
Keywords
MOS capacitor
interface state
high freqency
c-v
test
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
4
作者
姚博
方泽波
朱燕艳
陈圣
李海蓉
机构
兰州大学物理科学与技术学院
绍兴文理学院数理信息学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期2085-2088,共4页
基金
国家自然基金科学青年科学基金资助项目(60806031
11004130)
浙江省自然科学基金资助项目(Y6100596)
文摘
采用分子束外延(MBE)方法在Si(001)衬底上生长了Er2O3薄膜。高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)测试显示Er2O3薄膜保持了在衬底上完好的外延,样品为均匀的单晶结构。将单晶Er2O3薄膜制备成MOS结构并对其做电容-电压(C-V)测试时,发现样品在高频时积累端电容出现了很大程度的频率色散现象。为了解释这种现象,提出了样品中存在缺氧层的结构模型。对该模型等效电路阻抗表达式推导得到了电容-频率方程,并将此方程与实验数据进行拟合,得到的图形、变量参数表明,未完全氧化的插入层是高频MOS C-V测试出现频率色散现象的主要原因。因此认为要消除Er2O3栅介质积累端的频率色散效应,需要尽量减少或避免缺氧层的形成。
关键词
Er2O3
高频c-v
测试
高K栅介质
频率色散
Keywords
Er2O3
high frequency
c-v
measurement
high-k gate dielectric
frequency dispersion
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响
5
作者
谢茂浓
杜开瑛
刘玉荣
机构
四川联合大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期23-26,共4页
基金
四川省科委基金
文摘
采用高频(1MHz)C-V测试和红外谱,研究了工艺参数对Xe激发真空紫外光直接光CVDSiO2的SiO2/Si界面特性的影响。结果表明,衬底温度Ts对固定氧化物电荷密度ΔNot、慢界面态密度ΔNst的影响比反应室总气压Pc和SiH4/O2分压比显著。ΔNot和ΔNst在110℃附近有极小值,约为1010cm-2量级。Ts>120℃,ΔNot呈正电荷性,Ts<110℃,ΔNot呈负电荷性。Si—O—Si伸缩振动吸收峰位在1060~1080cm-2间,随Ts的减少而增加。
关键词
高频c-v
特性
光CVD
硅
二氧化硅
Keywords
High frequency with C V characteristic SiO 2 Si surface Photo CVD
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
被引量:
1
6
作者
汤晓燕
张义门
张鹤鸣
张玉明
戴显英
胡辉勇
机构
西安电子科技大学微电子研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第9期3225-3228,共4页
文摘
利用 3UCVD技术在p型 4H SiC上制备了栅氧化层 ,其正的氧化物电荷密度仅有 1 6× 1 0 1 1 cm- 2 ,这一结果优于传统的热氧化工艺 .为检验氧化层质量所做的高频C V测试采用了正面接地的新的测试结构 。
关键词
碳化硅材料
MOS器件
二氧化硅
高频c-v
测试
半导体材料
Keywords
deposition, high_frequency C_V measurement, silicon dioxide, silicon carbide
分类号
TB39 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
7
作者
张胜坤
陆昉
陈溪滢
孙恒慧
机构
复旦大学物理学系
出处
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期323-329,共7页
基金
国家科委基础研究重大项目
文摘
提出用高频C-V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法,并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响.用这一方法对GaS/GaAs和Znse/GaAs两种异质结进行了测试,发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态,其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0.51eV.
关键词
异质结
高频c-v
法
集中分布
界面态密度
Keywords
heterojunction
high frequency
c-v
measurement
concentrated distribution
interface trap level densities
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
1999
1
下载PDF
职称材料
2
MOS结构电容高频C-V特性的应用
熊海
孔学东
章晓文
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
下载PDF
职称材料
3
利用高频C-V特性评价CMOS工艺
熊海
孔学东
章晓文
汪顺婷
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
4
Er_2O_3栅介质积累端电容频率色散效应的研究
姚博
方泽波
朱燕艳
陈圣
李海蓉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
5
工艺参数对真空紫外光直接光CVD SiO_2-Si界面特性的影响
谢茂浓
杜开瑛
刘玉荣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
6
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
汤晓燕
张义门
张鹤鸣
张玉明
戴显英
胡辉勇
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
原文传递
7
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
张胜坤
陆昉
陈溪滢
孙恒慧
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
原文传递
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