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高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
被引量：
1
1
作者
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
1999年第5期30-32,共3页
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频Ｃ－Ｖ法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化，可获得栅金属下沉和栅金属...
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频Ｃ－Ｖ法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化，可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息。
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关键词
高频c-v法
肖特基势垒
失效分析
MESFET
下载PDF
职称材料
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
2
作者
张胜坤
陆昉
+1 位作者
陈溪滢
孙恒慧
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期323-329,共7页
提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界...
提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．
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关键词
异质结
高频c-v法
集中分布
界面态密度
原文传递
题名
高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
被引量：
1
1
作者
费庆宇
机构
信息产业部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1999年第5期30-32,共3页
文摘
ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频Ｃ－Ｖ法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化，可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息。
关键词
高频c-v法
肖特基势垒
失效分析
MESFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
2
作者
张胜坤
陆昉
陈溪滢
孙恒慧
机构
复旦大学物理学系
出处
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期323-329,共7页
基金
国家科委基础研究重大项目
文摘
提出用高频C－V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能级位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响．用这一方法对GaS／GaAs和Znse／GaAs两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0．51eV．
关键词
异质结
高频c-v法
集中分布
界面态密度
Keywords
heterojunction
high frequency
c-v
measurement
concentrated distribution
interface trap level densities
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高频C-V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
1999
1
下载PDF
职称材料
2
存在集中分布界面态的异质结的C-V特性研究
张胜坤
陆昉
陈溪滢
孙恒慧
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
原文传递
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