一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料

利用复合结构原理，研制出“硼硅玻璃＋α-石英＋硅酸锌”率低烧低介陶瓷材料，利用XRD、HP4194频谱仪，SEM分析了该材料的晶相组成，介电性能及显微结构，结果表明：在高频下，该材料具有很低的介电常数（K＝4－5，1MHz）和很低的介电损耗（tanδ<0.001,1MHz），同时能在低于900℃温度下烧中，该材料是一种理想的适用于高频（1GHz以上）多层片式电感（MLCIs）元件用的介质材料，同时得出：在该组成中，硼硅玻璃重烧结的过程中有方英析出；少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌；硅酸锌在该组成中有助烧结的作用，该材料介质性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合。

玻璃/Al_2O_3系MLCI介质材料的微观结构与性能研究

采用烧结法制备了一种低温共烧(LTCC)K_2O/Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3介质材料。系统研究了玻璃/Al_2O_3比例和烧结温度对介质材料结构与性能的影响。结果表明,材料烧结后只有Al_2O_3晶相,材料烧结属于液相烧结机制。介质的相对介电常数ε_r随Al_2O_3含量的增加而升高,Al_2O_3质量分数为35%时,经860℃烧结材料的性能最优:ε_r=5.93,tanδ=3.1×10^(–3),收缩率为16%,抗弯强度为159 MPa。所制备的介质材料能够用于高频MLCI领域。

BaO-TiO2-SiO2-B2O3系玻璃陶瓷的制备和介电性能研究

采用溶胶-凝胶法,以醋酸钡、钛酸四丁酯、正硅酸乙酯和硼酸等为原料合成了一种BaO-TiO2-SiO2-B2O3系玻璃陶瓷介质材料.实验结果表明该材料可在低于900℃的空气气氛中烧结.XRD分析结果显示:烧结好的BaO-TiO2-SiO2-B2O3玻璃陶瓷的主晶相为Ba2TiSi2O8;用氢氟酸将试样断面处的玻璃相腐蚀掉后,通过SEM可看出Ba2TiSi2O8晶粒的大小约为250nm.介电性能研究表明:该材料具有较低的介电常数(ε＜5,30MHz)和较小的介电损耗(tanδ小于2×10-3,30MHz),是一种理想的多层片式电感元件用介质材料.

低温合成ZnO-Li_2O-B_2O_3-SiO_2系陶瓷材料

采用微晶玻璃工艺,制备出一种ZnO-Li2O-B2O3-SiO2系陶瓷材料.该体系材料可在900℃空气气氛中烧结.烧结体的介电常数低于4,介电损耗为1.3×10-3.该烧结体中的晶相主要为圆球状和长柱状的Zn2SiO4,以及块状的SiO2.该材料适用于超高频多层片式电感领域.