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采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文) 被引量：3
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作者 顾溢 王凯 +3 位作者 李成 方祥 曹远迎 张永刚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期481-485,共5页
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs... 利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优. 展开更多
关键词 光电探测器 高in组分 缓冲层 INGAAS INALAS
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