一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。

高电源电压抑制、低功耗片上低压差线性稳压器的研究与设计

为了能更适合于片上集成,在提供稳定电压的同时降低输入电压的噪声,设计了一种新型片上CMOS低压差线性稳压器(LDO),其显著特点是静态电流很小,在3.3V供电电压下,只有10μA的静态电流,功耗很小,适合于片上低功耗集成使用.同时,对LDO的电源电压抑制(PSR)进行了改进,提出了一种有效地使PSR提高的方法,使PSR低频下达到了大约-45dB,最差的情况也能达到-20dB左右,对输入电源的纹波噪声有比较好的抑制作用,更加适合于对噪声敏感的电路集成.

应用于TV Tuner的片上LDO设计

给出了一种应用于电视调谐器(TV Tuner)中的片上低压差线性稳压器(LDO)的设计方案.分别设计了一个瞬态增强型的LDO和一个低噪声高电源抑制比(PSR)的LDO,芯片在0.18μm CMOS工艺下流片,面积分别为0.014mm2与0.045mm2.瞬态增强LDO在负载从0变化到30mA时,输出动态电压变化为100mV;低噪声高PSR LDO 100Hz到100kHz的积分噪声为9.2μV,PSR在1kHz处为-80dB,在1MHz下为-46dB.