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高Tc超导GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜双晶晶界结及双晶结光探测器 被引量:1
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作者 万云 万发宝 +3 位作者 平一梅 王瑞兰 姚久胜 李宏成 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期26-29,共4页
在晶界夹角分别为 2 4°,3 2°的 YSZ双晶基片上 ,制备了高 Tc Gd Ba2 Cu3O7-δ双晶超导薄膜 ,采用光刻技术在晶界上刻出了两种不同尺寸的双晶晶界结 ,在液氮温度下观测了结的直流 I-V特性 ,用 1 0 GHz微波辐照双晶结结区 ,观... 在晶界夹角分别为 2 4°,3 2°的 YSZ双晶基片上 ,制备了高 Tc Gd Ba2 Cu3O7-δ双晶超导薄膜 ,采用光刻技术在晶界上刻出了两种不同尺寸的双晶晶界结 ,在液氮温度下观测了结的直流 I-V特性 ,用 1 0 GHz微波辐照双晶结结区 ,观察到了结临界电流的压缩和 Shapiro台阶 ,表明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为。用上述双晶结进行光探测 ,用波长为 0 .63 2 8μm的 He-Ne激光器辐照结区 ,系统的观测了其光响应特性 ,结果如下 :噪声等效功率 NEP =1 .9× 1 0 - 1 3W,归一化探测率 D*=5.3× 1 0 9cm Hz12 W- 1 ,响应率 Rv =4 .2× 1 0 7V/W,响应时间 τ<6.3 5× 1 0 - 展开更多
关键词 tc超导薄膜 双晶晶界结 光探测器
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高Tc超导薄膜研究的新进展 被引量:1
2
作者 曲喜新 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第S2期167-172,共6页
高Tc超导薄膜研究的新进展曲喜新(电子科技大学信息材料工程学院成都610054)【摘要】对近几年来在高Tc超导薄膜及其应用方面的进展情况给以扼要论述,同时指出在实用化方面尚存在的问题。在其进展中,着重讨论了薄膜的制造... 高Tc超导薄膜研究的新进展曲喜新(电子科技大学信息材料工程学院成都610054)【摘要】对近几年来在高Tc超导薄膜及其应用方面的进展情况给以扼要论述,同时指出在实用化方面尚存在的问题。在其进展中,着重讨论了薄膜的制造技术、超导特性及其表面电导。目前高... 展开更多
关键词 tc超导体 tc超导薄膜 微波tc超导器件 约瑟夫森结
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在大尺寸LaAlO3单晶衬底上淀积优质的高Tc超导薄膜
3
作者 宋文栋 安承武 《薄膜科学与技术》 1994年第1期20-23,共4页
关键词 超导薄膜 铝酸镧单晶 tc超导薄膜
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激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜
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作者 景俊海 孙青 杨银堂 《电子科技杂志》 1990年第1期4-9,共6页
本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置,以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。
关键词 激光蒸发淀积 tc超导薄膜 大功率激光器 工作原理
全文增补中
高T_c超导薄膜和氧化物多层膜的激光分子束外延研究 被引量:1
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作者 王会生 马昆 +6 位作者 彭志强 吕惠宾 崔大复 周岳亮 陈正豪 李林 杨国桢 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期463-466,共4页
本文介绍用激光光子束外延(LMBE)方法,在高真空条件下外延生长YBa2Cu3O7-δ超导薄膜和BaTiO3铁电薄膜以及多层膜的实验结果。激光分子束外延(LMBE)是近年来发展起来的一项新的镀膜技术。它将传统MB... 本文介绍用激光光子束外延(LMBE)方法,在高真空条件下外延生长YBa2Cu3O7-δ超导薄膜和BaTiO3铁电薄膜以及多层膜的实验结果。激光分子束外延(LMBE)是近年来发展起来的一项新的镀膜技术。它将传统MBE的高真空、原位检测等优点和激光蒸发(Laserablation)的易于控制化学成份等优势结合起来,在生长、探索人工控制多层膜和新材料方面具有独到之处[1]。我们在国内首次用激光分子束外延设备,借助高纯臭氧作氧化剂、在背景工作气压为667×10-5-267×10-2Pa范围内,外延生长了YBa2Cu3O7-δ超导薄膜和BaTiO3铁电薄膜以及它们的多层膜。通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)、X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)的研究结果表明,YBa2Cu3O7-δ薄膜和BaTiO3薄膜均为c取向的单相外延膜,其生长是二维层状外延模式,表面和界面非常平整,在100μm×100μm的范围内未发现激光镀膜中常见的亚微米级颗粒和杂相。另外,我们还利用LMBE进行了无限层(infinitelayer)结构超导薄膜和超晶格的探索。本文简要地报导这些结果,并作简单的讨论。 展开更多
关键词 L-MBE 外延生长 激光 tc超导薄膜 氧化物
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硅和蓝宝石基底上的高T_c薄膜(英文)
6
作者 贾米尔-温纳毕 艾斯法塔赫尔 哈希米R A 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2005年第1期29-35,共7页
使用多层沉积和大块沉积两种技术,在硅和蓝宝石的单晶基底上沉积了Yba2XCu3O7高Tc薄膜.实验显示:在硅基底上得到了转变温度为80K的期待结果.
关键词 高tc薄膜 Yba2XCu3O7 单晶基底 沉积技术
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