基于高K值衬底材料的黑磷背栅晶体管

为了提高黑磷晶体管的迁移率,并适合规模化制备,采用高K值HfO_2与Al_2O_3材料,晶体管沟道使用15nm厚度的黑磷薄膜,制备了黑磷背栅晶体管。测试其直流特性,栅极电压范围-10~10V,漏极电压范围-3~0V。常温下晶体管空穴迁移率达到210cm^2/(V·s),电子迁移率为37cm^2/(V·s),开关比4.5×10~2。并根据黑磷的带隙特性以及双极性特点,对其漏极电流与栅压、漏压曲线进行理论分析。结果表明,高K值材料对黑磷晶体管性能有明显提升,将进一步促进黑磷晶体管的实用化。

梧桐引来金凤凰——梧桐居的设计理念

该文以梧桐居住宅设计为例,围绕中青年教师的人口结构和使用特点,结合学校住房紧缺的现状,分析了合理布局、小面积里做大文章的思路。