氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究

本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。

PZT铁电薄膜介电性能的数字锁相测试技术

在DSP上实现的数字锁相测试系统,采用数字锁相算法来完成对信号的锁相测试。基于该系统开发出了简单、可靠、可调性好并具有较高精度的PZT铁电薄膜介电性能测试系统。实验表明,使用该系统测得的样品介电常数的相对误差小于1 %,能够满足PZT铁电薄膜制备技术以及微机电系统中器件设计对薄膜性能测试的要求。

薄膜材料与器件研究动向

第2届国际晶态与非晶绝缘薄膜会议于1998年10月12～14日在香港中文大学召开。会议主席是法国国家电信研究中心的R.Devine教授和香港中文大学电子工程系主任I.H.Wrlson教授,国际学术委员会成员是一些著名的科学家。

日本开发世界最高介电常数的纳米介电薄膜

日本物质材料研究机构国际纳米结构研究中心（MANA）开发出可随意调整化学成分及结构的分子级（厚度为lnm）氧化物纳米薄膜的精密掺杂技术。并将该技术应用于介电薄膜，使介电薄膜的性能可控，因而开发出介电常数为世界最高的钛铌氧化物纳米薄膜（介电常数为320）。这样就可使介电元件体积更小或容量更大。这一研究成果为下一代大容量电容器及存储器的开发开辟了新的方向。

介电聚酰亚胺薄膜研究进展

聚酰亚胺电介质是电气工程、电子信息技术、航空航天等领域的一类重要的绝缘材料,然而在实际应用中依然存在材料设计制备、结构-性能关系与性能调控等方面的问题尚未解决。多重应用场景下介电性能的不匹配限制了聚酰亚胺的创新式发展,成为制约电工、电子信息航空航天领域发展的重要问题。本文基于影响电介质薄膜电-热特性的基本原理,从分子结构改性和复合结构优化等方面详细综述了调控聚酰亚胺高/低介电特性、热稳定性和绝缘强度等综合性能的研究方法和内部机理,总结了当前聚酰亚胺薄膜在能源系统和电子器件中残存的问题及面临的挑战,并为聚酰亚胺薄膜未来的发展及应用提供有意义的指导。

发明与专利

一种高精度基于金属弹性元件的挠曲电式压力传盛器 【摘要】一种高精度基于金属弹性元件的挠曲电式压力传感器，包括测量微压力引起机械振动的金属弹性元件，在金属弹性元件的顶部粘贴有挠曲电介电薄膜，周边设置有绝缘层，挠曲电介电薄膜上下表面分别设置有上金属电极和下金属电极，

绝缘与介电材料

Y98-61383-195 9904249声表面波用的高质量 ZnO 薄膜的外延生长和特征描述=Epitaxial growth and characterization of high qualityZnO films for surface acoustic wave applications[会,英]/