一种具有鳍状阳极的垂直GaN功率二极管

针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管。该结构利用阳极金属与GaN半导体之间的功函数差耗尽二极管阳极与阴极之间的导电沟道,实现二极管关断及反向耐压的功能,因此,阳极不再需要进行肖特基接触,仅需欧姆接触即可。通过优化Fin阳极结构参数,新结构同时实现高击穿电压和低正向导通压降,该器件的击穿电压为1791 V(@1×10^-4 A/cm^2),正向导通压降为0.815 V(@100 A/cm^2),导通电阻仅为0.73 mΩ·cm^2且具有高的温度稳定性,开态电流摆幅高达1×1012量级。