掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

对MOCVD生长GaN :Si薄膜进行了研究 ,研究表明随SiH4 TMGa流量比增大 ,GaN :Si单晶膜的电子浓度增大 ,迁移率下降 ,X射线双晶衍射峰半高宽增加 ,同时带边发射强度得到了大大的提高 ,并报导了随SiH4 TMGa流量比增大 ,GaN :Si的生长速率降低的现象。研究结果还表明 ,预反应对GaN :Si单晶膜黄带发射影响很大 ,预反应的减小可以使黄带受到抑制。