一次再结晶取向硅钢中第二相粒子局部密度与晶界的关系

采用场发射扫描电镜（FESEM）结合电子背散射衍射技术（EBSD）对一次再结晶取向硅钢中的Goss晶粒、黄铜晶粒及其周边相邻晶粒在晶界附近1μm范围内尺寸大于40 nm的Mn S第二相粒子的局部密度与相应晶界的关系进行了统计分析。结果表明：900℃再结晶退火后,Goss晶粒周边出现频次较高的晶粒取向分别为{112}〈111〉、{111}〈110〉、{411}〈148〉和{111}〈112〉,其中有利于Goss晶粒异常长大的{111}〈110〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉取向出现频次之和占总量的57.7%;黄铜取向晶粒周边出现频次较高的则为{111}〈110〉、{112}〈111〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉,其中{111}〈110〉、{111}〈112〉和{411}〈148〉出现频次占总量的68.7%;Mn S第二相粒子的局部密度差随晶界组合不同而变化,其中Goss-{111}〈110〉组合的最大。