Mn掺杂后三元黄铜矿结构半导体CuInTe2的缺陷特征与热电性能

三元黄铜矿结构（也称类金刚石结构）半导体是一类具有热电转换潜力的新型热电材料.本文采用电负性更小的Mn元素替换CuInTe2黄铜矿结构半导体中的Cu元素,设计制备贫Cu化合物Cu（1-x）InMnxTe2.研究表明,当Mn含量较低时,Mn优先占位在In位置产生受主缺陷MnIn.因此随着Mn含量的增大,载流子浓度和电导率均得到改善.但当Mn含量进一步增大后,Mn可同时占位在In位置和Cu位置,除产生受主缺陷MnIn外,还能产生施主缺陷Mn（Cu）-＋.由于两类极性相反的缺陷之间的湮灭现象,使得缺陷浓度及载流子浓度开始降低,晶格结构畸变有变小趋势,因此在高温下晶格热导率仅略有提高.研究结果表明,在某一特定的Mn含量（x=0.05）时,材料具有最优的热电性能（ZT.84@810.0 K）,这一性能约是未掺杂CuInTe2的2倍。

非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu_3Ga_5Te_9的热电性能

热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关.载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致,同时也与Cu含量减少后铜空位(V-1Cu)浓度增大相关联.另外,非等电子替换后,阴离子(Te2-)移位导致了晶格结构缺陷参数u和η的改变,其改变量fiu和fiη与材料晶格热导率(κL)的变化密切相关.在766 K时,适量的Sb替换量使材料的最大热电优值(ZT)达到0.6,比Cu3Ga5Te9提高了近25%.因此,通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效地调控了材料的电学及热学性能,在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想.

直流三极溅射法制备CuInS2薄膜

采用直流三极溅射装置制备获得了CuInS_2薄膜,其中溅射靶采用一定面积比的[Cu]/[In]混合靶,反应气体采用CS_2气体.本文中主要研究了0.02 Pa分压反应气体条件下不同面积比的[Cu]/[In]混合靶和沉积基板温度对CuInS_2薄膜结构和成分的影响,其中CuInS_2薄膜制备所用时间为2 h生长的厚度为1—2μm.通过对CuInS_2薄膜的EPMA,X射线衍射测试分析表明,最佳的CuInS_2薄膜可在面积比[Cu]/[In]混合靶为1.4:1和可控温度(150,250和350℃)的条件下制备获得,并且其结构被确认为黄铜矿结构.通过实验结果计算出CuInS_2薄膜层有约为8.9%的C杂质含量.