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题名晶圆键合技术在LED应用中的研究进展
被引量:2
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作者
罗超
张保国
孙强
张启明
张礼
缪玉欣
韩丽楠
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
中国电子科技集团公司第十八研究所
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第12期881-887,共7页
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基金
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(W2013100006)
河北省科技计划资助项目(15211017D)
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文摘
简要介绍了晶圆键合技术在发光二极管(LED)应用中的研究背景,分别论述了常用的黏合剂键合技术、金属键合技术和直接键合技术在高亮度垂直LED制备中的研究现状,包括它们的材料组成和作用、工艺步骤和参数以及优缺点。其中,黏合剂键合是一种低温键合技术,且易于应用、成本低、引入应力小,但可靠性较差;金属键合技术能提供高热导、高电导的稳定键合界面,与后续工艺兼容性好,但键合温度高,引入应力大,易造成晶圆损伤;表面活化直接键合技术能实现室温键合,降低由于不同材料间热失配带来的负面影响,但键合良率有待提高。
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关键词
晶圆键合
发光二极管(LED)
黏合剂键合
金属键合
直接键合
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Keywords
wafer bonding
light-emitting diode (LED)
adhesive bonding
metal bonding
di-rect bonding
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分类号
TN305.93
[电子电信—物理电子学]
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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