齐纳修调优化在ATE测试中的应用

阐述芯片设计制造中的齐纳修调(Zenor Trim)原理,探讨一种齐纳修调的自动化修调及优化方法,此方法适用于芯片ATE测试中的CP测试和FT测试。

齐纳管稳定性技术研究

基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,改进后的齐纳管电压稳定性得到很大提升,电压漂移由原来的1~2 V减小到100 mV以内。

亚表面齐纳基准二极管可靠性的1／f噪声预测方法

寿命试验和噪声测试结果表明，亚表面齐纳基准二极管的主要失效模式是经历长时间应力作用后基准电压的突然退化，同时发现失效器件皆为高初始１／ｆ噪声器件，而且其寿命与初始１／ｆ噪声电压近似成反比关系．机理分析表明，１／ｆ噪声和基准电压退化均可归因于ｐ－ｎ结耗尽区内的位错．据此，可利用１／ｆ噪声测量对基准二极管的可靠性进行快速且非破坏性的评价．

规定高精度齐纳电压源性能参数的新方法

本文介绍规定高精度齐纳电压源噪声、稳定度及日归不确定度等性能参数的新方法。本方法特别适用于年稳定性优于３×１０(－６)的齐纳电压源及其用户。

齐纳二极管在瞬态干扰抑制中的应用

随着小(微)型化的电子元器件组成的集成电路在电子设备中的广泛应用,以及空间中越来越复杂的电磁环境,使得电子设备所面临的各种瞬态干扰信号也随之增多。瞬态干扰对电子设备的正常工作构成了严重的威胁,其防护日显重要。本文首先提出了瞬态干扰的特点及其危害,然后根据瞬态干扰和齐纳二极管的特性,介绍了齐纳二极管瞬态干扰抑制原理,并给出了相应的防护电路,最后通过对实际例子的分析表明齐纳二极管能够有效的抑制瞬态干扰。

1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。

高精度齐纳电压源的噪声及其测量方法

介绍高精度齐纳电压源的噪声及其测量方法 ;重点阐述 0 0 1～ 1 0Hz带宽内的噪声及其测量方法。目前 ,其噪声谱密度水平约为 4 0nV/H2 (1 0 1 8V输出 ,f=0 0 2 5Hz) ;采用数字电压表采样法得到的结果 (相对于回归线的标准偏差 )约为 7 4 5× 1 0 - 9(1 0V输出 ,采样频率fs=0 0 83Hz)。

高精度齐纳电压源低频噪声影响的界定方法

本文详细介绍高精度齐纳电压源低频噪声影响的界定方法。文章引入一个参数ｓｒａ—称为多点移动平均的标准偏差，如能给出它的值，用户将能把握这种影响。本方法适用于年稳定性为（１ ～７） ×１０ － ６ 的齐纳电压源。

低压齐纳二极管的研制

本文论证了面结型低压齐纳二极管的击穿机理为隧道击穿．提出了一种新型的面结型低压齐纳二极管的结构，以及相应于此种结构的工艺流程．论述了衬底材料的选择等问题．实验结果表明，此种结构是成功的．做出了符合用户要求的低压齐纳二极管．

齐纳二极管早期失效对芯片可靠性的影响分析

齐纳二极管常作为基准电压元件,为电路提供线性稳压电源,该固定电压与电源电压、负载和时间变化等无关,因而被广泛地应用于集成电路产品设计中。针对模拟集成电路早期失效案例进行分析,通过失效分析方法,定位该故障是由于齐纳二极管经历一定温度、时间的老炼试验后,表现出早期失效,击穿电压漂移所导致的;同时通过样品在不同条件下的试验情况,分析温度、电应力对齐纳二极管早期失效及产品可靠性的影响,并提出了选用齐纳二极管时的注意事项。

快速齐纳二极管

在限制信号的电路中,标准的齐纳二极管经常太慢了.如果不能获得一只快速齐纳二极管的话,图中的电路会有所帮助.

齐纳安全栅的应用及国产化问题(下)

(3)调节器输出至 I/P(电/气)转换器a.如果调节器输出是完全浮空的,可以使用图12所示的 LB828+单通路安全栅。b.如果调节器输出电流直接流入“0V”汇流条的话(发射极输出),也可采用图13所示的 LB828+单通路安全栅,而安全栅的“0V”端可以通过汇流条接地。

齐纳二极管电子辐照特性研究

研究了电子辐照前后齐纳二极管在不同温度下的直流参数特性以及其动态响应。根据直流伏安特性提取齐纳管理想因子n,发现高注量下n有明显增大,表明辐照引入了复合中心。该器件室温下的直流参数稳定,辐照引起的变化不明显;较高温度下,击穿电压和正向压降等变化稍大。在动态响应的研究中,瞬态电压消失后,电流迅速减小并产生了随时间衰减的振荡。高注量的样品振荡时间相较于低注量的样品有明显的延长,这个延长在器件室温存放之后发生了消退。

有机共轭聚合物材料中的齐纳隧穿

基于扩展的SSH模型,采用非绝热动力学方法,研究高电场下一维有机共轭聚合物的电性质。发现在足够高的电场下,价带中的电子可以穿过带隙进入导带,即有机聚合物中的齐纳隧穿现象。伴随电子的带间隧穿,带隙消失,发生从绝缘体(半导体)到金属的相变(I-M相变),晶格结构同时发生重大变化。

非线性朗道-齐纳隧穿的高频周期调制效应

研究了高频周期调制场对非线性两能级系统朗道-齐纳隧穿(Landau-Zener tunneling简称LZT)的影响.通过对系统的能级差进行高频周期调制,运用解析法和数值法同时发现,加高频周期调制场等价于两能级间耦合系数v减小为有效耦合系数qv(q为修正系数)而不加调制场,并得到了修正系数q的表达式.

齐纳式安全栅设计与应用问题探讨

齐纳式安全栅结构简单,广泛用于爆炸性危险区域与安全场所的隔离。论述了齐纳式安全栅的工作原理、器件选择、结构和应用情况,针对熔断管式安全栅的一次性使用问题,提出了一种解决方案。

美国草地型野生花卉——齐纳花引种栽培研究

对 1994年引进的美国草地型野生花卉齐纳花的形态特征、生物学特征和特性、栽培管理技术等进行了研究。试验表明 ,齐纳花具有适应性强 ,繁殖容易 ,花期长 ,色泽鲜艳呈金黄色 ,低矮且自然成坪 ,花朵密集似地毯和易栽培管理等优点 ,是城市道路、园林、庭院美化绿化。

齐纳安全栅瞬态效应的测试系统

针对传统安全栅测试评估手段的不完善,为满足国家标准中二极管安全栅的型式试验,设计了一种齐纳安全栅瞬态效应的测试系统。该系统以齐纳二极管为研究对象,从本质安全的角度,分析了运行在最不利条件下的齐纳二极管预先击穿时间。通过试验确定脉冲电流的宽度与幅值;以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为核心元件,并采用大电容储能网络,设计了脉动电流源。实践表明,该测试技术有效地验证了安全栅承受瞬态效应,为确保防爆安全提供依据。

多种初条件下朗道-齐纳转化动力学的变分法研究

利用数值严格的基于多重达维多夫D试探态的变分法,研究多种初始条件下与零温光子库相互作用的朗道-齐纳模型的动力学行为.利用变分法能够以共同的方式计算自旋与光子库演化的优势,提出了能够发现朗道-齐纳转化所涉及的能级和系统这些能级间跳转方式的一种方法.鉴于以薛定谔猫态为初态的朗道-齐纳动力学行为复杂性和它对量子计算的重要意义,还细致研究了以薛定谔猫态为初态的自旋和光子库的动力学行为,并分析了不同参数下薛定谔猫态初始态对稳态朗道-齐纳转化概率的影响,最后获得转化概率依赖初始态参数的拟合公式.该结果有助于深入理解朗道-齐纳动力学行为.