期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
齐纳管稳定性技术研究
1
作者
陈波
王菡
+2 位作者
刘青
彭克武
蒲璞
《环境技术》
2020年第S01期71-73,78,共4页
基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,...
基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,改进后的齐纳管电压稳定性得到很大提升,电压漂移由原来的1~2 V减小到100 mV以内。
展开更多
关键词
齐纳
管
反向击穿
电压漂移
齐纳蠕变
隐埋
齐纳
管
下载PDF
职称材料
题名
齐纳管稳定性技术研究
1
作者
陈波
王菡
刘青
彭克武
蒲璞
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《环境技术》
2020年第S01期71-73,78,共4页
文摘
基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,改进后的齐纳管电压稳定性得到很大提升,电压漂移由原来的1~2 V减小到100 mV以内。
关键词
齐纳
管
反向击穿
电压漂移
齐纳蠕变
隐埋
齐纳
管
Keywords
zener
reverse breakdown
voltage drift
zener creep
buried zener
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
齐纳管稳定性技术研究
陈波
王菡
刘青
彭克武
蒲璞
《环境技术》
2020
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部