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New type gate electrode of CNT-FED fabricated by chemical corrosive method
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作者 陈静 雷威 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2007年第2期241-243,共3页
To obtain a triode structure canbon nanotube field emission display (CNT-FED), the glass plate which contains a glass channels matrix is designed and used as the triode part of the CNT-FED. Normally, the gate electr... To obtain a triode structure canbon nanotube field emission display (CNT-FED), the glass plate which contains a glass channels matrix is designed and used as the triode part of the CNT-FED. Normally, the gate electrode can be fabricated with screen printing methods and a channels matrix can be fabricated by two- faced chemical corrosion. By adjusting the etch time and the concentration of acid in the process, different shapes of the tunnels can be obtained. The size and morphology of channels are observed by a scanning electron microscope (SEM), and the ingredients of the corrosion solution are detected by infrared ray (IR) analysis. Voltage is added to the triode structure for obtaining the brightness image of the spot on the screen. Eventually, the electron trace pulling from cathode to anode under an electric field is obtained by simulation. It is concluded that the simulation results accord with the experimental results which realize the optimized triode structure. 展开更多
关键词 canbon nanotube field emission display (cnt-fed) gate electrode chemical corrosion glass hole
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以专利管理图进行CNT-FED技术发展前瞻分析研究
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作者 黄鲁成 顾成建 《科技进步与对策》 CSSCI 北大核心 2010年第12期14-17,共4页
利用专利管理图分析的方法,对全球主要CNT-FED技术研发国家的进展状况进行了分析与比较,对此不确定的新兴技术进行了分析与预测。
关键词 cnt-fed 专利管理图
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CNT-FED中光刻工艺的研究
3
作者 陈静 杨夏喜 +1 位作者 雷威 张晓兵 《真空电子技术》 2006年第1期15-17,29,共4页
在碳纳米管场致发射显示器件结构中,需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案。本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程。实验中采用在紫外曝光条件下,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做出了系统分析。这些... 在碳纳米管场致发射显示器件结构中,需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案。本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程。实验中采用在紫外曝光条件下,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做出了系统分析。这些因素主要包括了对于感光胶的选择,玻璃表面的清洁度,丝网印刷工艺的操作,紫外光曝光时间的控制,酸腐蚀浓度。通过优化实验工艺,得到满足精度要求的精细条纹,得出最佳的光刻条件。 展开更多
关键词 光刻 碳纳米管场致发射显示器件 ITO
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基于高压浮动技术的CNT-FED驱动保护电路
4
作者 马晓燕 王卫中 +1 位作者 雷威 张晓兵 《纳米科技》 2005年第6期23-26,共4页
采用高压浮动技术的CNT-FED驱动电路,有利于实现高亮度,得到较好的显示质量;但是由于浮动技术本身特点,给整个驱动电路带来了不稳定因素,同时也不利于保护电路的设计。文章提出针对高压浮动技术的保护电路,能在放电单元出现打火... 采用高压浮动技术的CNT-FED驱动电路,有利于实现高亮度,得到较好的显示质量;但是由于浮动技术本身特点,给整个驱动电路带来了不稳定因素,同时也不利于保护电路的设计。文章提出针对高压浮动技术的保护电路,能在放电单元出现打火现象时保护驱动电路免于损坏,不影响整个驱动电路的正常工作。 展开更多
关键词 高压浮动技术 CNT—FED驱动电路 放电单元打火 保护电路
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生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响 被引量:10
5
作者 王莉莉 孙卓 陈婷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期123-128,共6页
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针... 碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2—152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射平面显示器 丝网印刷 生长温度
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新型碳纳米管场发射显示器自会聚阴极的计算机模拟 被引量:8
6
作者 姚远昭 吴裕功 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期636-639,共4页
提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐... 提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。 展开更多
关键词 场发射显示器 计算机模拟 碳纳米管 阴极
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新型场致发射显示器件的研究现状与展望 被引量:4
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作者 王金婵 杨杨 +3 位作者 张晓兵 雷威 王琦龙 张宇宁 《真空》 CAS 北大核心 2005年第3期1-5,共5页
场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构... 场致发射显示器(FieldEmissionDisplay)继承了传统CRT的优良显示性能,是一种具有广阔应用前景的平板显示器件。本文介绍了FED的发展近况,重点是碳纳米管阴极场致发射显示,并对normal-gate、un-der-gate三极结构以及double-gate四极结构等器件结构特点进行了讨论。 展开更多
关键词 场致发射 碳纳米管 三极结构
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碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制 被引量:2
8
作者 郭平生 孙卓 +1 位作者 陈奕卫 郑志豪 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期29-33,55,共6页
探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;... 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程.用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF;以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极;采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管.所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2.7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2.因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力. 展开更多
关键词 碳纳米管/碳纳米纤维 场发射 平板显示器
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低成本制备的高稳定性碳纳米管复合阴极
9
作者 李德昌 史永胜 朱长纯 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期663-666,共4页
通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT。采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高... 通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT。采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高增强因子及低屏蔽效应的阴极。发射测试实验表明:复合物中SiO2/CNT含量为80%时,阴极具有高发射电流和较佳的场发射稳定性能。在场强为2V/mm时,发射电流为56mA/cm2,开启场为0.71V/mm,发射电流波动3h,波动<3%。该阴极发射电流高,稳定性良好,容易采用低成本的丝网工艺制备成各种不同尺寸FED阴极。 展开更多
关键词 碳纳米管 场致发射显示 阴极 稳定性
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场致发射显示器的现状与发展 被引量:21
10
作者 朱长纯 史永胜 《真空电子技术》 2002年第5期15-17,26,共4页
通过对场致发射显示器 (FED)发展现状及其应用前景进行系统的比较与分析 ,着重讨论了场致发射体及其阵列制备工艺以及各种关键技术的优缺点。并介绍国外著名公司的研究动态 ,展望FED的发展趋势。
关键词 场致发射显示器 场发射阵列 碳纳米管 FED 表面导电发射体
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后栅极场致发射显示板制作的研究 被引量:1
11
作者 储开荣 雷威 +2 位作者 狄云松 崔云康 袁旦 《纳米科技》 2006年第3期20-22,共3页
介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点,而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板,利用碳... 介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点,而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板,利用碳纳米管作为阴极材料,并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。 展开更多
关键词 场致发射显示板 三极结构 后栅极 碳纳米管
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新型背光源——场致发射背光源 被引量:2
12
作者 陈永业 林志贤 郭太良 《电视技术》 北大核心 2007年第12期37-39,共3页
阐述了几种常见背光源的优缺点及FED背光源的发展概况,并针对目前FED背光源存在的问题,介绍了两种解决方法。概述了FED背光源的技术前景。
关键词 荧光粉 碳纳米管 场发射结构 场致发射背光源 四针状纳米氧化锌
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碳纳米管场致发射显示器与驱动系统的集成研究 被引量:1
13
作者 杨堃 《电子测量技术》 2007年第5期1-3,共3页
碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示... 碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示器的新方式。由于碳纳米管可以生长在硅基底上,从而可将驱动电路预先制作在硅基底上,然后再利用室温下生长碳纳米管的方法,将碳纳米管和电路集成在同一硅基底上。驱动系统和发射部分集成在一起,可达到使FED轻薄的设计要求。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(FED) 驱动系统
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40 inch碳纳米管场发射显示屏的驱动系统研究
14
作者 钱敏 冯涛 +5 位作者 林丽锋 李天军 丁慧 张哲娟 陈奕卫 孙卓 《电子器件》 CAS 2009年第3期497-499,503,共4页
针对自行研制开发的国内最大的40 inch二极管型纳米碳管场发射显示屏,采用DVI数字视频接口技术,结合图像解码电路、FPGA控制电路、行列驱动电路,研究开发了二极管型纳米碳管场发射显示屏专用驱动技术,并成功实现了大屏幕动态显示。
关键词 纳米碳管 场发射显示器 丝网印刷 驱动电路
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对抗·碰撞——故事里的网版印刷技术与半导体技术(九)
15
作者 肖凝 肖婧 《丝网印刷》 2023年第21期14-19,共6页
半导体制作技术、电泳制作技术和网版印刷技术并存的过程,是三者之间新的对抗与碰撞。全网版印刷的二极型CNT-FED的结构与全新网版印刷工艺,是对印刷CNT发射体技术的改进与创新。
关键词 半导体技术 网版印刷技术 cnt-fed
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一种提高大面积碳纳米管场发射能力方法(英文)
16
作者 倪小静 夏姣贞 顾征 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期521-524,共4页
碳纳米管(CNT)具有良好的场发射特性,研究表明,垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力,本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法,通过有关参数的实验测试,研究了解场发射能力提高程度,并估算场增强因子。本... 碳纳米管(CNT)具有良好的场发射特性,研究表明,垂直于基板的碳纳米管具有较其他取向更大的场发射能力,本文介绍一种在大面积基板上使碳纳米管取向垂直的方法,通过有关参数的实验测试,研究了解场发射能力提高程度,并估算场增强因子。本方法对制备大屏幕场发射显示器(FED)具有积极意义。 展开更多
关键词 纳米碳管 场发射显示 垂直取向
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二极管型碳基膜场发射显示器的制作(英文)
17
作者 林丽锋 陈奕卫 +5 位作者 钱敏 李天军 丁慧 张哲娟 孙卓 冯涛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期97-100,共4页
介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法。该显示单元模块为16*16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸。器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷。... 介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法。该显示单元模块为16*16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸。器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷。各膜层图形经过精心设计以实现矩阵选址。使用低玻粉将阴极和阳极烧结之后,采用超高真空排气台进行排气,然后装配上驱动电路,即实现了单元碳基膜场发射显示器模块的制作。另外,为了改善CRT荧光粉的黏附性差和电阻率低的问题,我们往CRT荧光粉浆料中分别加入了碳纳米管和硝酸镁,得到了更好的发光性能。 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射显示器 丝网印刷 荧光粉
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光纤支撑墙碳纳米管场发射显示器的研制
18
作者 田昌会 朱长纯 +1 位作者 曾凡光 刘卫华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期526-528,共3页
针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30mm、50mm2种长度。根据设计结果,用自制的简易支... 针对现有的碳纳米管场发射显示器(CNT-FED)制造技术中存在的工艺复杂、成本过高的问题,利用通信光纤,通过烧结炉热处理的方法制作出了一种直径为125μm的石英玻璃光纤支撑墙,并将其切为30mm、50mm2种长度。根据设计结果,用自制的简易支撑墙定位装置,按10mm等间距交错位排列该支撑墙,并在同一线上相邻光纤间留8mm间隙。结合阴、阳极丝网印刷工艺,设计制作了一种显示面积为118mm×123mm、像素点数为64×64和可矩阵寻址的二极结构纤维支撑墙CNT-FED,并实现了动态显示。 展开更多
关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(FED) 光纤支撑墙 丝网印刷技术
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