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高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器 被引量:3
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作者 石艳玲 卿健 +2 位作者 忻佩胜 朱自强 赖宗声 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期972-976,共5页
级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电... 级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1~ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 . 展开更多
关键词 铝硅合金弹性膜 MEMS相移器 高阻硅 hr-si 下拉电压
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无线通讯用硅基微小天线的设计与制作
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作者 郭兴龙 蔡描 +2 位作者 刘蕾 游淑珍 赖宗声 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期361-365,共5页
采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集... 采用微电子工艺在高电阻率硅片上设计和制备了一种新颖紧凑共平面波导馈电天线,并对其进行了仿真和测试,模拟和测试结果比较吻合,经过实验测试得到天线为水平和垂直双向辐射,天线的增益约为2.5dB,谐振频率约为3GHz,此天线有利于天线集成和与CMOS工艺等的兼容,并且对于无人驾驶飞机、卫星等飞行器的雷达和通讯等天线系统的设计具有参考价值。 展开更多
关键词 微小天线 高电阻率硅片 集成电路工艺
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Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响 被引量:1
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作者 徐钰 石艳玲 +5 位作者 沈迪 胡红梅 忻佩胜 朱荣锦 刘赟 蒋菱 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-225,共5页
通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。... 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。 展开更多
关键词 共平面波导 硅/二氧化硅系统电荷 高阻硅衬底
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不同基底材料的220GHz极化隔离器特性研究 被引量:1
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作者 陈劫尘 王学田 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第S1期686-689,共4页
本文主要研究220GHz收发隔离网络中极化隔离器的基底材料选择问题,利用仿真结果考察不同基底材料对极化隔离器性能参数的影响。在前期的研究基础上,选择最佳基底材料,提高极化隔离器的性能,优化隔离器的结构尺寸。
关键词 太赫兹 极化隔离器 石英玻璃 高阻硅 聚四氟乙烯
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基于不同基底材料的太赫兹波极化隔离器特性分析
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作者 宋崧 王学田 +1 位作者 王伟 陈劫尘 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第A01期282-285,共4页
针对太赫兹波极化隔离器的基底材料选择问题,通过建模仿真和实验验证,分析了不同材料对极化隔离器性能的影响,最终选择较好的基底材料来提高极化隔离器的性能,并对其结构尺寸进行了优化。
关键词 太赫兹 极化隔离器 高阻硅 聚四氟乙烯 石英玻璃
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改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究
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作者 程实 常永伟 +1 位作者 魏星 费璐 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第6期70-74,共5页
因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(... 因良好的射频性能,高阻SOI(High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs)。通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能。高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化。设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应。在0~8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator)。由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料。 展开更多
关键词 高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI
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Design and fabrication of miniature antenna based on silicon substrate for wireless communications
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作者 GUO XingLong JIN Yan LIU Lei OUYANG WeiXia LAI ZongSheng 《Science in China(Series F)》 2008年第5期586-591,共6页
In this paper, a novel compact CPW-fed slot small antenna was designed and fabricated on high-resistivity silicon (HR-Si) by micro-electronics process. The results of simulation are consistent with results of measur... In this paper, a novel compact CPW-fed slot small antenna was designed and fabricated on high-resistivity silicon (HR-Si) by micro-electronics process. The results of simulation are consistent with results of measurement for the antenna. The mode of the antenna is vertical and horizontal bidirectional radiations. The gain of antenna is 2.5 dB, and the resonance frequency approximately is 3 GHz. This fabrication can be compatible with antenna integration and CMOS process. The parameters of this antenna are for reference radar antenna system of Unmanned Aerial Vehicles (UAV), satellite transmission, and communication. 展开更多
关键词 miniature antenna high-resistivity silicon (hr-si) IC process
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