NTD和气质联用快速测定汽车喷漆空气中氯苯类化合物

采用动态针捕集阱技术(NTD)与气相色谱/质谱联用,建立了快速测定空气中氯苯(CB)、对二氯苯(PCB)和1,2,4-三氯苯(TCB)三种氯苯类化合物的分析检测方法。确定了解吸温度、解吸时间、采样流速和穿透体积等关键参数,该方法检出限为0.000312~0.000592μg·mL^(-1),加标回收率为80.0%~114.8%,精密度(RSD,n=5)为4.12%~7.92%,线性范围2.00~50.0μg·mL^(-1)内对各目标物的线性相关系数均大于0.995,符合HJ 1079-2019的相关标准。该方法提取分析汽车喷漆厂房内空气中的三种氯苯类化合物,CB、PCB和TCB平均浓度分别为5.09、2.42和3.45μg·mL^(-1)。

组蛋白去甲基化酶KDM5A调控H3K4me3参与神经管畸形发生的分子机制

神经管畸形(NTDs)的病因与防治是出生缺陷领域研究的重点,叶酸可以预防神经管畸形但其机制不明。本文借助低叶酸细胞模型和低叶酸NTDs小鼠模型通过染色质免疫共沉淀、Cut&Tag等技术,探讨了组蛋白去甲基化酶lysine demethylase 5A(KDM5A)及其调控的下游组蛋白H3K4me3修饰在叶酸缺乏导致的NTDs发生中的潜在分子机制。结果显示,低叶酸的细胞模型中,qRT-PCR、Western印迹结果显示,KDM5A分子表达明显下降(P<0.05)。作为组蛋白H3K4me3调控的上游关键酶,进一步通过染色质免疫共沉淀ChIP、ChIP-qPCR实验证实,叶酸缺乏下组蛋白H3K4me3在神经发育基因Axin 2和Atoh 1基因启动子区富集增加(P<0.05)。通过构建KDM5A基因敲除细胞模型,借助Cut&Tag试验证实,KDM5A基因敲除后H3K4me3主要富集在神经发育基因上。最后在低叶酸导致的NTDs小鼠模型的脑组织中,RT-qPCR、Western印迹以及ChIP-qPCR实验显示,E9.5 d的NTDs胎鼠脑组织中KDM5A表达下降(P<0.05),Axin2、Atoh1表达升高(P<0.05),Axin2、Atoh 1基因启动子区的H3K4me3富集增多(P<0.05)。综上所述,KDM5A蛋白在叶酸缺乏导致的NTDs中发挥重要作用,其可通过调控下游H3K4me3进而调控神经发育靶基因Axin2、Atoh 1异常表达,介导NTDs的发生。本研究从叶酸缺乏介导KDM5A调控组蛋白修饰来探讨NTDs的发病机制,为降低出生缺陷,促进生殖健康提供依据。

低叶酸和维甲酸诱导神经管畸形小鼠模型胎脑的转录物组学分析

神经管畸形(neural tube defects,NTDs)是一类中枢神经系统相关的重大出生缺陷型疾病。随着孕龄期妇女叶酸增补政策的推广,其发病率逐年下降致临床标本不易获取,因此,建立可靠的动物模型来研究NTDs的致病机制尤为重要。本研究分别通过低叶酸联合甲氨蝶呤(methotrexate,MTX)建立的诱导NTDs小鼠模型和维甲酸(retinoic acid,RA)诱导建立的NTDs小鼠模型,对NTDs胎鼠脑组织进行转录物组测序(transcriptome sequencing,RNA-seq)并分析差异表达谱,最后,通过实时荧光定量PCR(real-time quantitative polymerase chain reaction,RT-qPCR)进行结果验证。结果显示,低叶酸联合MTX诱导的胎鼠NTDs发生率为21.7%;RA诱导的胎鼠出现了强烈的致畸现象,畸形率为73.2%。相比正常胎鼠,低叶酸联合MTX诱导的NTDs小鼠组筛选出1443个差异表达基因(differentially expression genes,DEGs);RA诱导NTDs小鼠组筛选出3070个DEGs。对DEGs进行生物信息学分析,GO富集显示,上调基因主要参与前后轴发育、区域化和模式分化过程等生物学过程;KEGG富集显示,上调基因与心肌收缩、心肌病、神经活性配体-受体相互作用等信号通路相关。对2种模型鼠的DEGs进行Veen交集分析,结果显示,共有132个DEGs在2组模型中显著上调,其中包括Hox基因家族。通过RT-qPCR进行验证,发现与RNA-seq的结果一致。本研究对2种NTDs小鼠胎脑进行RNA-seq和差异表达谱分析,发现Hox的异常表达可能导致了NTDs的发生,为后续发病机制的研究提供了探索与思考。

神经管闭合的新见解:叶酸不应答型神经管畸形

神经管畸形(neural tube defects,NTDs)是一种常见的、严重且复杂的先天性畸形,是遗传、营养和环境因素相互作用的结果。母体妊娠期补充叶酸(folic acid,FA)已被证明是一种非常有效的策略,常用于部分NTDs的初级预防。然而,仍有一部分NTDs病例对FA治疗具有抵抗性,称为“FA不应答型NTDs”或“FA抵抗型NTDs”。FA不应答型NTDs的病因复杂,涉及遗传、营养、环境及母体相关因素。本文综述了叶酸不应答型NTDs的相关遗传、营养、环境及母体等风险因素,并揭示了其致病机制的研究进展。其中,遗传因素主要从小鼠突变体及品系、叶酸一碳代谢基因、关键凋亡基因三方面展开阐述,为该类患儿的产前诊断提供了可能的遗传检测位点。营养因素方面,本文主要聚焦目前已报道的肌醇和蛋氨酸,解释其对该种疾病潜在的干预机制,为NTDs患者早期营养干预提供新方向。此外,本文还探讨了叶酸一碳代谢中的辅助因子-维生素B12参与叶酸不应答型NTDs发生的可能机制,增加叶酸联合其他维生素治疗出生缺陷的可能性。最后,本文还综述了环境因素和母体因素在叶酸不应答型NTDs中的研究进展,为高危人群提供孕早期健康指导。总之,本文综述了叶酸不应答型NTDs的相关风险因素及其致病机制的研究进展,为当下该种疾病及同类型出生缺陷的防治提供新的见解。

NTD CZ-Si708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带特性

本文报道了NTD CZ-Si 708cm^(-1)、742cm^(-1)、776cm^(-1)中照缺陷红外吸收带退火特性和温度特性的研究结果.三个带产生的退火温度为350℃-550℃,500℃退火效应最明显,峰强达到最大值;10-95K变温测量峰位频移为零.10-60K时,峰强随温度升高而平缓增加,60K时达到最大值.在60-95K温区,峰强随温度升高而迅速下降,至100K时已全部消失.

母亲MTHFR基因A1298C突变与后代NTDs的关系

目的:探讨母亲亚甲基四氢叶酸还原酶(MTHFR)基因A1298C突变与其后代发生NTD s风险性的关系。方法:在山西省搜集41例生育神经管畸形儿的母亲和41例生育正常儿的母亲形成1∶1匹配的病例对照研究,采用PCR-RFLP技术检测研究对象MTHFR基因1298位点多态性。结果:MTHFR基因1298位点呈多态性,本次研究发现两种基因型别A/A、A/C在病例组中为70.7%、29.3%,在对照组中为75.6%、24.4%,经统计学分析,χ2=0.25,P>0.10。等位基因(A、C)频率在病例组(85.4%、14.6%)和对照组(87.8%、12.2%)的分布经分析,χ2=0.21,P>0.10。结论:母亲MTHFR基因A1298C突变与后代NTD s可能无相关性。

电子辐照NTD硅的少数载流子寿命

本文对电子辐照 NTD 硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析,获得了未退火时τ与 T(77K～300K)的线性关系和寿命的相对偏差|△τ|/■(=|τ-■|)≤10%,这些结果表明样品的均匀性相当好。等时等温退火后的τ值显示样品具有较好的热稳定性。

电子辐照高阻NTD FZ Si中缺陷态的退火特性

报导了电子辐照高阻NTD－FZ－Si中缺陷态的退火特性。分别采用真空和N2气保护下进行等时、等温退火，测量了它们的DLTS港和相应的少数载流子寿命，对两种退火气氛的实验结果进行了分析讨论。

电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性

本文研究了高阻（８０～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时、等温退火特性，获得了５个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３，Ｅ４能级是主要的复合中心．

Wnt信号分子在神经管缺陷(NTD)发生过程中的表达及其可能的作用机制

目的探讨Wnt信号分子在神经胚形成和神经管缺陷(NTD)发生过程中的作用及其可能的分子调控机制。方法用Western blot方法半定量检测正常及NTD小鼠胚胎的脑泡及脊髓神经组织中Wnt信号分子的变化。采用流式细胞技术检测正常和神经管缺陷(NTD)胚胎脑泡及脊髓神经组织神经上皮细胞周期动力学的变化。结果与正常胚胎的脑泡及脊髓神经组织比较,NTD胚胎的脑泡及脊髓神经组织的β-catenin蛋白表达量明显减弱;而GSK-3β蛋白表达量明显增强。流式细胞仪的检测结果显示:与正常E10.5d胚胎脑泡及脊髓神经组织的神经上皮相比,神经管缺陷模型胚胎的脑泡及脊髓神经组织的神经上皮细胞处于G0/G1期的细胞百分比明显增高,而神经上皮细胞处于S期的细胞百分比则明显降低。结论神经管缺陷的发生与Wnt信号途径的变化是密切相关的,Wnt信号分子的变化可能正是神经管缺陷形成中细胞增殖抑制的相关分子机制。神经管上皮细胞的增殖抑制及凋亡可能是NTD发生的重要细胞基础。

电子辐照NTD FZ Si等温退火特性

本文报导了关于高阻 Ｎ 型区熔（ Ｆ Ｚ） Ｎ Ｔ Ｄ－ Ｓｉ－ Ｐ＋ Ｎ 结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５ 个缺陷能级： Ｅ１ ＝ ０ ．１６ｅ Ｖ， Ｅ２ ＝ ０ ．２７ｅ Ｖ， Ｅ３ ＝ ０ ．３１ｅ Ｖ， Ｅ４ ＝ ０ ．３７ｅ Ｖ 和 Ｅ５ ＝ ０ ．４２ｅ Ｖ．结果表明 Ｅ３ 和 Ｅ４ 有比其它３

电子辐照高阻区熔N型NTD硅中缺陷态的退火特性

报导了经电子辐照后的高阻 (4 5～ 70Ω·cm)NTD FZ Si p+nn+结的N Si中缺陷态在氮气保护下的等时、等温退火特性 ,而且获得了主要缺陷态能极E3、E4 的激活能和频率因子。

检测羊水中神经源性细胞辅助诊断NTD的研究

目的研究羊水内活细胞形态及贴壁率的差异，探讨快速贴壁细胞与神经管缺陷（NTD）之间的关系，检测羊水中神经源性细胞阳性表达率，探讨其与神经管畸形之间的关系。方法选取在甘肃省妇幼保健院门诊抽取羊水做产前诊断（后荧光原位杂交证实为正常胎儿）和已被证实为神经管畸形的孕妇羊水做常规羊水培养，观察羊水正常组（对照组）与NTD组（实验组）细胞在形态、贴壁时间的差异，并选用神经元特异性标志物，抗微管相关蛋白anti—MAP2、抗神经元核单克隆抗体（anti—NeuN），通过免疫荧光法鉴定对照组（15例）与实验组（11例）神经元特异标志物的阳性表达率。结果实验组细胞的活细胞贴壁率明显高于对照组，差异有统计学意义（t=8．909，P=0．000）。免疫荧光法结果显示羊水正常组（对照组）与空白组（未干预）两种神经源性细胞标志物表达均为阴性，NTD组（实验组）抗神经元核单克隆抗体（anti—NeuN）表达阳性，抗微管相关蛋白anti—MAP2表达阴性，对照组与实验组组间阳性率差异有统计学意义（X2=7．717，P=0．021）。结论检测羊水中神经源性细胞可辅助诊断神经管畸形。

基于NTD的插值FLC控制算法的研究与应用

针对具有滞后性、非线性和耦合性的高精度运动轨迹控制,尤其在控制对象精确的数学模型难以建立的情况下,很难实现精确的定位,本文提出了基于非线性跟踪微分器(NTD)的插值模糊控制(IFLC)算法;并以大射电望远镜精调Stewart平台为控制对象,分析了控制策略,对其进行数值仿真和试验研究,得到了较高的控制精度;此种控制算法对于大滞后、非线性、强耦合的控制系统具有较高的可行性和高效性,同时易于工程实现。

高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。

NTDCZSi中辐照施主的研究

本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生～20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。

The development and application of silicon Neutron Transmutation Doping (NTD) technology in China

The research and development history of silicon Neutron Transmutation Doping (NTD) technology and its applications at home and abroad are introduced in this paper.The advantages of NTD,compared with conventional technology of doping,are narrated.The principle of NTD as well as the implementation of the main procedures related to Si NTD is explained.The market demand tendency is prospected,and the advanced measures on NTD quality control are described.

NTDCZSi中与氧有关的PL谱

中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.

NTDCZSi中的辐照施主

中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)在700～900℃范围内退火消除辐照损伤时产生了施主现象,使电阻率低于目标值。它与CZSi中的热施主、新施主有相似的行为,也有明显差异。本文研究了它与热施主、新施主的关系及辐照通量、硅中氧碳杂质对这种施主的产生与浓度的影响。初步认为它可能是以辐照缺陷为核心的“缺陷——杂质(氧、碳)亚稳态复合体”本质上仍属于氧施主范畴。

育龄期妇女血清EFAs和NEFAs轮廓谱及其用于NTDs预防性营养干预研究

本文借助GC/MS代谢组学方法,测定了育龄期妇女血清中酯化和非酯化脂肪酸轮廓谱,并对营养干预前后育龄期妇女血清脂肪酸含量变化进行了研究.按营养干预组(48例)和对照组(48例)分组,测定了育龄期妇女血清中酯化脂肪酸(EFAs)和非酯化脂肪酸(NEFAs)的平均含量;利用SIMCA-P软件对定量结果进行PLS-DA分析,聚类结果良好.基于定量结果,指认了6种潜在营养生物标志物,并由此初步探讨了这些潜在生物标志物的生理意义以及营养素干预对育龄期妇女血清脂肪酸含量的影响,以及脂肪酸代谢变化可能对胚胎神经发育造成的影响.