随着IC芯片的供电电源趋向低电压以及大电流,基于2.5D硅通孔技术(Through-Silicon-Via,TSV)、倒扣焊、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)、3D堆叠等的微系统模块的电源分配系统(Power De‐livery Network,PDN)的...随着IC芯片的供电电源趋向低电压以及大电流,基于2.5D硅通孔技术(Through-Silicon-Via,TSV)、倒扣焊、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)、3D堆叠等的微系统模块的电源分配系统(Power De‐livery Network,PDN)的设计越来越重要。芯片电流经过PDN互连产生输出噪声,这些互连必须提供一个较优低阻抗的信号返回路径,保持芯片焊盘间恒定的供电电压且维持在一个很小的容差范围内,通常在5%以内。基于芯片封装系统(Chip Package System,CPS),结合TSV硅基板、HTCC管壳、PCB三级协同对微系统模块PDN提出设计及优化方法,从直流设计、交流阻抗设计分别进行阐述,并运用芯片电源模型(Chip Power Model,CPM),结合时域分析实现了电源纹波PDN低阻抗设计。展开更多
为了实现LTE系统提出的"永远在线"的目的,开机附着(ATTACH)过程中必须伴随分组数据网(Packet Data Net-work,PDN)的连接建立过程,其实质就是默认承载建立过程。对LTE协议栈非接入层总体架构进行介绍;对ATTACH过程中PDN连接过...为了实现LTE系统提出的"永远在线"的目的,开机附着(ATTACH)过程中必须伴随分组数据网(Packet Data Net-work,PDN)的连接建立过程,其实质就是默认承载建立过程。对LTE协议栈非接入层总体架构进行介绍;对ATTACH过程中PDN连接过程进行研究,提出了一种PDN连接建立的设计方法,该设计方法避免了资源浪费,实现了LTE终端在开机过程和出现异常时EMM模块和ESM模块间交互流程的统一。并用规范描述语言(Specification and Description Language,SDL)/树表结合表示法(Tree and Tabular Combined Notation,TTCN)对PDN连接建立过程设计进行了测试仿真,结果显示此设计完全符合LTE标准。展开更多
提出了一种分析多层印刷电路板电源分配网络(power distribution network,PDN)中一维(1D)介质型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)结构噪声隔离性能的1D有限元数值计算方法.将1D介质型EBG的3D结构简化为1D有限元模型,通过直接求...提出了一种分析多层印刷电路板电源分配网络(power distribution network,PDN)中一维(1D)介质型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)结构噪声隔离性能的1D有限元数值计算方法.将1D介质型EBG的3D结构简化为1D有限元模型,通过直接求解波动方程获得传输系数T、反射系数R以及散射参数S.利用R-T曲线可直观地判定频率禁带,而采用分贝表示的S21参数则更方便评价噪声隔离度.根据介质型EBG的周期数、介电常数和周期长度等参数对噪声隔离性能影响的仿真结果,针对少周期、不完全禁带EBG结构提出了先采用多周期EBG结构预测禁带,再通过调整介电常数和周期长度扩展禁带和增强噪声隔离度的两阶段设计方法.采用3D全波电磁仿真验证了1D有限元算法的合理性.展开更多
文摘随着IC芯片的供电电源趋向低电压以及大电流,基于2.5D硅通孔技术(Through-Silicon-Via,TSV)、倒扣焊、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics,HTCC)、3D堆叠等的微系统模块的电源分配系统(Power De‐livery Network,PDN)的设计越来越重要。芯片电流经过PDN互连产生输出噪声,这些互连必须提供一个较优低阻抗的信号返回路径,保持芯片焊盘间恒定的供电电压且维持在一个很小的容差范围内,通常在5%以内。基于芯片封装系统(Chip Package System,CPS),结合TSV硅基板、HTCC管壳、PCB三级协同对微系统模块PDN提出设计及优化方法,从直流设计、交流阻抗设计分别进行阐述,并运用芯片电源模型(Chip Power Model,CPM),结合时域分析实现了电源纹波PDN低阻抗设计。
文摘为了实现LTE系统提出的"永远在线"的目的,开机附着(ATTACH)过程中必须伴随分组数据网(Packet Data Net-work,PDN)的连接建立过程,其实质就是默认承载建立过程。对LTE协议栈非接入层总体架构进行介绍;对ATTACH过程中PDN连接过程进行研究,提出了一种PDN连接建立的设计方法,该设计方法避免了资源浪费,实现了LTE终端在开机过程和出现异常时EMM模块和ESM模块间交互流程的统一。并用规范描述语言(Specification and Description Language,SDL)/树表结合表示法(Tree and Tabular Combined Notation,TTCN)对PDN连接建立过程设计进行了测试仿真,结果显示此设计完全符合LTE标准。
文摘提出了一种分析多层印刷电路板电源分配网络(power distribution network,PDN)中一维(1D)介质型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)结构噪声隔离性能的1D有限元数值计算方法.将1D介质型EBG的3D结构简化为1D有限元模型,通过直接求解波动方程获得传输系数T、反射系数R以及散射参数S.利用R-T曲线可直观地判定频率禁带,而采用分贝表示的S21参数则更方便评价噪声隔离度.根据介质型EBG的周期数、介电常数和周期长度等参数对噪声隔离性能影响的仿真结果,针对少周期、不完全禁带EBG结构提出了先采用多周期EBG结构预测禁带,再通过调整介电常数和周期长度扩展禁带和增强噪声隔离度的两阶段设计方法.采用3D全波电磁仿真验证了1D有限元算法的合理性.