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基于PIC-MCC实现空气介质阻挡放电过程的数值模拟
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作者 赵晓宁 赵来军 +2 位作者 孟声辉 余诚诚 孙岩洲 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期361-368,共8页
在大气压介质阻挡放电的实际应用中,空气介质阻挡放电具有极其广泛的工业化应用前景。目前,空气均匀放电的获得仍比较困难,且诊断均匀性的依据缺乏可信的依据。文章采用粒子云网格法(Particle in Cell,PIC)与蒙特卡罗碰撞(Monte Carlo C... 在大气压介质阻挡放电的实际应用中,空气介质阻挡放电具有极其广泛的工业化应用前景。目前,空气均匀放电的获得仍比较困难,且诊断均匀性的依据缺乏可信的依据。文章采用粒子云网格法(Particle in Cell,PIC)与蒙特卡罗碰撞(Monte Carlo Collision,MCC)方法模拟了放电过程中粒子的运动情况,研究大气压下空气介质阻挡放电的发展过程,然后讨论介质厚度、电源频率对形成均匀放电的影响,并研究这两种因素对等离子体密度的影响。模拟结果表明:介质厚度在d≥1.5 mm时可获得没有放电细丝的电流波形;电源频率高于2.5 kHz时,放电细丝是难以避免的。在能够形成均匀放电的条件下,将介质厚度适当的调整在1.5 mm附近,提高电源频率,将产生更高的等离子体密度。 展开更多
关键词 介质阻挡放电 pic-mcc 空气放电
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基于PIC/MCC/DSMC方法霍尔推力器热分析 被引量:9
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作者 严立 王平阳 欧阳华 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期953-960,共8页
以提高霍尔推力器性能和使用寿命为目的对霍尔推力器进行了热分析。建立了等离子体在通道陶瓷壁面和阳极的能量沉积计算模型,并将模型耦合到PIC/MCC/DSMC流场计算程序中,计算加速通道壁面上的能量沉积分布。将计算得到的壁面能量沉积作... 以提高霍尔推力器性能和使用寿命为目的对霍尔推力器进行了热分析。建立了等离子体在通道陶瓷壁面和阳极的能量沉积计算模型,并将模型耦合到PIC/MCC/DSMC流场计算程序中,计算加速通道壁面上的能量沉积分布。将计算得到的壁面能量沉积作为霍尔推力器温度计算的热流边界条件,考虑结构间的热传导与热辐射,计算温度分布。为了考察壁面的热流分布方式不同对温度场的影响,在总热流相同的情况下,将通道热流假定为线性分布与平均分布,计算霍尔推力器的温度分布。结果表明,壁面能量沉积占总功率的20.4%,陶瓷壁面能量沉积沿轴向位置先增大后减小,最大值在电离区。阳极的能量沉积,沿径向在中间位置达到最大,两端靠近壁面处较小。三种热流边界条件下的温度结果表明,三者最高温度都为700K左右,但高温位置不同,PIC热流边界条件下,最高温在电离区,而线性与平均热流边界条件下,高温区分别在出口区与近阳极区。通过与实验结果比较表明,PIC计算热流边界条件下高温区温度与测量者吻合更好,误差小于0.8%。 展开更多
关键词 霍尔推力器 pic/mcc/DSMC 热分析
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复合绝缘子表面电荷动态积聚过程的PIC/MCC模拟 被引量:5
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作者 汪沨 李卓 +1 位作者 张盈利 何荣涛 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2750-2756,共7页
局部放电是绝缘子表面电荷的主要来源。为了研究局部放电的复合绝缘子表面电荷的动态积聚过程,采用粒子网格法(PIC法)与Monte Carlo碰撞模型(MCC模型)相结合的方法(PIC/MCC法)跟踪了带电粒子运动轨迹,同时充分考虑了电子与气体分子之间... 局部放电是绝缘子表面电荷的主要来源。为了研究局部放电的复合绝缘子表面电荷的动态积聚过程,采用粒子网格法(PIC法)与Monte Carlo碰撞模型(MCC模型)相结合的方法(PIC/MCC法)跟踪了带电粒子运动轨迹,同时充分考虑了电子与气体分子之间的各种碰撞过程以及带电粒子空间分布对绝缘子电场的影响。计算结果表明:电子在电场作用下将运动到复合绝缘子阴极侧伞裙表面以及护套表面从而形成电荷积聚,伞裙表面电荷积聚量沿半径即径线方向先增加后减少,护套表面电荷积聚量则呈现出阴极侧较多的特点。比较计算结果与实验结果,其一致性较好,表明PIC/MCC法适用于模拟复合绝缘子表面电荷的动态积聚过程。 展开更多
关键词 粒子网格法 MONTE Carlo碰撞模型 pic/mcc 表面电荷 局部放电 积聚 复合绝缘子
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SF_6/N_2混合气体放电过程的PIC/MCC仿真模拟 被引量:2
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作者 李卓 潘翔 +3 位作者 郑蓓 乔向阳 黄堃 李思焱 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期164-170,共7页
为了研究SF_6/N_2混合气体中圆柱形绝缘子的放电过程,采用粒子网格法(PIC法)与蒙特卡罗碰撞模型(MCC模型)相结合的方法 (PIC/MCC法)仿真模拟了放电过程中带电粒子的运动轨迹,同时充分考虑了电子与SF_6分子及N_2分子的各种电离碰撞过程... 为了研究SF_6/N_2混合气体中圆柱形绝缘子的放电过程,采用粒子网格法(PIC法)与蒙特卡罗碰撞模型(MCC模型)相结合的方法 (PIC/MCC法)仿真模拟了放电过程中带电粒子的运动轨迹,同时充分考虑了电子与SF_6分子及N_2分子的各种电离碰撞过程以及复合过程。仿真结果表明:放电过程中,电子主要与SF_6分子发生电离碰撞过程以及复合过程。放电过程初始阶段,空间电子数呈现出上下波动的规律,当t≥20 ns时,空间电子数将迅速减少直至完全复合。此外,在整个放电过程中,正离子分布范围始终大于负离子分布范围。PIC/MCC仿真模拟从纯微观角度展现了SF_6/N_2混合气体放电过程,对研究SF_6/N_2混合气体放电过程具有重要意义。 展开更多
关键词 粒子网格法 MONTE Carlo碰撞模型 pic/mcc 气体放电 绝缘子
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金属目标表面气体放电单元放电过程的PIC-MCC模拟 被引量:2
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作者 屈马林 王甲富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2087-2090,共4页
对目标表面的浮地导体边界的存在及其对单元气体放电过程所产生的影响进行了研究,针对导体边界条件,应用高斯定理和电荷守恒定律推导出这种边界条件的数值处理方法,得到了有界等离子体空间电势的数值分布。电场的数值计算表明,浮地导体... 对目标表面的浮地导体边界的存在及其对单元气体放电过程所产生的影响进行了研究,针对导体边界条件,应用高斯定理和电荷守恒定律推导出这种边界条件的数值处理方法,得到了有界等离子体空间电势的数值分布。电场的数值计算表明,浮地导体的电势随着内部场的变化而变化,其大小介于两个电极的电势之间,对放电区域的电场分布产生较大的影响。对金属目标表面放电单元的放电过程的PIC-MCC模拟结果表明,浮地导体的存在能够改变放电空间的电场结构,形成不均匀场,有利于气体的电离和等离子体区域的形成,同时将使虚阳极所形成的电势平台在边界附近下陷,导致等离子体壳层的厚度变小。 展开更多
关键词 浮地导体边界 pic-mcc模拟 气体放电 金属目标表面 等离子体
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基于Matlab的二维PIC/MCC模型的实现 被引量:2
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作者 王俊杰 郑锦华 +2 位作者 魏新煦 吴双 许璐 《电气技术》 2017年第3期84-88,93,共6页
为了实现限定条件下气体放电的二维模拟,基于Matlab通过编程手段开发模拟程序,并用此模拟程序对直流低压条件下氩气的放电过程进行验证。对电子速度进行麦克斯韦初始化,并进行结果验证。提取50个时间步长内的电子数变化趋势,验证了氩气... 为了实现限定条件下气体放电的二维模拟,基于Matlab通过编程手段开发模拟程序,并用此模拟程序对直流低压条件下氩气的放电过程进行验证。对电子速度进行麦克斯韦初始化,并进行结果验证。提取50个时间步长内的电子数变化趋势,验证了氩气放电过程中电子崩的发生;并且通过100个时间步长结束时的电子位置分布,可以观察到阳极鞘层的产生;根据解泊松方程至200步和300步结果的对比研究,验证在本文的模拟条件下200步解泊松方程是足够的;对电子速度均方根处理,得到温度分布示意图,验证了直流氩气放电时阳极板附近温度高的实验现象。至此,基于Matlab开发的二维粒子/蒙特卡洛碰撞的耦合(PIC/MCC)程序,能够进行气体放电模拟。 展开更多
关键词 MATLAB pic/mcc 直流放电 数学模型 麦克斯韦分布
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基于PIC-MCC方法真空直流断路器弧后金属蒸气击穿过程分析 被引量:6
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作者 赵雨 杨飞 +3 位作者 孙昊 吴翊 纽春萍 荣命哲 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期2141-2148,共8页
真空直流断路器弧后介质恢复过程是决定其开断是否成功的重要物理过程,因而受到研究者的广泛关注。该文的主要目标是采用粒子模拟的方法研究真空断路器弧后金属蒸气击穿阶段的发展过程及影响因素,并基于粒子云网格(Particle in Cell)和... 真空直流断路器弧后介质恢复过程是决定其开断是否成功的重要物理过程,因而受到研究者的广泛关注。该文的主要目标是采用粒子模拟的方法研究真空断路器弧后金属蒸气击穿阶段的发展过程及影响因素,并基于粒子云网格(Particle in Cell)和蒙特卡罗碰撞(Monte Carlo Collision)相结合的PIC-MCC方法,建立弧后金属蒸气击穿模型,对金属蒸气击穿的发展过程进行空间2维速度3维的仿真模拟,然后讨论触头表面温度、金属蒸气密度、触头开距、电压等重要因素对击穿的影响。模拟结果表明:在一定范围内,增大金属蒸气的密度,击穿发生的更迅速;触头温度越高,击穿更容易发生;暂态恢复电压峰值越高,击穿发生更快。另外,当场强不变时,对于较小开距,击穿反而不太容易发生,当开距较大时,击穿发生的时间几乎不受开距的影响。 展开更多
关键词 直流开断 真空直流断路器 介质恢复 金属蒸气击穿 pic-mcc
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基于PIC-MCC模型的真空开关弧后鞘层仿真研究 被引量:3
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作者 李旭彬 冷爽 +3 位作者 黄智慧 刘芮彤 邹积岩 廖敏夫 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1033-1038,共6页
真空开关的零区鞘层仿真研究对于深入了解其弧后介质恢复过程具有重要意义。本文采用PIC-MCC模型,研究小电流开断情况下的真空开关弧后鞘层发展过程。通过仿真得到了鞘层发展阶段的粒子空间分布、密度分布和电势分布等微观参数。采用对... 真空开关的零区鞘层仿真研究对于深入了解其弧后介质恢复过程具有重要意义。本文采用PIC-MCC模型,研究小电流开断情况下的真空开关弧后鞘层发展过程。通过仿真得到了鞘层发展阶段的粒子空间分布、密度分布和电势分布等微观参数。采用对照分析法,研究不同初始等离子体密度、原子密度和暂态恢复电压(TRV)上升率等对鞘层发展的影响,结果表明:在其他参数设置保持不变的情况下,初始等离子体密度越大,鞘层发展越慢;初始原子数密度越大,鞘层发展越慢;TRV斜率越大,鞘层发展越快。 展开更多
关键词 真空开关 鞘层 pic-mcc 介质恢复过程
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偏压对射频空心阴极放电特性影响的PIC/MCC模拟研究 被引量:2
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作者 贺柳良 欧阳吉庭 +1 位作者 黄伟 马黎君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1075-1079,共5页
采用粒子网格(PIC)法与Monte Carlo碰撞(MCC)模型相结合的方法(PIC/MCC法),研究了在射频空心阴极放电系统中,负直流偏压(-10~-50 V)对放电特性的影响。通过模拟获得了在不同的外加负直流偏压下,空心电极孔内的电子密度、径向电场、轴... 采用粒子网格(PIC)法与Monte Carlo碰撞(MCC)模型相结合的方法(PIC/MCC法),研究了在射频空心阴极放电系统中,负直流偏压(-10~-50 V)对放电特性的影响。通过模拟获得了在不同的外加负直流偏压下,空心电极孔内的电子密度、径向电场、轴向电场等参数的变化。计算结果表明,随着偏压从-10增加到-50 V,阴极孔内电子密度和径向、轴向电场逐渐增大;加偏压的孔内电子密度和径向、轴向电场比不加偏压的更大。从放电早期到达到稳定放电的过程中,电子逐渐从接地阳极附近移入空心电极孔内,孔内电子密度和径向、轴向电场随时间增长而增大;在同一时刻,放电系统施加偏压的孔内电子密度和径向、轴向电场比不加偏压的更大。达到稳定放电后,孔内电子密度和径向、轴向电场等不再发生变化。 展开更多
关键词 射频放电 空心阴极放电 直流负偏压 pic/mcc模拟
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PIC/MCC Simulation of Radio Frequency Hollow Cathode Discharge in Nitrogen 被引量:1
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作者 韩卿 王敬 张连珠 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期72-78,共7页
A two-dimensional PIC/MCC model is developed to simulate the nitrogen radio frequency hollow cathode discharge(rf-HCD).It is found that both the sheath oscillation heating and the secondary electron heating together... A two-dimensional PIC/MCC model is developed to simulate the nitrogen radio frequency hollow cathode discharge(rf-HCD).It is found that both the sheath oscillation heating and the secondary electron heating together play a role to maintain the rf-HCD under the simulated conditions.The mean energy of ions(N+_2,N+)in the negative glow region is greater than the thermal kinetic energy of the molecular gas(N2),which is an important characteristic of rf-HCD.During the negative portion of the hollow electrode voltage cycle,electrons mainly follow pendulum movement and produce a large number of ionization collisions in the plasma region.During the positive voltage of the rf cycle,the axial electric field becomes stronger and its direction is pointing to the anode(substrate),therefore the ions move toward the anode(substrate)via the axial electric field acceleration.Compared with dc-HCD,rf-HCD is more suitable for serving as a plasma jet nozzle at low pressure. 展开更多
关键词 rf hollow cathode discharge pic/mcc simulation N_2 plasma
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PIC/MCC Simulation of Glow Discharge Plasma in Four-Anode Device
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作者 袁忠才 时家明 许波 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第1期62-66,共5页
Numerical simulations by the code of Object-Oriented PIC (Particle-in-Cell) and the Monte Carlo Collision (MCC) method were carried out in order to obtain an insight into the characteristics of plasmas generated b... Numerical simulations by the code of Object-Oriented PIC (Particle-in-Cell) and the Monte Carlo Collision (MCC) method were carried out in order to obtain an insight into the characteristics of plasmas generated by glow discharges in low pressure helium in a four-anode DC glow discharge device. The results show that, the pressure, the external mirror magnetic field, and the virtual breadth of the annular electrode affect the radial distribution of the plasma density and temperature. The simulations are instructive for further experiments. 展开更多
关键词 numerical simulation four-anode device pic mcc
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直流氩气辉光放电的PIC/MCC模拟分析
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作者 石峰 王昊 朱红伟 《真空与低温》 2018年第3期188-192,共5页
辉光放电在微电子工业中的应用越来越广泛。为了研究直流辉光放电稳态等离子体的特性,采用粒子网格方法(PIC法)与Monte Carlo碰撞模型(MCC方法)相结合的方法(PIC/MCC方法)跟踪了带电粒子的运动过程,同时充分考虑了电子与中性粒子的弹性... 辉光放电在微电子工业中的应用越来越广泛。为了研究直流辉光放电稳态等离子体的特性,采用粒子网格方法(PIC法)与Monte Carlo碰撞模型(MCC方法)相结合的方法(PIC/MCC方法)跟踪了带电粒子的运动过程,同时充分考虑了电子与中性粒子的弹性、电离碰撞,离子与中性粒子的弹性和电荷交换碰撞,模拟结果得到了直流辉光电离过程达到稳态后的电子离子的相空间分布,得到了放电过程中带电粒子的速度、能量的空间变化,同时对粒子进行统计平均,得到了空间中的电势和电场强度分布,模拟结果与实验和理论相符,对实验有一定的指导意义。 展开更多
关键词 粒子网格法 mcc碰撞模型 pic/mcc 直流辉光放电
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磁场对电子回旋共振中和器等离子体与电子引出影响的数值模拟
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作者 罗凌峰 杨涓 +2 位作者 耿海 吴先明 牟浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期181-189,共9页
10 cm电子回旋共振离子推力器(ECRIT)的ECR中和器是关键部件,其内部磁场是影响中和器性能的重要因素.磁场的均匀性和磁阱位置是磁场特征的重要表现,制约等离子体与电势的分布规律、电子引出过程及中和器性能.本文分别建立磁场均匀性低... 10 cm电子回旋共振离子推力器(ECRIT)的ECR中和器是关键部件,其内部磁场是影响中和器性能的重要因素.磁场的均匀性和磁阱位置是磁场特征的重要表现,制约等离子体与电势的分布规律、电子引出过程及中和器性能.本文分别建立磁场均匀性低、磁阱位于电子引出孔上游和磁场均匀性高、磁阱位于电子引出孔下游的ECR中和器PIC/MCC模型,在给定参数条件下,开展等离子体和电势分布规律及电子引出过程的数值模拟研究并分析其对中和器性能的影响.结果表明,磁场均匀性高、磁阱位于电子引出孔下游时,中和器内整体电势分布较均匀,电子容易朝磁阱区迁移,低引出电势引出高电子束流,其性能高于磁场均匀性低、磁阱内置的中和器.研究工作将为发展高性能的ECR中和器奠定重要基础. 展开更多
关键词 电子回旋共振中和器 pic/mcc模拟 电子引出
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脉冲等离子体推力器放电电离二维PIC建模与仿真
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作者 刘祺 杨磊 +2 位作者 黄玉平 郑再平 赵絮 《空间控制技术与应用》 CSCD 北大核心 2018年第2期67-72,共6页
针对脉冲等离子体推力器(PPT)的放电过程,利用粒子网格-蒙特卡洛(PIC-MCC)方法建立仿真计算模型.以LES-6 PPT为例,加入电离碰撞进行电离仿真.通过粒子运动碰撞与电磁场耦合仿真计算得到电流与电路总电阻的变化规律,揭示了PPT放电过程中... 针对脉冲等离子体推力器(PPT)的放电过程,利用粒子网格-蒙特卡洛(PIC-MCC)方法建立仿真计算模型.以LES-6 PPT为例,加入电离碰撞进行电离仿真.通过粒子运动碰撞与电磁场耦合仿真计算得到电流与电路总电阻的变化规律,揭示了PPT放电过程中等离子体密度分布情况.通过对比不加入粒子预分布与加入粒子预分布的两种条件下的计算结果,得到了加入粒子预分布使带电粒子密度计算结果更接近实验结果的结论.根据PPT的工作过程,在放电之前推力器内存在等离子体,所以在仿真研究中应进行粒子的预分布.文中的研究方法对PPT的粒子方法模拟具有一定的参考意义. 展开更多
关键词 脉冲等离子体推力器 pic-mcc方法 烧蚀 电离过程
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不同频率驱动下容性耦合Ar等离子体随气压变化的放电特性
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作者 袁强华 刘珊珊 +1 位作者 殷桂琴 秦彪 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期482-488,共7页
讨论了在驱动频率分别为13.56MHz、40.68MHz、94.92MHz和100MHz,功率为40W,气压由3.3~26.6Pa下的容性耦合Ar等离子体的放电特性。利用光谱相对强度法分别诊断了电子激发温度和电子密度。采用粒子模拟和蒙特卡罗碰撞模型(PIC/MCC),模拟... 讨论了在驱动频率分别为13.56MHz、40.68MHz、94.92MHz和100MHz,功率为40W,气压由3.3~26.6Pa下的容性耦合Ar等离子体的放电特性。利用光谱相对强度法分别诊断了电子激发温度和电子密度。采用粒子模拟和蒙特卡罗碰撞模型(PIC/MCC),模拟了上述实验条件下中心处电子密度和电子能量概率分布(EEPF)。结果表明,在每一个驱动频率下,电子密度均随放电气压的增加而增加,而电子温度则随气压增加而降低。驱动频率为13.56MHz和40.68MHz的电子密度随气压变化趋势几乎一致,而94.92MHz和100MHz的电子温度则随气压变化趋势几乎一致。通过比较EEPF,电子温度随气压的增加有下降的趋势,与光谱诊断结果基本吻合。 展开更多
关键词 容性耦合氩等离子体 发射光谱法 粒子模拟和蒙特卡罗碰撞模型
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阴极曲率半径对微米尺度气隙击穿的影响规律研究 被引量:2
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作者 常泽洲 孟国栋 +1 位作者 应琪 成永红 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1032-1041,共10页
微米尺度气隙击穿特性研究对微结构绝缘性能评价和微放电等离子体应用具有重要意义。该文建立了微米气隙击穿的二维物理模型,利用粒子模拟/蒙特卡洛碰撞(PIC/MCC)方法开展微米气隙击穿过程中电场分布及带电粒子的仿真研究,得到阴极的曲... 微米尺度气隙击穿特性研究对微结构绝缘性能评价和微放电等离子体应用具有重要意义。该文建立了微米气隙击穿的二维物理模型,利用粒子模拟/蒙特卡洛碰撞(PIC/MCC)方法开展微米气隙击穿过程中电场分布及带电粒子的仿真研究,得到阴极的曲率半径对于微米气隙电场分布、带电粒子分布以及击穿路径的影响规律,并结合实验结果对仿真结果进行了验证,最后讨论分析极不均匀场下微米空气气隙击穿物理过程。结果表明,阴极曲率半径R_(0)对微米尺度击穿特性的影响规律主要分为两个阶段:当R_(0)<5μm时曲率半径的变化对电场畸变的影响较大,进而导致击穿电压变化较大;当R_(0)>5μm时R_(0)对电场畸变的影响逐渐变小,对击穿电压影响减弱。当间隙距离d为5μm时阴极场发射电流占总电流的95%以上,证明了场致电子发射成为击穿的主导机制。同时,阴极表面的放电区域面积随曲率半径的增加而增大,进而导致击穿电流增大。研究结果有助于进一步分析和理解微米尺度击穿过程的影响因素及其微观作用机制。 展开更多
关键词 微米间隙击穿 粒子模拟/蒙特卡洛碰撞 阴极曲率半径 场致发射 数值仿真
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外施横磁下真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程仿真研究
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作者 张冉 管臣 +3 位作者 马飞越 陈磊 姚晓飞 穆圣泉 《宁夏电力》 2023年第5期25-31,共7页
从微观的角度分析外施横向磁场下直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程。首先,建立了可以描述直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程的粒子模拟-蒙特卡洛碰撞仿真模型,确定了弧后金属蒸汽击穿判据;其次对比了不同横向磁场强度下弧后金属蒸... 从微观的角度分析外施横向磁场下直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程。首先,建立了可以描述直流真空断路器弧后金属蒸汽击穿过程的粒子模拟-蒙特卡洛碰撞仿真模型,确定了弧后金属蒸汽击穿判据;其次对比了不同横向磁场强度下弧后金属蒸汽击穿的发展过程,分析外施横磁强度对弧后金属蒸汽击穿的作用;最后,分析了外施横向磁场强度对弧后金属蒸汽击穿时刻的影响。研究结果表明:场致发射提供了金属蒸汽击穿的初始电子,是诱发金属蒸汽击穿的“种子”,电子崩的出现意味着金属蒸汽击穿的发生;横向磁场会降低真空间隙内的电子数和铜离子数,这是因为间隙内的电子和铜离子会在横磁的作用下横向扩散;横向磁场越大,金属蒸汽击穿速度越慢,当外施磁场由0 mT增加至2000 mT时,击穿时刻由1.913×10^(-7)s增加至2.72×10^(-7)s。本文的研究结果有助于理解外施横磁下直流真空开断的弧后金属蒸汽击穿过程,可为低压直流真空断路器的开发提供理论依据。 展开更多
关键词 横向磁场 直流开断 真空断路器 粒子模拟-蒙特卡洛碰撞 金属蒸汽击穿
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三电极气体火花开关触发过程中的等离子体行为特性 被引量:11
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作者 徐翱 杨林 +3 位作者 钟伟 刘云龙 尚绍环 金大志 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1922-1929,共8页
三电极气体火花开关放电导通时的触发过程对其性能有着重要影响,而实验中发现某些三电极气体火花开关在触发过程中可能存在触发极与阴极和阳极几乎同时导通的问题,为了解释这种现象,利用PIC-MCC(网格粒子法耦合蒙特卡罗碰撞)程序建立... 三电极气体火花开关放电导通时的触发过程对其性能有着重要影响,而实验中发现某些三电极气体火花开关在触发过程中可能存在触发极与阴极和阳极几乎同时导通的问题,为了解释这种现象,利用PIC-MCC(网格粒子法耦合蒙特卡罗碰撞)程序建立了对应的三电极气体火花开关触发过程仿真模型,获得了电子、离子在触发过程中的时空分布演化特性及电场分布特性,阐明了触发过程中触发极与阴极、触发极与阳极形成等离子体通道的物理机理,分析了电场分布和绝缘体表面电荷累积效应等对触发过程中等离子体通道形成的影响,揭示了绝缘体表面二次电子发射等是导致触发极与阴极、触发极与阳极几乎同时形成等离子体通道的关键因素。这些都为进一步深入研究三电极气体火花开关,提高其工作性能奠定了坚实的基础。 展开更多
关键词 气体火花开关 触发过程:等离子体 网格粒子法耦合蒙特卡罗碰撞 时空分布
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LIPS-200离子推力器放电室原初电子动力学行为的数值模拟研究 被引量:10
19
作者 陈娟娟 张天平 +2 位作者 刘明正 贾艳辉 孙安邦 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期155-160,共6页
为了得到试验测量不到的气体放电过程中电磁场作用下单个原初电子的动力学行为,建立了LIPS-200离子推力器放电室二维仿真模型,应用网格粒子法(PIC)和蒙特卡洛碰撞(MCC)模拟法对其进行了研究。模拟得到在额定工况下原初电子和中性... 为了得到试验测量不到的气体放电过程中电磁场作用下单个原初电子的动力学行为,建立了LIPS-200离子推力器放电室二维仿真模型,应用网格粒子法(PIC)和蒙特卡洛碰撞(MCC)模拟法对其进行了研究。模拟得到在额定工况下原初电子和中性原子之间的碰撞概率、原初电子损耗率、电磁场分布对其运动速度及运动轨迹的影响等。结果表明磁铁表面磁感强度最大,越靠近放电室内部磁感强度越小,对称轴区域无磁场分布,原初电子在电磁场作用下沿磁力线作加速螺旋运动;运动等离子体的自洽电势大小范围仅为0~2.0V,几乎不会影响等离子体运动;对应总原初电子个数为1.2×106时直接被阳极表面吸收的损耗率仅为0.02%。 展开更多
关键词 LIPS-200 离子推力器 放电室 原初电子 pic/mcc数值模拟
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磁拓扑结构对环型离子推力器放电性能的影响 被引量:5
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作者 陈娟娟 张天平 +4 位作者 刘明正 王彦龙 杨浩 李兴达 杨乐 《中国空间科学技术》 EI CSCD 北大核心 2018年第5期46-54,共9页
为得到环型离子推力器最佳磁拓扑结构以有效提高推力器放电效率、降低放电损耗,对不同类型磁拓扑结构下的放电通道气体放电过程进行研究。采用PIC-MCC数值计算方法对等离子体产生及运输过程进行数值模拟,分析磁场分布对等离子体密度分... 为得到环型离子推力器最佳磁拓扑结构以有效提高推力器放电效率、降低放电损耗,对不同类型磁拓扑结构下的放电通道气体放电过程进行研究。采用PIC-MCC数值计算方法对等离子体产生及运输过程进行数值模拟,分析磁场分布对等离子体密度分布、电子损耗率及放电稳定性的影响,结合统计结果,得到推力器放电性能曲线,最后进行试验验证。研究结果表明,相较多极场结构,环尖场磁构型能更好地约束电子运动,大幅降低其在阳极壁面损耗率,增加电子与中性原子碰撞概率,显著提高放电效率、降低放电损耗。 展开更多
关键词 环型离子推力器 磁结构 pic/mcc
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