基于社会属性的PSN消息路由算法

在PSN(pocket switched network)中实现数据传输成功率与传输延迟的有效平衡是当前有待解决的问题。提出一种基于社会属性的PSN路由算法——Bridging Com算法,该算法使用带有衰退机制的局部社区识别方法,引入桥接中心度(bridging centrality)作为中继节点的选择依据,将社会网络中节点重要性与移动社会网络的特征相结合,考虑了节点社区关系和节点活跃度对路由算法的影响。实验表明,该算法与现有经典算法相比能够获得较高的传输效率和较低的传输延迟。

铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究

用传统固相合成方法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3+、Cr5+存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好.

五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究

对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。

PSN-PZT系统压电陶瓷智能材料的性能与改进研究

研究了 PSN- PZT系统中的组成对压电性能的影响及其作用机理 .通过对 PSN- PZT系统 Zr/ Ti比值的调整 ,使系统点处于准同型相界附近时性能可以得到优化 ,这一点从微观结构分析得到验证 .通过对系统进行 A位和 B位掺杂取代来提高其性能 ,获得了性能优异的压电陶瓷材料 ,其机电耦合系数 Kp 高达 0 .70 .

烧结工艺对PSN-PZN-PMS-PZT瓷性能的影响

采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响。结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料。其主要参数:r为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tg为0.30?02。

低温共烧PSN-PZT压电陶瓷的研究

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响。结果表明:PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04。B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度,在Nb缺位量为10%时,可使材料的烧结温度降低到(1 110±20)℃,同时保持优异的压电性能:居里温度TC=339℃,压电常数d33=427 pC/N,介电常数3εT3/0ε=1 750,机电耦合系数kp=0.72,介电损耗tanδ=0.014。

PSN-PZT陶瓷及其在加速度传感器中的应用研究

利用传统固相烧结法制备了0.02Pb(Sb_(0.5)Nb_(0.5))O_3-0.98Pb_(1-2 x)Ba_xSr_x(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3压电陶瓷(其中x=0.02,0.03,0.04,0.05).讨论了不同Ba、Sr复合掺杂量及烧结温度对陶瓷结构和电性能的影响.结果显示,当x=0.04,烧结温度为1 260℃时,压电陶瓷的性能最佳,其中d_(33)=615 p C/N,ε_(33)/ε_0=2 224,tanδ=2.11%;然后把这个配方的陶瓷片安装到传感器中,测试其电荷灵敏度、最大横向灵敏度比和最大线性误差,电荷灵敏度为2.72 p C/(m·s^(-2)),最大横向灵敏度比小于5%,最大线性误差为2.97%,符合通用振动测试类型传感器使用要求.

基于系统PSN曲线的齿轮箱疲劳可靠度评估

蒙特卡罗方法可以准确评估复杂机械系统疲劳共因失效概率,但效率偏低,因此提出系统PSN曲线的概念和基于此概念的系统可靠度蒙特卡罗评估方法。在给定的恒幅载荷下,基于同一零件的疲劳寿命在不同应力水平下的概率分位点具有一致性的原则,对系统中零件PSN曲线进行随机抽取;根据线性累积损伤法则和相应的系统可靠度模型,得到齿轮传动的恒幅载荷下的疲劳寿命分布,拟合恒幅载荷与寿命分布之间的关系得到系统PSN曲线。将系统视为一个零件,完成"零件"—"系统"—"零件"的寿命分析过程。通过损伤等效原则,将随机载荷下的复杂串联系统可靠度评估问题转化为恒幅载荷下零件的可靠度评估问题。

Ba^(2+)取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响

研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品的密度降低,εr(2863)和d33(507pC·N–1)显著提高,居里点向室温移动。

用于深油井超声探测换能器的PT－PSN系压电陶瓷

如果在ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）粉末中添加适量的Ｐｂ（Ｓｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＳＮ）粉末，可以制成高温ＰＴ－ＰＳＮ系陶瓷，并可以把此种陶瓷用于制作深油井超声探测换能器。本文主要报导ＰＴ－ＰＳＮ系压电陶瓷的制备工艺、性能参数和试验结果。

PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究

通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况，发现介电常数表现出明显的频率色散性，相变为弥散相变，但Ｔｍ随频率变化不大。ＰＳＬＮ四元系的Ｔｍ较三元系ＰＳＮ低。

新显色剂偶氮溴膦-PSN直接光度法测定离子吸附型稀土矿中稀土总量

新显色剂偶氮溴膦-PSN能在较强的酸性介质中与稀土元素形成稳定的蓝紫色络合物,最大吸收峰在667nm处,显色酸度范围宽,抗干扰能力强,其中允许钍存在5μg/25ml。本文拟定了直接光度法测定离子型稀土矿中稀土总量,方法简便快速,结果准确。

BCG-PSN治疗病毒性皮肤病的疗效及对炎症因子的影响

目的分析卡介菌多糖核酸(BCG-PSN)治疗病毒性皮肤病的疗效及对外周血炎症因子水平的影响。方法随机将于医院就诊的78例病毒性皮肤病患者分为观察组和对照组,各39例。两组均给予相同方案的常规治疗,此外,观察组辅以卡介菌多糖核酸治疗。比较两组的临床治疗效果和治疗前后外周血IFN-γ、IL-2、IL-4的变化及不良反应发生率。结果在临床总有效率和痊愈率上,观察组均显著高于对照组(P<0.05)。治疗后,两组的外周血IFN-γ、IL-2水平较治疗前均升高(P<0.05),IL-4水平较治疗前均下降(P<0.05),但观察组的改善幅度均较对照组高(P<0.05)。观察组不良反应发生率为5.13%,对照组为7.69%,两组比较,无统计学差异(P>0.05)。结论卡介菌多糖核酸治疗病毒性皮肤病的疗效显著,能通过改善外周血炎症因子水平而发挥调节患者机体免疫功能的效果,且安全性好,值得临床推广应用。

大功率PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷的研究

采用固相法制备了PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷,系统地研究了PSN组分含量对PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷的相结构、显微形貌及介电性能和压电性能的影响。结果表明:当PSN组分含量为0.02时,1230?C烧结下的陶瓷具有相对优良的综合性能,Q_m=2248,K_p=0.557,d_(33)=226pC/N,tanδ=0.0056。通过调节组分制备出了综合性能优良的PZT-PMS-PSN基础体系,能够满足大功率压电陶瓷变压器材料的使用要求。

PSN-PMN-PT∶Er3+晶体Judd-Ofelt理论分析

为了探索Er^3+在铁电晶体场中的发光特性,采用高温溶液法生长了Er^3+掺杂Pb(Sc 1/2 Nb 1/2)O 3-Pb(Mg 1/3 Nb 2/3)O 3-PbTiO 3弛豫铁电单晶。该晶体在紫外-可见-近红外吸收光谱380~1800 nm波段出现了7个吸收峰;在980 nm泵浦光源照射下,该晶体的发射光谱出现了强绿光和强红光上转换发射带,分别对应于Er 3+的4S 3/2→4I 15/2和4F 9/2→4I 15/2跃迁;利用Judd-Ofelt理论计算了晶体的振子强度三参数(Ω2=2.54×10^-20 cm^2,Ω4=1.36×10^-20 cm^2,Ω6=2.38×10^-20 cm^2)以及Er^3+在PSN-PMN-PT晶体场中的跃迁几率、能级寿命和荧光分支比。研究结果表明PSN-PMN-PT∶Er 3+弛豫铁电晶体是一种新型发光晶体。

PSN-PZT系统收发兼用换能器压电陶瓷材料的性能研究

通过对PSN-PZT系统PSN的含量和Zr/Ti比值的调整,使系统点处于准同型相界附近时性能可以得到优化,这一点从微观结构分析得到验证。通过引入Sr^(2+)、Nb^(5+)和Mn^(2+)等离子,对系统进行A位和B位掺杂取代来提高其性能,获得了性能优异的压电陶瓷材料,其d_(33)·g_(33)最大值可达16030×10^(-15)CVm/N^2,适于用作收发兼用的换能器材料。

用化学共沉淀法粉体制备的铌钪酸铅陶瓷(PSN)的特性

用Nb(OC_2H_5)_5受控水解和在水解形成的 Nb_2O_3颗粒表面生长Sc和Pb的碳酸盐膜层,然后通过焙烧制成PSN超细粉体。将此粉体在不同温度下烧结及随后以不同的方式冷却形成致密的PSN陶瓷。对此PSN铁电陶瓷的介电弛豫特性和结构有序度之间的关系进行了研究。

PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷的研究

采用传统的固相烧结方法制备了Pb（Sn1/3Nb2/3）O3-Pb（Zn1/3Nb2/3）O3-PbZrO3-PbTiO3（PSN-PZN-PZT）四元系压电陶瓷,并通过添加MnO2、Sb2O3和SrCO3、BaCO3以提高材料的性能.通过X射线衍射（XRD）对合成后材料的物相进行了分析,用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品表面的显微结构,并且讨论了Sr质量分数对材料介电、压电性能及温度稳定性的影响.实验结果表明：Sr^2＋部分置换Pb^2＋使得准同型相界向富Zr方移动,降低了居里温度,增大了介电半高宽值;当xSr取值范围0.02~0.04时,经960℃、126 0℃的烧结,系统的综合性能最佳.

PSN上的业务仿真

文章简述了PSN业务仿真的基本原理,重点分析了TDMoIP的QOS和信令处理机制,并提出一些业务仿真 在实际环境中的应用方案。

低温合成PSN微球及其裂解制备Si-C-N空心陶瓷微球

以含乙烯基聚硅氮烷（PSN）为先驱体聚合物,二乙烯基苯（DVB）为交联剂,采用乳液工艺,在低温条件下交联固化合成聚硅氮烷（PSN）微球,并在高温下裂解制得Si-C-N空心陶瓷微球。研究了原料比例、固化时间和裂解条件对PSN微球及Si-C-N空心陶瓷微球形貌、尺寸和形成过程的影响。结果表明,当PSN与DVB的比例为2∶1、固化时间为6 h时,可在80℃下得到表面光滑、尺寸较均匀、直径为600~800 nm的PSN微球;Si-C-N陶瓷微球随着PSN与DVB比例的增加,逐渐显现出空心结构;1000~1200℃裂解后,空心球形成,XRD表明此时产物呈非晶态;裂解温度1400℃时,空心微球表面变得粗糙,生成Si3N4和Si C晶粒。