30V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究

对30V SGT型N-Channel MOSFET进行了两种不同偏置的总剂量辐射实验,随着^(60)Coγ源射线剂量的增加,给出了两种偏置状态下器件实验前后的转移曲线和直流参数变化,揭示了SGT型功率器件随剂量和偏置的变化趋势和机理。研究结果表明,随着总剂量的增加,两种偏置下器件的阈值电压、导通电阻和击穿电压均出现下降的情况。不同之处是OFF态下主要参数发生变化的幅度收窄,下降幅度相对较小。同时,出现了击穿电压先增加后下降的现象,分析认为,在^(60)Coγ源射线的作用下器件沟槽栅极下方的多晶硅屏蔽栅极存在比较厚的氧化层,在低剂量时元胞和终端处的厚氧化层产生总剂量效应,使得SGT型功率器件发生局部场强改变,从而出现该变化。

SGT-MOSFET电场解析模型的建立

屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(SGT-MOSFET)在体内引入了纵向接源电极的屏蔽栅极,可以辅助耗尽漂移区,其耐压原理与沟槽MOSFET(VUMOSFET)不同.本文以110 V左右结构的SGTMOSFET为研究对象,通过数值仿真、理论分析以及解析建模,研究了不同结构的耐压原理以及结构参数与电场强度分布的相关性;建立了与器件各个结构参数相关的电场解析模型,为器件结构设计提供了理论依据;并引入雪崩载流子对小电流下的电场解析模型进行了修正,使得解析结果和仿真结果吻合较好;通过修正后的电场解析模型提取了最优电场下的场氧厚度,使得相应产品的静、动态特性得到明显改善,从而极大地提升了器件的性能.

一种提高SGT MOSFET雪崩耐量的方法

提出了一种提高屏蔽栅沟槽型(Shielded-Gate Trench,SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)雪崩耐量的方法。利用Sentaurus计算机辅助设计软件,通过调整屏蔽栅沟槽型MOSFET元胞区接触孔宽度、深度、注入剂量和注入能量,以降低P型体区电阻,抑制寄生三极管的开启,提高器件雪崩耐量。测试结果表明,优化后的器件雪崩耐量相较基准条件由518.2 mJ提升至583.2 mJ,提升约12.6%。

一种三层EPI结构SGT MOSFET设计

提出了一种三层外延(Epitaxy,EPI)结构的屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SGT MOSFET)设计方案。利用Sentaurus TCAD工具,将单层EPI结构调整为三层EPI结构,通过控制变量法拉偏三层EPI结构的外延层厚度、电阻率等参数,仿真分析其参数变化对SGT MOSFET性能的影响。仿真结果表明,在相同的原胞尺寸条件下,与单层EPI结构SGT MOSFET相比,三层EPI结构SGT MOSFET通过横向电场调制作用降低了纵向电场的峰值,击穿电压提高9.5%,比导通电阻降低15.6%,有效地提高了器件的电学性能。

SGT基因在小鼠深静脉血栓形成中的作用

目的探讨SGT(small glutamine-rich tetratricopeptide repeat-containing protein)在深静脉血栓(deep vein thrombosis,DVT)形成中的作用。方法分别对SGT基因敲除小鼠及野生型对照鼠进行下腔静脉结扎建立DVT模型,观察建模后两种小鼠体内血栓形成情况,测定出血时间、凝血时间、血栓重量及长度。HE染色观察血栓形成的病理形态特点,ELISA法检测血清中可溶性细胞间黏附分子-1(soluble intercellular adhesion molecule-1,sICAM-1)和白细胞介素-6(interleukin 6,IL-6)的表达。结果与野生型对照鼠相比,SGT基因敲除小鼠在建模48 h后,裸血栓重量长度比明显减小,凝血时间和出血时间均显著延长,形成的血栓中纤维蛋白所占比例较小;SGT基因敲除小鼠血清中sICAM-1表达水平显著低于对照鼠,IL-6的表达水平差异无统计学意义。结论 SGT基因敲除能有效抑制DVT的形成,其作用机制可能与血小板功能受影响及细胞间黏附分子表达改变有关。

VHB^(TM) SGT在玻璃幕墙粘接应用中的耐久性能和可靠性能探讨

介绍了玻璃幕墙粘接的应用,从粘接材料的结构组成和耐久性能以及玻璃幕墙系统的可TM靠性等方面进行了重点的阐述,论证了VHB SGT是玻璃幕墙粘接应用的一种可靠的解决方案。

基于太阳导行镜测量的高精度姿态确定算法

先进天基太阳天文台卫星(advanced space-based solar observatory satellite,ASO-S)的主要任务是对日观测,对卫星姿态确定精度提出了较高的要求。为此,提出了一种新的姿态确定算法使用ASO-S科学载荷太阳导行镜(Sun guide telescope,SGT)测量卫星指向与太阳中心的偏差角,以及对光纤陀螺(fiber optic gyro,FOG)和星敏感器(star trackor,STR)测量值进行姿态确定。将卫星本体系姿态四元数矢部和FOG常值零位漂移作为状态变量,STR和SGT观测值作为测量变量,设计扩展卡尔曼滤波器(extended Kalman filter,EKF)。通过数学仿真验证本文所设计姿态确定算法的正确性与稳定性。最后,利用ASO-S在轨遥测数据进行验证,基于SGT测量的姿态确定算法可显著提高卫星非对日方向的姿态角估计精度,可优于0.2″(3σ)。

SGT基因杂合缺失小鼠血液生理生化指标分析

目的分析SGT基因杂合缺失对不同年龄小鼠血液指标和代谢的影响。方法分别采集10周龄、26周龄SGT基因杂合缺失(SGT^(+/-))小鼠和野生型小鼠眼眶血液,用全自动血细胞分析仪和生化分析仪检测常用血液生理指标和生化指标,进行不同年龄和基因型间统计比较。结果与同基因型低龄小鼠对比,高龄小鼠多项血液生理生化指标均发生增龄性改变。与同龄野生型对照相比,10周龄SGT^(+/-)小鼠大血小板比率降低,未结合型胆红素浓度降低(P<0.05),其余指标均未见统计学差异;26周龄SGT^(+/-)小鼠血小板计数、血小板比容和中性粒细胞计数降低,碱性磷酸酶、未结合型胆红素、胆固醇及甘油三酯等指标改变有统计学意义(P<0.05)。结论SGT基因杂合缺失能够诱发高龄小鼠部分血液、血清生化指标的改变。

SGT蛋白在小鼠脑发育过程中的表达(英文)

目的通过研究SGT蛋白在小鼠脑发育过程中的表达来揭示该蛋白在小鼠脑发育阶段中的重要性。方法分别运用定量RT-PCR以及Western blot实验方法来检测小鼠全脑中SGT核酸和蛋白的表达情况。用Westernblot实验方法检测SGT蛋白在海马,皮层,纹状体和小脑中的表达模式;运用免疫组化方法来检测SGT蛋白在小鼠脑分区中的亚细胞定位。结果在小鼠全脑中,SGT的核酸和蛋白水平均表现为出生早期的高表达,到了成年期,表达水平下降。SGT蛋白在海马,皮层,纹状体和小脑中的表达模式和在全脑中的类似。免疫组化结果显示,在出生后14天(P14)的小鼠脑切片中,SGT蛋白在海马的CA区域以及皮层和纹状体都有强的阳性表达。在小脑中,SGT蛋白主要分布在浦肯野细胞层。在同样的检测条件下,SGT蛋白在成年期小鼠的脑切片中没有明显的阳性表达。结论我们的研究首次揭示了SGT蛋白在小鼠脑发育过程中的表达,为进一步揭示SGT在中枢神经系统中的功能提供了一个参考依据。

基于SGTS的机载电子设备TPS设计开发

面向信号通用自动测试平台软件SGTS基于ATML标准和STD标准，通过将TPS测试需求与硬件平台分离，彻底解决了TPS的可移植性问题。以机电管理系统为例，利用无代码TPS开发调试技术，实现了基于SGTS的机栽电子设备TPS的设计与开发，有效解决了TPS的可移植性，缩短了开发周期。该方法已应用于某直升机机载电子设备的地面综合测试诊断设备工程中，对机载电子设备故障诊断发挥了重要的作用。

SGT MOS器件电容特性研究与分析

功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。

SGT MOSFET的研究与进展

介绍了SGT MOSFET的研究历史和结构演进,对SGT MOSFET发展过程中出现的各种新结构的结构特点和电学特性做了简要阐述;简要说明了SGT MOSFET在改善器件反向耐压BV和比导通电阻Rsp以及UIS和BV稳定性方面的研究进展;同时列举了SGT MOSFET的一些最新研究成果和需要解决的问题,以及今后的研究发展重点。

SGT5-4000F型联合循环机组烟温控制浅析

以西门子SGT5-4000F型燃气-蒸汽联合循环发电机组为例,对联合循环的核心设备——燃气轮机的排烟温度控制进行了研究,剖析了燃气轮机排烟温度控制的作用、控制原理,以及影响排烟温度控制的各种因素(包括汽轮机、余热锅炉、燃气轮机自身等影响因素)。在此基础上,为降低环保排放,提出了通过优化排烟温度控制策略来进一步提高机组运行稳定性、经济性和机组最大出力等设想,为同类型机组提供参考。

西门子SGT-200燃气轮机燃烧稳定性问题分析

珠海某LNG工厂使用的西门子SGT-200-2S小型燃气轮机,采用8个环形布置的干式低排放燃烧室,用于驱动天然气制冷流程混合冷剂压缩机。在高负荷状态及生产负荷调整期间,燃气轮机存在燃烧稳定性问题,时常因燃烧室熄火导致停机,给工厂造成了较大经济损失。本文对燃烧室熄火的原因进行了分析,通过调整值班燃烧器燃料比,提高了燃烧稳定性,并通过优化工艺流程操作,减少了生产负荷调整对燃气轮机的不利影响,燃烧不稳定熄火停机问题得到有效改善。

50MW级SGT-800型西门子燃气轮机的性能验证

SGT-800是西门子工业透平公司制造的功率最大的工业燃气轮机。2010年推出SGT-800增强型,其额定功率为50.5 MW。为保证产品的质量,对此增强型燃气轮机进行了细致的实验验证,包括零部件级和整机级的验证工作。零部件级试验主要包括第1级静叶和第1级动叶的热动力学性能的验证工作。整机试验包括测试燃气轮机综合性能、压气机性能与转子动态性能、燃烧室的稳定性/排放/热状态、透平性能及其热状态等。测试结果表明,其性能圆满地达到了预期水平。截止2014年4月,首台增强型燃气轮机商业运行的累计等效运行小时数(EOH)已经超过24 000 h。在20 000等效运行小时数之后计划进行的开机检查结果表明,所有部件的状态均达到或预期达到设计寿命。

西门子SGT-4000F型燃气轮机保护控制系统研究

主要阐述了西门子SGT-4000F型燃气轮机保护控制系统的特点和工作原理,并对其主要的保护功能进行了分析,探究了设备在遭遇故障之后的应对策略,以期能够更好地发挥燃气轮机的保护控制系统的作用价值.

SGT-800和6F.01联合循环机组热力性能分析

针对小容量F级燃气蒸汽联合循环机组朗肯循环效率较低问题,以SGT-800和6F.01联合循环机组为研究对象,对热力性能进行比较和分析。计算表明,SGT-800机组存在最佳主蒸汽压力点。在计算边界条件下其值约为14.5 MPa,此时朗肯循环效率可提升至32.801%。6F.01机组燃气轮机排烟热能品位较高,朗肯循环效率提升潜力更大。将主蒸汽参数由8.086 MPa/565℃提高16.2 MPa/585℃,朗肯循环效率可提升至33.745%。研究成果可为类似容量机组主蒸汽参数优化提供参考。

SGT-MOSFET沟槽底部清洗工艺优化

屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET,缩写SGT-MOSFET)功率器件是一种基于传统沟槽式MOSFET(U-MOSFET)的一种改进型的沟槽式功率MOSFET。相比于传统U-MOSFET功率器件,它的开关速度更快,开关损耗更低,具有更好的器件性能。对于SGTMOSFET功率器件,沟槽底部的形貌对器件性能都有非常重要的影响。当SGT-MOSFET功率器件沟槽底部氧化膜出现空洞时,器件IDSS(漏源短路电流)将增大。SGT-MOSFET功率器件相比传统U-MOSFET功率器件的沟槽深度大大加深了,以往的沟槽清洗干燥工艺,沟槽底部易有水渍残留。水渍会导致底部氧化膜生长异常,产生空洞。调整沟槽清洗干燥工艺,晶圆在清洗干燥过程中,将晶圆脱离去离子水水面的速度降低,即可实现晶圆的充分干燥,摆脱水渍残留。

进气蒸发冷却系统在Siemens SGT-800燃气透平上的应用

通过介绍进气蒸发冷却系统在Siemens SGT-800机组上的运用实例,有力地证明了进气蒸发冷却系统在极端高温环境下,对提高燃气透平效率,增大燃气透平出力,有极其显著的作用。

具有多段分裂栅的屏蔽栅沟槽型MOSFET特性研究

为了能够有效调制屏蔽栅沟槽型(Shielded Gate Trench,SGT)MOSFET器件阻断状态下的电场分布,改善器件的电荷耦合效应,从而提高器件击穿电压(BV)和特征导通电阻(Ron,sp)之间的折衷关系,研究提出了一种具有多段分裂栅的SGT MOSFET结构。该结构是将传统的SGT MOSFET沟槽中的屏蔽栅分裂成三部分,最上层的屏蔽栅接源极,中间和最下层的屏蔽栅为浮空,分别命名为UFG和LFG。新结构器件在阻断状态下可以在n型漂移区引入两个额外的电场峰值,使得电场分布更加均匀。Sentaurus TCAD软件仿真结果显示,在元胞参数相同的条件下,相较传统SGT MOSFET,具有双段浮空栅(DSFSGT)MOSFET的BV和优值(Figure of Merit,FOM)分别提高了37.7%和66.7%,BV达到了173.6 V,FOM达到了177.3 V2/(mΩ·mm^(2));相较单段浮空栅(SFSGT)MOSFET,BV和优值分别提高了10.7%和19.8%。