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β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结光学特性与电学性质研究
1
作者 张杰 邓金祥 +8 位作者 徐智洋 孔乐 段苹 王晓蕾 孟军华 李瑞东 张晓霞 孙旭鹏 杨子淑 《真空》 CAS 2022年第1期33-39,共7页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结,探究... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))是一种宽禁带的半导体材料,超大的禁带宽度(4.9eV)、较高击穿电场强度和高热稳定性,使其成为一种很有应用前景的材料。本文以p型硅纳线阵列(p-SiNWs)为衬底,使用磁控溅射法制备了β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结,探究了其光学与电学性质。与纯Si相比,p-SiNWs表现出优良的“陷光”特性,其反射系数约为纯Si的1/6,且随着p-SiNWs长度的增加,反射系数逐渐降低。室温下光致发光光谱(PL)测试发现,异质结在551nm附近出现典型的绿色发射峰。β-Ga_(2)O_(3)/p-SiNWs异质结具有明显的整流特性,在V=1.40V时其整流系数高达1724,随着p-SiNWs长度增加异质结理想因子逐渐增加,最佳理性因子为1.98。通过计算logI-logV图对其电荷传输机制进行了探究。退火可以提高β-Ga_(2)O_(3)薄膜的结晶度,从而提高异质结的电学特性。 展开更多
关键词 氧化镓 硅纳米线阵列 异质结 光学性质 电学性质
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自分散SiNWs粉体的制备及形貌表征
2
作者 张霞 陈少平 +2 位作者 樊文浩 王彦坤 孟庆森 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期19126-19130,共5页
以Si粉和Ni(NO3)2·6H2O为原料,制备具有包覆结构的Si-Ni粉体,后经共晶生长析出具有自分散特征的硅纳米线(silicon nano wires,SiNWs)粉体。该粉体的成功制备有效解决了传统SiNWs易于缠绕和团聚的难题,使得SiNWs复合功能材料的制备... 以Si粉和Ni(NO3)2·6H2O为原料,制备具有包覆结构的Si-Ni粉体,后经共晶生长析出具有自分散特征的硅纳米线(silicon nano wires,SiNWs)粉体。该粉体的成功制备有效解决了传统SiNWs易于缠绕和团聚的难题,使得SiNWs复合功能材料的制备成为可能。研究结果表明,SiNi摩尔比和Si粒径对镍包硅结构粉体、SiNWs的数量等生长动力学过程有重要的影响。采用粒径为74μm的Si粉获得的SiNWs呈线状,且当共晶反应温度为950℃,保温时间为120min,n(Si)∶n(Ni)=2∶1,获得的SiNWs分布均匀,占总体积的80%。若采用球磨法将Si粉的粒径细化至100nm,则可获得以Si核为中心呈径向不断生长的SiNWs粉体,单根直径约150 nm,长度约1.5μm,具有很好的自分散性。 展开更多
关键词 镍包硅 共晶 自分散 sinws
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基于ZnO/SiNWs异质结阵列的电容式湿度传感器
3
作者 郑小东 于江江 +1 位作者 王志亮 张健 《南通大学学报(自然科学版)》 CAS 2013年第2期1-5,共5页
采用湿法化学刻蚀方法制备硅纳米线(SiNWs),对其进行快速热退火处理,利用水浴法在SiNWs表面生长氧化锌(ZnO)纳米线,制备了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了ZnO/SiNWs异质结的表面形貌和结构... 采用湿法化学刻蚀方法制备硅纳米线(SiNWs),对其进行快速热退火处理,利用水浴法在SiNWs表面生长氧化锌(ZnO)纳米线,制备了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析了ZnO/SiNWs异质结的表面形貌和结构.测试了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器不同湿度环境的电容响应,分析了它的工作机制.测试结果表明:传感器具有相对较大的灵敏度,较短的响应时间,较好的重复性、湿滞特性和稳定性,从而说明ZnO/SiNWs异质结在湿敏领域有很好的应用前景. 展开更多
关键词 ZNO sinws异质结 阵列 化学刻蚀法 水浴法 电容湿度传感器
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基于Pd/SiNWs/p-Si结构的高灵敏常温氢气传感器
4
作者 朱李斯 杨婷 张健 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期81-89,107,共10页
采用无电镀Pd的方法,在硅纳米线上制备了一层Pd.首次制备出了能够在室温下工作的Pd/SiNWs肖特基氢气传感器.SEM(Scanning Electron Microscopy)(扫描电子显微镜)表征结果表明,硅纳米线表面Pd层是由Pd纳米颗粒组成.Pd/SiNWs肖特基二极管... 采用无电镀Pd的方法,在硅纳米线上制备了一层Pd.首次制备出了能够在室温下工作的Pd/SiNWs肖特基氢气传感器.SEM(Scanning Electron Microscopy)(扫描电子显微镜)表征结果表明,硅纳米线表面Pd层是由Pd纳米颗粒组成.Pd/SiNWs肖特基二极管I-V测试结果表明,该传感器可以在室温下进行氢气(H2)浓度的检测,且可检测的浓度范围很大,同时给出了Pd/SiNWs/p-Si肖特基二极管在常温下进行检测H_2的敏感机理.实验表明,这种新型传感器可以在室温下进行H2检测,且具有很大的发展潜力,可以应用于燃料电池等诸多领域. 展开更多
关键词 氢气检测 室温 无电镀 钯硅纳米线阵列 恒电位计时电流
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基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究
5
作者 马殿飞 张健 唐旸 《鲁东大学学报(自然科学版)》 2010年第4期330-333,341,共5页
主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|... 主要讨论了Ag/SiNWs肖特基势垒二极管(SBD)的I-V-T特性.常温(T=300 K)下,Ag/SiNWs SBD的理想因子为3.9,零偏压下的势垒高度ΦB为0.957 eV.在一定反向偏压(-0.1—-9 V)下,通过Ag/SiNWsSBD的反向电流(Js)随着温度(T)的升高明显增大,ln|Js|与-1000/T呈线性关系,当反向偏压为2.1 V左右时,其斜率最大为5.433. 展开更多
关键词 硅纳米线 表面修饰 肖特基势垒二极管 伏安特性
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Carbon matrix/SiNWs heterogeneous block as improved reversible anodes material for lithium ion batteries
6
作者 Yao Wang Long Ren +6 位作者 Yundan Liu Xuejun Liu Kai Huang Xiaolin Wei Jun Li Xiang Qi Jianxin Zhong 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第1期105-110,共6页
A novel carbon matrix/silicon nanowires(SiNWs) heterogeneous block was successfully produced by dispersing SiNWs into templated carbon matrix via a modified evaporation induced self-assembly method. The heterogeneous ... A novel carbon matrix/silicon nanowires(SiNWs) heterogeneous block was successfully produced by dispersing SiNWs into templated carbon matrix via a modified evaporation induced self-assembly method. The heterogeneous block was determined by X-ray diffraction, Raman spectra and scanning electron microscopy. As an anode material for lithium batteries, the block was investigated by cyclic voltammograms(CV), charge/discharge tests, galvanostatic cycling performance and A. C. impedance spectroscopy. We show that the SiNWs disperse into the framework, and are nicely wrapped by the carbon matrix. The heterogeneous block exhibits superior electrochemical reversibility with a high specific capacity of 529.3 mAh/g in comparison with bare SiNWs anode with merely about 52.6 mAh/g capacity retention. The block presents excellent cycle stability and capacity retention which can be attributed to the improvement of conductivity by the existence of carbon matrix and the enhancement of ability to relieve the large volume expansion of SiNWs during the lithium insertion/extraction cycle. The results indicate that the as-prepared carbon matrix/SiNWs heterogeneous block can be an attractive and potential anode material for lithium-ion battery applications. 展开更多
关键词 sinws carbon matrix heterogeneous block lithium-ion battery
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基于硅纳米线的PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池结构优化及实验研究
7
作者 高中亮 耿奇 +4 位作者 王哲 高婷 李英峰 陈雷 李美成 《发电技术》 CSCD 2023年第5期685-695,共11页
硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)越长,光学性能越好,但这会使太阳电池的电学性能损失越来越大。采用模拟和实验的方法,对PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的SiNWs进行优化,重点研究了SiNWs长度造成的表面复合速率和串联电阻对太阳电池性能... 硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)越长,光学性能越好,但这会使太阳电池的电学性能损失越来越大。采用模拟和实验的方法,对PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的SiNWs进行优化,重点研究了SiNWs长度造成的表面复合速率和串联电阻对太阳电池性能的影响。结果表明,随着SiNWs长度的增加,表面复合主要影响开路电压,对太阳电池的性能影响较大;串联电阻主要影响填充因子,对太阳电池的性能影响较小。实验证明,当SiNWs长度为246nm左右时,PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池的转换效率最高,为12.88%。研究结果可为含SiNWs的硅基太阳电池的设计提供指导。 展开更多
关键词 硅纳米线(sinws) PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池 结构优化
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热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究 被引量:5
8
作者 刘建刚 范新会 +2 位作者 陈建 于灵敏 严文 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期589-592,共4页
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,... 研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线。场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化。在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制。 展开更多
关键词 热蒸发 硅纳米线 气-液-固机制 氧化辅助生长机制
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Pd-Ni修饰的硅纳米线电极用于非酶葡萄糖检测 被引量:3
9
作者 于江江 张健 郑小东 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期202-208,共7页
在镍修饰的硅纳米线阵列电极上电沉积金属钯微粒,用于葡萄糖的非酶检测;并通过电子扫描显微镜(SEM)和X射线能谱分析(EDS)对电极表面的形貌进行了表征,采用循环伏安法和恒电位计时电流法测试传感器的性能参数.在0.1 M的KOH碱性介质中,恒... 在镍修饰的硅纳米线阵列电极上电沉积金属钯微粒,用于葡萄糖的非酶检测;并通过电子扫描显微镜(SEM)和X射线能谱分析(EDS)对电极表面的形貌进行了表征,采用循环伏安法和恒电位计时电流法测试传感器的性能参数.在0.1 M的KOH碱性介质中,恒定电势+0.19 V,钯-镍修饰的硅纳米线阵列电极对葡萄糖的电化学氧化的灵敏度为302.2μA·mM^(-1)·cm^(-2),检测极限(S/N=3)达到4.9μM,而且对抗坏血酸(AA)、尿酸(UA)等干扰物质具有良好的抗干扰能力.实验表明,这种新型电极很有潜力用于葡萄糖的非酶检测. 展开更多
关键词 葡萄糖非酶检测 电沉积 钯镍修饰硅纳米线阵列 循环伏安 恒电位计时电流
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掺杂和应变对硅纳米线电子结构与光学性质的调制影响 被引量:2
10
作者 张加宏 王超 +2 位作者 刘清惓 顾芳 李敏 《科学技术与工程》 北大核心 2022年第12期4715-4720,共6页
为了研究掺杂和应变对[111]晶向硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)的电子结构与光学性质的调制影响,基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(general gradient approximation,GGA),采用第一性原理方法开展了相关计算。能带计算表明:空... 为了研究掺杂和应变对[111]晶向硅纳米线(silicon nanowires,SiNWs)的电子结构与光学性质的调制影响,基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(general gradient approximation,GGA),采用第一性原理方法开展了相关计算。能带计算表明:空位掺杂和元素掺杂均引入杂质能级,形成了N型和P型半导体材料。单轴应变则进一步减小了带隙,增强了掺杂硅纳米线的导电性,但由于应变也修饰了费米面附近能级的形貌,能带曲率突变影响了体系的导电性能。光学性质计算表明:相比于空位掺杂,元素掺杂更有效地改变了SiNWs的介电函数、吸收系数、折射率与反射率等光学参数,而单轴应变则削弱了元素掺杂的影响。拉应变提升了光吸收的范围和强度,尤其是可见光波段,使掺杂硅纳米线成为优质光伏材料,压应变则降低了对紫外光波段的吸收效率。在紫外区域,拉应变和压应变对掺杂硅纳米线的折射率与反射率的影响相反,在红外和可见光区域影响则一致。研究结果为基于应变和掺杂硅纳米线的光电器件设计与应用提供一定的理论参考。 展开更多
关键词 硅纳米线(sinws) 掺杂 应变 电子结构 光学性质 第一性原理
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硅纳米电极超低电压场致电离特性研究 被引量:1
11
作者 陈云 张健 +1 位作者 于江江 郑小东 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期194-201,共8页
用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律... 用湿法化学刻蚀制备出具有直立结构的硅纳米线,其平均长度为20μm,平均直径100 nm.将该硅纳米线作为电容式电离结构的一维纳米电极,建立场致电离的测试系统,并在常温常压下测试出电离的全伏安特性,得出了一维纳米电极系统气体电离的规律.测试结果表明,利用湿法化学刻蚀制备的硅纳米线作为一维纳米电极,可以大大降低系统的击穿电压,原因在于它具有较高的场增强因子、小尺寸效应以及高的缺陷密度. 展开更多
关键词 硅纳米线 场致电离 击穿电压 湿法化学刻蚀
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SiO-Au法制备硅纳米线 被引量:2
12
作者 潘国卫 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1147-1150,共4页
在低真空的CVD系统中直接热蒸发SiO粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅纳米线(SiNWs),通过X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)和Raman光谱等技术对硅纳... 在低真空的CVD系统中直接热蒸发SiO粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅纳米线(SiNWs),通过X射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)和Raman光谱等技术对硅纳米线进行形貌及结构分析.实验结果表明,在不同生长温度下制备得到的硅纳米线质量不同,其中在700℃温区生长的硅线质量最好;与晶体硅Raman的一级散射特征峰(TO)520.3cm-1相比,纳米硅线的Raman特征峰(TO)红移至514.8cm-1. 展开更多
关键词 SiO-Au法 硅纳米线(sinws) 制备
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基于纳米材料的葡萄糖传感器测试系统设计 被引量:1
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作者 苗凤娟 朱婧 +1 位作者 陶佰睿 班庆超 《齐齐哈尔大学学报(自然科学版)》 2012年第3期31-34,共4页
研究了一种基于纳米材料的新型电化学非酶葡萄糖传感器测试系统的设计方法。在2 M的KOH溶液中,Pd-Ni/SiNWs(钯-镍/硅纳米线)电极在脉冲扫描电压作用下,对溶液中葡萄糖分子有良好电催化氧化作用,回路中会产生催化氧化电流,可以通过峰值... 研究了一种基于纳米材料的新型电化学非酶葡萄糖传感器测试系统的设计方法。在2 M的KOH溶液中,Pd-Ni/SiNWs(钯-镍/硅纳米线)电极在脉冲扫描电压作用下,对溶液中葡萄糖分子有良好电催化氧化作用,回路中会产生催化氧化电流,可以通过峰值电流保持器对回路电流进行监控,把回路中与葡萄糖催化氧化过程相对应的电流峰值记录下来,作为检测葡萄糖浓度的依据。根据上述原理,开发出了一种含可控波形电压输出、电流峰值采集、显示输出以及键盘控制等功能模块的葡萄糖传感器测试系统。 展开更多
关键词 葡萄糖传感器 钯-镍/硅纳米线 峰值电流保持器 电化学传感器 电催化氧化
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硅纳米线用于纳米器件前的准备工序
14
作者 陈扬文 唐元洪 裴立宅 《电子器件》 EI CAS 2005年第3期470-474,共5页
硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧... 硅纳米线是一种新型半导体光电材料,具有量子限制效应并且能与目前的硅芯片相兼容,是一种很有前途的适用于纳米器件的材料,未经处理的硅纳米线存在大量的晶体缺陷以及表面氧化物保护层,直接将这样的硅纳米线应用于纳米器件中时,表面氧化层的保护作用使硅纳米线在电子器件中应用时不能有效地实现欧姆接触,因此对硅纳米线使用前的前期处理是非常必要的。本文主要针对硅纳米线应用于电子器件的准备工序包括为制备完整硅纳米线晶体结构而进行的减少缺陷处理、避免硅纳米线团聚而进行的分散处理,以及使硅纳米线具有有效欧姆接触而进行的表面金属离子处理等作系统的阐述。 展开更多
关键词 硅纳米线 缺陷处理 分散处理 表面金属离子处理
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表面钝化硅纳米线的能带结构 被引量:2
15
作者 尤思宇 王燕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1927-1933,共7页
采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于H饱和硅纳米线,这一现象可用价带顶的... 采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于H饱和硅纳米线,这一现象可用价带顶的σ-n杂化效应来解释.计算结果还表明,H或F饱和的(100)硅纳米线的极限———硅单原子链则表现为间接带隙半导体,文中对这一现象进行了分析和讨论. 展开更多
关键词 硅纳米线 表面钝化 氟化 能带 σ-n杂化
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硅纳米线传感器灵敏度研究进展 被引量:1
16
作者 方敏 闫江 +7 位作者 魏千惠 张青竹 魏淑华 王艳蓉 张兆浩 熊恩毅 张双 张静 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2021年第3期225-232,253,共9页
对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(L... 对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(LOD)。重点讨论了通过对SiNW表面修饰方法的优化、使用不同结构形状SiNW和降低传感器德拜屏蔽效应等方法提高SiNW-FET传感器的灵敏度,对各种提高灵敏度的方法和对应方法下SiNW-FET传感器的检测限或灵敏度进行了对比总结。最后,总结了提高SiNW-FET传感器灵敏度的方法和目前亟待解决的问题,并展望了其发展趋势。 展开更多
关键词 硅纳米线场效应晶体管(sinw-FET) 一维纳米材料 传感器 灵敏度 检测限(LOD) 表面修饰
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银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究
17
作者 王圣坤 苑伟政 何洋 《化学工程师》 CAS 2013年第4期5-7,14,共4页
本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008-0.016mol·L-1范围内,HF浓... 本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008-0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0-5.5mol·L-1范围内可以成功制作出硅纳米线。 展开更多
关键词 银辅助化学刻蚀法 化学刻蚀法 硅纳米线
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硅纳米线的制备与热氧化处理
18
作者 逯小慈 李常青 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期131-134,140,共5页
采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理。制备的硅纳米线的线径减小。研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响。利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100nm的排列整... 采用金属催化化学腐蚀法制备硅纳米线(SiNW),并进行热氧化处理。制备的硅纳米线的线径减小。研究了热氧化处理对硅纳米线线径的影响。利用光电显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察实验结果,刻蚀后形成了长度为100μm、线径为100nm的排列整齐的硅纳米线。在温度为400℃、时间为20min的热氧化处理后,硅纳米线的线径由100nm减小至50nm。这表明,通过热氧化处理后的硅纳米线具有更小的线径。 展开更多
关键词 金属催化化学腐蚀法 硅纳米线 热氧化处理
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Designing Sensors Using Nano-Junctions
19
作者 Vijay K. Lamba O. P. Garg 《Journal of Applied Mathematics and Physics》 2016年第12期2247-2253,共7页
Nanowire field effect transistors can be modeled for ultrasensitive charge detection based bio- or chemical sensors. As critical dimensions of the nanowire sensor can be of the same order of size of biological molecul... Nanowire field effect transistors can be modeled for ultrasensitive charge detection based bio- or chemical sensors. As critical dimensions of the nanowire sensor can be of the same order of size of biological molecules or chemical species yielding exceptional sensing possibilities. In addition, the large surface/volume ratio will give high sensitivities simply because surface effects dominate over bulk properties. Thus, we modeled Si nanowire with different geometries in the different chemical environment using NEGF approach. To analyze the performance, the sensitivity of Si nanowire with different cross sections including circular, rectangular, and triangular is derived by two definitions. It is calculated that the sensitivity of Si nanowire with different structures is a function of geometrical parameters and doping density. It is illustrated that the sensitivity varies inversely with cross-section area, doping density, and also the length of nanowire. 展开更多
关键词 sinws DOPING NEGF DFT
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A novel method using SiNW to measure stress in cantilevers
20
作者 姜岩峰 王建平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期72-75,共4页
A silicon(SiNW) nanowire device,made by the bottom-up method,has been assembled in a MEMS device for measuring stress in cantilevers.The process for assembling a SiNW on a cantilever has been introduced.The current ... A silicon(SiNW) nanowire device,made by the bottom-up method,has been assembled in a MEMS device for measuring stress in cantilevers.The process for assembling a SiNW on a cantilever has been introduced.The current as a function of the voltage applied to a SiNW have been measured,and the different resistances before and after cantilever releasing have been observed.A parameter,η,has been derived based on the resistances.For a fixed sample,a linear relationship between η and the stress in the cantilever has been observed;and,so,it has been demonstrated that the resistance of SiNW can reflect the variation of the cantilever stress. 展开更多
关键词 sinw STRESS CANTILEVER MEMS
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