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冶金法制备太阳能级多晶硅的研究进展 被引量:12
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作者 马晓东 张剑 李廷举 《铸造技术》 CAS 北大核心 2008年第9期1288-1291,共4页
与改良西门子法、新硅烷法、流化床法等化学方法制备太阳能级多晶硅相比,冶金法制备太阳能级多晶硅是解决光伏产业原料供应不足、降低成本的重要途径。阐述了冶金法制备太阳能级多晶硅过程中去除冶金级硅中金属和非金属杂质的基本原理,... 与改良西门子法、新硅烷法、流化床法等化学方法制备太阳能级多晶硅相比,冶金法制备太阳能级多晶硅是解决光伏产业原料供应不足、降低成本的重要途径。阐述了冶金法制备太阳能级多晶硅过程中去除冶金级硅中金属和非金属杂质的基本原理,介绍了冶金法制备太阳能级多晶硅技术的研究进展情况。 展开更多
关键词 太阳能级多晶硅 冶金级多晶硅 提纯原理 冶金制备技术
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冶金级硅酸洗提纯研究(英文) 被引量:2
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作者 罗大伟 卢一平 +2 位作者 刘宁 李廷举 张国良 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期40-46,共7页
冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对... 冶金工艺被认为是非常有前途的一种有别于传统的西门子工艺而且能够满足市场对太阳能级硅需求的工艺.冶金级硅的预处理是冶金提纯工艺路径中非常重要的一个环节,因为酸洗可以有效地去除硅中的金属杂质例如铝、铁和钙等.通过系统性的对比试验对酸洗工艺去除硅中杂质的效果进行了详细的研究,分别探讨了酸的种类、酸的浓度、酸洗时间、酸洗温度以及硅粉颗粒粒径对杂质去除效率的影响.研究结果表明最佳的酸洗工艺参数为15%的盐酸,80℃,10h和100μm.在最佳酸洗工艺参数条件下金属杂质铝、铁和钙的去除率分别为70.90%、94.82%和82.69%. 展开更多
关键词 冶金级硅 太阳能级硅 提纯 酸洗
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光伏系统基于全生命周期碳排放量计算的环境与经济效益分析 被引量:24
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作者 翁琳 陈剑波 《上海理工大学学报》 北大核心 2017年第3期282-288,共7页
以上海临港某光伏发电项目为案例,同时结合光伏发电系统全生命周期碳排放模型和各阶段实际过程,对各个阶段碳排放的独特性、独特来源进行分析和计算,进而明细其计算结果.根据该系统的碳排放周期、碳交易经济回收期以及光伏发电上网电量... 以上海临港某光伏发电项目为案例,同时结合光伏发电系统全生命周期碳排放模型和各阶段实际过程,对各个阶段碳排放的独特性、独特来源进行分析和计算,进而明细其计算结果.根据该系统的碳排放周期、碳交易经济回收期以及光伏发电上网电量的经济回收期对光伏发电系统进行客观的评价. 展开更多
关键词 碳排放 多晶硅 太阳能光伏系统 全生命周期评价
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欧洲冶金法生产太阳能级多晶硅的工艺 被引量:3
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作者 和晓才 李怀仁 《云南冶金》 2010年第4期43-45,共3页
阐述了欧洲各国冶金法生产太阳能多晶硅的工艺,并提出了具体金属中的除碳工艺。
关键词 太阳能多晶硅 SIO2
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粉尘等离子体的研究
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作者 尹盛 赵亮 +1 位作者 李战春 王敬义 《中国材料科技与设备》 2008年第1期37-39,共3页
在实验和理论上研究了粉粒在等离子体鞘区的沉降、带电、收集和刻蚀。基于粉尘对等离子区电子能量分布函数的影响,讨论了粉尘对等离子体的干扰。有关结果表明等离子体对硅粉的纯化处理有可能应用于将工业硅直接制成太阳级硅。
关键词 硅粉纯化 等离子体稳定性 刻蚀速率 太阳级硅
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Removal of SiC particles from solar grade silicon melts by imposition of high frequency magnetic field
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作者 Mehdi KADKHODABEIGI Jafar SAFARIAN +2 位作者 Halvard TVEIT Merete TANGSTAD Stein Tore JOHANSEN 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第11期2813-2821,共9页
Non-metallic particles and metallic impurities present in the feedstock affect the electrical and mechanical properties of high quality silicon which is used in critical applications such as photovoltaic solar cells a... Non-metallic particles and metallic impurities present in the feedstock affect the electrical and mechanical properties of high quality silicon which is used in critical applications such as photovoltaic solar cells and electronic devices. SiC particles strongly deteriorate the mechanical properties of photovoltaic cells and cause shunting problem. Therefore, these particles should be removed from silicon before solar cells are fabricated from this material. Separation of non-metallic particles from liquid metals by imposing an electromagnetic field was identified as an enhanced technology to produce ultra pure metals. Application of this method for removal of SiC particles from metallurgical grade silicon (MG-Si) was presented. Numerical methods based on a combination of classical models for inclusion removal and computational fluid dynamics (CFD) were developed to calculate the particle concentration and separation efficiency from the melt. In order to check efficiency of the method, several experiments were done using an induction furnace. The experimental results show that this method can be effectively applied to purifying silicon melts from the non-metallic inclusions. The results are in a good agreement with the predictions made by the model. 展开更多
关键词 SiC particle electromagnetic separation solar grade silicon (sog-si) photovoltaic cells computational fluid dynamics(CFD) non-metallic particles metallic impurities
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基于SDD与DPP的X荧光分析及其在光伏硅杂质元素分析中的应用 被引量:5
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作者 宁方敏 徐建元 +2 位作者 谭继廉 徐惠忠 田宇紘 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1637-1640,共4页
采用硅漂移探测器(SDD)和DPP数字脉冲处理器(DPP)相结合,以及双靶X光管激发系统的X荧光分析方法,测定了光伏硅中杂质元素的含量,并采用不同含量的国家标准物质元素,对其最低检测限、精密度、准确度、稳定性等进行了实验,以检验所研制设... 采用硅漂移探测器(SDD)和DPP数字脉冲处理器(DPP)相结合,以及双靶X光管激发系统的X荧光分析方法,测定了光伏硅中杂质元素的含量,并采用不同含量的国家标准物质元素,对其最低检测限、精密度、准确度、稳定性等进行了实验,以检验所研制设备及所建立方法的可行性和实用性。研究结果表明,运用该设备及方法所测得的数据,可满足欧盟ARTIST计划和美国太阳能工业协会对光伏硅中杂质元素的限制要求。 展开更多
关键词 X荧光分析 SDD硅漂移探测器 DPP数字脉冲处理器 光伏硅 杂质 元素分析
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不同压力条件下熔融硅除磷的效果及机理
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作者 张聪 谭毅 +3 位作者 王强 顾正 徐强 董伟 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期23-26,共4页
采用钨丝网发热体对工业硅进行高温熔炼,通过在真空条件和低压条件下的对比试验,研究了不同压力条件对磷去除效果的影响。结果表明:在1×10^(-3)~2×10^(-2)Pa的真空条件下熔炼时,磷含量随熔炼时间的延长而降低并在熔炼前期下... 采用钨丝网发热体对工业硅进行高温熔炼,通过在真空条件和低压条件下的对比试验,研究了不同压力条件对磷去除效果的影响。结果表明:在1×10^(-3)~2×10^(-2)Pa的真空条件下熔炼时,磷含量随熔炼时间的延长而降低并在熔炼前期下降迅速;磷的去除反应为一阶反应式,活化能为102 kJ·mol^(-1),随熔炼温度的升高去除速率加快,2.7ks时去除率超过80%;在2~6Pa的低压条件下熔炼时,磷的去除反应也可以用一阶反应式表示,但磷的去除速率受温度影响不明显,去除速率常数受环境压力影响比真空条件下的低;不同压力条件下熔炼时磷去除速率的控制步骤不同。 展开更多
关键词 太阳能级硅 真空熔炼 除磷 去除速率
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