FBAR滤波器TRL校准的仿真与测试

针对薄膜体声波谐振腔(FBAR)滤波器测试夹具误差校准,提出一种改进的TRL校准方法,将三维电磁仿真和TRL计算结合,用于测试套件(夹具和TRL校准件)的前期设计与优化,确保TRL校准件达到足够精度。由于DUT(device under test,待测器件)参数未知,实测中采用四种不同结构的测试套件,校准前各组测试结果差异较大,但TRL校准后高度吻合,通带内的差异小于0.2 dB,不但精准确定DUT真实参数,而且表明本TRL校准方法对于不同结构夹具去嵌入的有效性。该仿真计算不仅可以设计高精度测试套件,避免过度依靠实测,并且可与实测相互验证,并可推广到其他微波器件的测量,节省测试成本。

矢量网络分析仪非同轴测量的TRL校准件设计制作

矢量网络分析仪在非同轴和高频率条件下难以实现理想的匹配负载,但通过TRL校准可降低参数要求,且精度较高。因此,本文对TRL校准技术的原理和设计原则进行介绍。以HDMI线缆测量为例,对非同轴测量TRL校准的全部环节进行论述,包括设计方法、性能验证和测量试验,为相关技术研究提供参考。

基于TRL的非标准接口机载射频线缆测试方法

机载射频(RF)线缆是传输信号的主要介质,其回波损耗等性能参数影响飞机通导系统的工作,目前存在多种非标准接口线缆,需采用精密的转接引线,但其对阻抗、传输损耗等参数要求较高,且易发生性能衰减,导致测试结果产生较大误差。因此,针对应用精密转接引线进行测试时存在的问题,提出了基于TRL的非标准接口机载射频线缆测试方法。利用级联传输参数矩阵的方法对转接引线与待测线缆进行建模;利用改进的TRL校准方法对转接引线的参数进行去嵌入获取待测线缆的散射参数,进而评估机载射频线缆的性能。应用所提方法进行机载射频线缆测试实验,结果表明:除个别谐振点外,回波损耗最大误差约为1 dB,传输损耗最大误差约为0.2 dB,验证了所提方法的可行性和有效性。

基于Multi-TRL算法的传输线特征阻抗定标

在片散射参数的精确测量离不开传输线特征阻抗的精确定义。介绍了基于Multi-TRL算法的共面波导型传输线特征阻抗的定标方法,具体包括对Multi-TRL校准算法进行推导和优化得到传播常数,再利用传播常数计算得到传输线特征阻抗。在此基础上,开发了传输线特征阻抗提取软件wyb,并对特征阻抗测试结果进行了验证。测量片上参考标准RM8130上的校准标准,分别作为wyb软件和Wincal软件的输入量来提取特征阻抗。数据表明:在5~10GHz频段内,特征阻抗幅值相差小于±0.6%,相位相差小于±0.55°;在10~40GHz频段内,特征阻抗幅值相差小于±0.2%,相位相差小于±0.40°。

在片Multi-TRL校准技术研究

美国NIST Multi-TRL校准技术实现在片散射参数(S参数)的精确校准测试,但国内尚未实现上述校准技术,致使在片测量准确度不能满足精密测试需求。在充分研究Multi-TRL算法并自主推导相关核心公式的基础上,开发Mutli-TRL校准软件CETC13,并对校准软件准确度进行验证。然后利用半导体工艺开展0.1~40 GHz Multi-TRL校准标准1312的设计和制作,通过衬底厚度、横截面的优化设计,该校准标准能有效抑制多模传输。CETC13校准软件与校准标准校准过的在片系统测量结果与国外相同等级的在片系统相比,在0.1~40 GHz频段内,传输幅度相差0.05~0.10 d B,相位相差0.05°~1.3°;反射幅度相差0.002~0.007,可解决国内在片S参数精确校准测试问题。

通过TRL校准提取管芯S参数的技术

介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到管芯S参数。此方法在没有精确的测试夹具条件下,仍可以得到较理想的器件和管芯S参数。实验证明该方法简便、实用性强,可推广应用于不宜直接测量管芯S参数的器件。

TRL及其在我国医疗器械技术成熟度评价中的应用探讨

介绍TRL的提出及其在医疗领域的实际应用,结合医疗器械的生产、使用和监管特点,分析TRL应用于医疗器械技术成熟度评价应考虑的安全性、有效性和上市监管等问题。阐述美国国防部和北约组织TRL等级定义和描述,指出TRL应用于医疗器械技术成熟度评价切实可行,可作为研发管理和技术交流工具减少技术风险,及时评价项目进度。

基于TRL的智能电网技术成熟度评估

技术成熟度的评估对指导技术改良以推动智能电网发展具有重要意义。该文提出了针对智能电网相关技术成熟度的评估指标体系及方法。从技术性能、技术的经济价值、技术的社会与环境影响3个方面构建评估指标体系,基于序关系-变异系数法综合主客观赋权的影响获取评估结果。对于技术性能,创新性地建立了技术成熟等级评估方法获取其发展水平。此外,针对底层指标的不确定性,引入Gram-Charlier级数获取技术成熟度评估结果的置信度。电动汽车充放电技术应用实例显示,评估结果不仅能够给出技术发展的成熟水平,还能够给出技术发展的优势与短板,有助于明确未来技术改良方向。

基于TRL校准的夹具测试技术浅析

如何实现非同轴微波器件S参数的精确测量一直是业界的技术难题,制作、使用微波夹具是实现其网络参数直接测量的主要途径之一。文章介绍了传统夹具测试方法,重点论述了运用TRL校准技术进行夹具测量的解决方案,并给出夹具TRL校准件设计方法和注意事项。通过具体夹具校准件的设计和测量试验完成了设计验证,该技术方案能够很好地去除夹具误差、显著提高测试精度,并具有较强的可操作性。

脊波导TRL校准技术的研究

本文首先讨论了矢量网路分析仪TRL校准技术对校准件的要求,并根据校准原理设计出了脊波导TRL校准件的尺寸。由于脊波导脊的重合性对校准件与测试端面连接处的反射具有较大影响,对校准件采用精确定位和表面抗氧化处理。最后利用网络分析仪的10项误差修正原理完成了脊波导的TRL校准,实现了脊波导器件微波参数的准确测试。

HP8510C非同轴系统TRL校准技术

文章介绍了HP8510C矢量网络分析仪的TRL校准原理和建立微波校准标准的方法，从而使同轴系统的HP8510C也能对非同轴系统（波导、微带、带状线等）微波网络参数进行精密测量。并具体在BJ100波导系统进行了[S]参数的精密测量。

单片电路晶体管模型参数提取专用TRL校准件

为了满足GaAs微波单片晶体管模型参数精确提取需求,论文开展了在GaAs衬底上制作专用TRL校准件的研究工作,该专用校准件在设计过程中,综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素,使校准后在片S参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯,从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证,制作了在片无源检验件,通过测量结果与电磁场仿真数值的对比,证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。

TRL-4、NF-κB、TNF-α在输卵管异位妊娠过程中的表达

目的:探究TRL-4、NF-κB、TNF-α信号通路在输卵管异位妊娠过程中发挥的作用。方法:运用免疫组织化学染色配合图象半定量分析的方法检测TLR4、NF-κB、TNF-α在18例正常输卵管壶腹部及30例输卵管壶腹部异位妊娠标本的表达情况。结果:TLR4、NF-κB、TNF-α在两组标本的壶腹部黏膜上皮细胞中均有的表达。输卵管异位妊娠组TLR4、NF-κB、TNF-α的表达明显高于正常组输卵管组(P<0.05)。结论:TLR4、NF-κB、TNF-α表达的增强导致炎性反应加剧,可能是输卵管异位妊娠发病机制中的关键环节。

基于改进TRL校准算法的二极管参数测量

加载二极管的频率选择表面和能量选择表面(以下统称"自激励表面")具有自适应的防护特征,能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节,准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法,针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点,改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法;测量几种不同PIN型号的二极管,通过对比PIN参数手册与测试结果,验证了测试方法的有效性。

基于TRL的技术成熟度模型及评估研究

当前,因武器装备采办项目中应用的技术成熟度不高而导致费用超支、进度拖延等问题已引起发达国家的普遍关注,美国、英国、加拿大等发达国家纷纷依据本国的国防采办流程,开展武器装备采办项目技术成熟度评估,以减少项目开发风险。在对技术成熟度、技术就绪水平(TRL)和技术就绪评估(TRA)、技术成熟度影响因素等问题展开深入研究基础上,探索技术成熟度的评估方法,以期能够应用到武器装备项目研制的立项论证、转阶段评审、检查验收等环节中。研究表明,基于TRL的技术成熟度模型及评估研究可以实现对各个环节技术状态的准确把握,对武器装备研制项目成功推进具有一定的理论与现实意义。

基于TRL校准的低噪声放大器的研究与设计

针对低噪声放大器实际电路往往和仿真结果出入较大、调试困难等特征,以TRL校准件和芯片量测板为平台量测出芯片的S参数,通过和厂商提供的S参数比拟,在此基础上通过射频仿真软件设计出的低噪声放大器,在实际测试中和仿真结果比较接近,大大提高了低噪声放大器设计的效率和性能。最后以GPS和北斗为例,给出了实测和仿真的S参数Smith圆图比对结果。

射频器件测量的校准技术分析

在用矢量网络分析仪(VNA)对射频微波元件进行S参数测量时,由于网分的同轴端口与元器件类似微带的端口无法直接进行测量,故往往引入夹具以实现同轴到微带的过渡。在此过程中,测量结果包含了夹具本身自带的误差,需要用校准技术进行去嵌入(deembedding)。直通-反射-延时线(TRL)是其中一种高精度的校准技术,本文在HFSS中制作了10 MHz-45 GHz的TRL校准件包括“顶层地”传输线,新型共面波导,基片集成波导,两层介质的共面波导等不同结构,去嵌入之后的1 pF电容与理想电容在全频段有较好的一致性,并把结果进行对比。下一步模拟了性能更好的同轴连接器,以改善实验的去嵌入结果,验证TRL校准件达到毫米波的可行性方案。

高精度微波夹具设计中的TRL校准技术

TRL校准是一种非常精确的校准方式,尤其适用于非标准接口的微波器件S参数的精确测试。论文探讨了有关TRL校准技术,从TRL校准技术理论模型分析,到设计TRL校准件的要求,到设计TRL校准件时需考虑的因素,对TRL校准技术做了较全面的介绍。

硅基芯片TRL校准件的设计与制作

为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术。根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型。在20 GHz~ 30 GHz高频应用中,验证了模型的准确性。实际测试结果表明该校准件达到了预期效果,仿真值与实测值拟合一致性好。

射频功率器件宽带多层TRL校准算法研究

多层TRL校准是微波毫米波大功率器件测试中常用的一种校准方法。针对经典TRL校准方法在大功率器件测试中易出现的误差系数相位跳变问题,提出了一种结合先验知识和动态最小化误差逼近的宽带TRL校准优化算法。基于国产AV3672矢量网络分析仪和负载牵引测试系统在3.8 GHz及三次谐波对该算法的有效性进行了验证。实验结果证明,该算法有效地修正了误差系数相位跳变的问题,对器件大信号工作状态最优阻抗点的分析更为准确,并且算法复杂度没有大幅增加,可以应用为经典TRL算法的后续修正步骤,具备极强的实用性和通用性。