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Boron-Silicon Thin Film Formation Using a Slim Vertical Chemical Vapor Deposition Reactor
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作者 Yuki Kamochi Atsuhiro Motomiya +3 位作者 Hitoshi Habuka Yuuki Ishida Shin-Ichi Ikeda Shiro Hara 《Advances in Chemical Engineering and Science》 CAS 2023年第1期7-18,共12页
A boron-silicon film was formed from boron trichloride gas and dichlorosilane gas at about 900&#8451;in ambient hydrogen at atmospheric pressure utilizing a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reacto... A boron-silicon film was formed from boron trichloride gas and dichlorosilane gas at about 900&#8451;in ambient hydrogen at atmospheric pressure utilizing a slim vertical cold wall chemical vapor deposition reactor designed for the Minimal Fab system. The gas flow rates were 80, 20 and 0.1 - 20 sccm for the hydrogen, dichlorosilane and boron trichloride gases, respectively. The gas transport condition in the reactor was shown to quickly become stable when evaluated by quartz crystal microbalances at the inlet and outlet. The boron-silicon thin film was formed by achieving the various boron concentrations of 0.16% - 80%, the depth profile of which was flat. By observing the cross-sectional TEM image, the obtained film was dense. The boron trichloride gas is expected to be useful for the quick fabrication of various materials containing boron at significantly low and high concentrations. 展开更多
关键词 Chemical Vapor Deposition boron-Silicon Film boron Trichloride DICHLOROSILANE
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Differential Pulse Voltammetric Simultaneous Determination of Paracetamol and Omnipaque on Boron Doped Diamond Electrode: Application to Natural Tomato, Carrot, Cucumber Juices and Wastewater
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作者 Koffi Konan Martin Sadia Sahi Placide +4 位作者 Kouadio Brou Albert Gnamba Corneil Quand-Même Fofié Thiery Auguste Appia Koffi Konan Sylvestre Lassiné Ouattara 《American Journal of Analytical Chemistry》 2023年第10期434-450,共17页
This article describes the use of a boron-doped diamond electrode (BDDE) as an electrochemical sensor for the simultaneous determination of omnipaque (OMP) and paracetamol (PCM) in perchloric acid medium (HClO4 0.1 M)... This article describes the use of a boron-doped diamond electrode (BDDE) as an electrochemical sensor for the simultaneous determination of omnipaque (OMP) and paracetamol (PCM) in perchloric acid medium (HClO4 0.1 M) and in complex matrices such as tomato, carrot and cucumber juices and waste water from the Treichville University Hospital. Voltammetric studies allowed us to have well-defined oxidation peaks at distinct potentials of OMP (E = 0.5 V/SCE) and PCM (E = 0.7 V/SCE). Under optimized conditions, well-defined quantities of OMP and PCM, introduced simultaneously by metered additions, gave linear responses in concentration ranges of 259.8 - 467.2 μM for OMP and 58.73 - 116.3 μM PCM. The detection limits obtained are 7.23 μΜ and 3.6 μΜ respectively for OMP and PCM with recovery rates between 85.8% ± 0.1% and 92.6% ± 0.1% for OMP and between 99.9% ± 0.1% and 101.2% ± 0.4% for the PCM. This technique has been successfully used to simultaneously detect these pharmaceuticals in these complex environments. It allows recovery of OMP and PCM respectively up to 97.5% ± 0.0% and 91.6% ± 0.3% in tomato juice;100.0% ± 0.0% and 95.2% ± 0.2% in carrot juice;101.4% ± 0.1% and 97.3% ± 0.3% in cucumber juice;100.1% ± 0.9% and 100.9% ± 0.1% in wastewater. The relevance of this technique for the simultaneous detection of OMP and PCM in tomato, carrot, cucumber juices and in waste water can be studied in the context of the contamination of certain fruits and vegetables by the substances organic pharmaceuticals released into the environment without prior treatment. 展开更多
关键词 OMNIPAQUE Paracétamol Differential Pulse Voltammetry boron Doped Diamond Electrode
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High-Throughput Growth of Hexagonal Boron Nitride Film Using Porous-Structure Isolation Layer
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作者 Ruitao Jia Fangzhu Qing Xuesong Li 《Journal of Materials Science and Chemical Engineering》 CAS 2023年第3期45-51,共7页
Chemical vapor deposition is considered as the most hopeful method for the synthesis of large-area high-quality hexagonal boron nitride on the substrate of catalytic metal. However, the size the hexagonal boron nitrid... Chemical vapor deposition is considered as the most hopeful method for the synthesis of large-area high-quality hexagonal boron nitride on the substrate of catalytic metal. However, the size the hexagonal boron nitride films are limited to the size of growth chamber, which indicates a lower production efficiency. In this paper, the utilization efficiency of growth chamber is highly improved by alternately stacking multiple pieces of Cu foils and carbon fiber surface felt with porous structure. Uniform and continuous hexagonal boron nitride films are prepared on Cu foils through chemical vapor deposition utilizing ammonia borane as the precursor. This work develops a simple and practicable method for high-throughput preparation of hexagonal boron nitride films, which could contribute to the industrial application of hexagonal boron nitride. . 展开更多
关键词 Hexagonal boron Nitride Chemical Vapor Deposition Porous Structure Isolation Layer High Throughput
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含有氮化硼势垒层的三明治结构聚合物基复合介质储能特性研究 被引量:1
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作者 冯宇 程伟晔 +2 位作者 岳东 张文超 迟庆国 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期121-134,共14页
聚合物基高温储能介质因其较高的功率密度及优异的充放电效率被广泛应用在电气和电子等领域。该文选用不同粒径的氮化硼纳米片(BNNSs)作为填料,掺杂到聚醚酰亚胺(PEI)中构建势垒层,添加在纯PEI两侧制备拥有三明治结构的复合薄膜,探究粒... 聚合物基高温储能介质因其较高的功率密度及优异的充放电效率被广泛应用在电气和电子等领域。该文选用不同粒径的氮化硼纳米片(BNNSs)作为填料,掺杂到聚醚酰亚胺(PEI)中构建势垒层,添加在纯PEI两侧制备拥有三明治结构的复合薄膜,探究粒径大小在不同温度/填充体积分数下对复合薄膜的介电性能及储能性能的影响。研究发现,构建BNNSs势垒层的三明治结构复合薄膜显著抑制了介质的高温电导,提高了充放电效率,且较小粒径BNNSs填充势垒层能更有效地提高击穿场强和储能密度,其中掺杂200 nm粒径BNNSs体积分数为5%的复合薄膜在常温下的储能密度可达5.65J/cm^(3),充放电效率高达96%,即使在150℃下,储能密度和充放电效率也可分别达到2.52 J/cm^(3)和95%。通过随机击穿模型阐明了粒径大小及三明治势垒层结构对击穿性能的提升机制。该文提出的含有势垒层的三明治复合结构为高温下复合薄膜储能特性优化提供了新的策略。 展开更多
关键词 电介质薄膜 聚醚酰亚胺 氮化硼 介电性能 储能密度
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硼的地球化学特征及富集成矿机制
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作者 王丹 蒋宗胜 +4 位作者 田忠华 赵海香 王娜 王雅涵 刘冰 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期3238-3256,共19页
硼是一种关键的非金属战略矿产资源,广泛应用于化工、冶金、建材、纺织和核技术等领域,其在新兴战略产业中的重要性日益凸显。本文综述了硼的地球化学特性、同位素分馏行为及全球主要硼矿的分布与成因机制。硼在自然界中的分布存在显著... 硼是一种关键的非金属战略矿产资源,广泛应用于化工、冶金、建材、纺织和核技术等领域,其在新兴战略产业中的重要性日益凸显。本文综述了硼的地球化学特性、同位素分馏行为及全球主要硼矿的分布与成因机制。硼在自然界中的分布存在显著差异,地壳中的含量明显高于地幔。在不同地质过程中,硼元素经历了分异作用,导致不同岩石单元的硼同位素发生分馏。硼在地壳中的超常富集过程会形成硼酸盐矿物,这些矿物的形成条件(包括温度、压力和氧逸度)对于硼矿床成因研究具有重要意义。本文探讨了几种主要硼矿床的矿物组成及其成因机制,包括火山沉积型、现代盐湖型、海相蒸发盐型、矽卡岩型和沉积-变质型矿床。此外,中国的硼矿类型也十分丰富,其中最重要且储量最大的硼矿床为辽吉地区的沉积-变质型和青海-西藏地区的盐湖型硼矿床。文中详细介绍了这两类硼矿床的矿物组合特征、产状、年代及成矿模式,并对未来研究中存在的关键科学问题进行了梳理。 展开更多
关键词 硼酸盐矿物 硼同位素分馏 硼同位素储库 非海相型硼矿床 变质型硼矿床
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硼同位素的正热电离质谱法测定新进展
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作者 张宁 程原原 +6 位作者 李峥岩 邓丽 周晴 罗家馨 周江迪 贺茂勇 文雪琴 《地球化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期417-425,共9页
在不同环境下, B具有不同的^(11)B/^(10)B值。因此, B同位素作为一种灵敏的示踪剂被广泛应用于地球化学、环境化学和食品科学等领域。正热电离质谱法(PTIMS)因测试精度高,是测定B同位素组成最精确的方法。本文详细总结了PTIMS测定B同位... 在不同环境下, B具有不同的^(11)B/^(10)B值。因此, B同位素作为一种灵敏的示踪剂被广泛应用于地球化学、环境化学和食品科学等领域。正热电离质谱法(PTIMS)因测试精度高,是测定B同位素组成最精确的方法。本文详细总结了PTIMS测定B同位素组成的基本原理、带材料选择、石墨影响、石墨涂样顺序、点样形式、同质异位素的干扰以及离子峰接收方式,尤其是近几年在静态双接收测定B同位素上取得的成果和最新进展,以促进B同位素地球化学研究的进一步发展。 展开更多
关键词 B同位素 正热电离质谱法 测定 进展
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辽东硼成矿带研究进展
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作者 李勇 樊金虎 +5 位作者 李浩 马双 冯家新 王慧宁 郑军 李鹏 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期3214-3237,共24页
辽东地区是我国重要的硼矿资源产地,赋存硼矿的胶-辽-吉带古元古时期处于活动陆缘环境。辽东硼矿成因为沉积变质再造矿床,硼物质源于蚀变洋壳、俯冲沉积物、蛇纹石化地幔楔等俯冲洋壳系统的富硼地体,在洋壳向克拉通俯冲过程中,硼质在弧... 辽东地区是我国重要的硼矿资源产地,赋存硼矿的胶-辽-吉带古元古时期处于活动陆缘环境。辽东硼矿成因为沉积变质再造矿床,硼物质源于蚀变洋壳、俯冲沉积物、蛇纹石化地幔楔等俯冲洋壳系统的富硼地体,在洋壳向克拉通俯冲过程中,硼质在弧前释放进入岛弧火山系统参与热液循环,通过海底热泉等热液方式汇集于火山盆地形成含水硼酸盐初始矿层并被随后的火山沉积覆盖保存。在区域变质变形过程中,含水硼酸盐脱水重结晶并就位于变形构造形成的有利部位富集成矿。辽东硼同位素组成特征反应了对源区储库重硼的继承性,因此,用于探讨矿床成矿地质环境更具意义,而非用于海相和非海相沉积简单的对比。同产于含硼岩系中的含铜硫铁矿矿床沉积时间稍晚于硼矿床,两者空间上呈错位产出,据此可辅助找矿预测工作。区域上虎皮峪-红石砬子-清河复式背斜是辽河旋回多幕变形作用叠加形成的,宏观上控制含硼岩系硼矿床的空间分布。通过总结以往工作,建立了辽东硼矿床成矿模式和找矿模型,分析了找矿方向,特别指出的是,部分盖县岩组地层出露地区,深部具有寻找隐伏硼矿的探索空间,未来找矿前景可期。 展开更多
关键词 辽东半岛 胶-辽-吉古元古造山/活动带 硼成矿带 硼矿床成因 控矿构造 找矿方向
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稀土元素Ce对AISI 410钢膏剂渗硼层组织与性能的影响
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作者 石铭霄 徐清鹏 +3 位作者 李敬勇 茅卫东 李盛良 杨志东 《材料热处理学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期159-166,共8页
钢的表面强化技术在各个工业领域的应用都具有重要的实际意义。渗硼技术是最经济的选择之一,然而,该技术存在的主要问题是难以获得厚且致密的渗硼层。为解决这一问题,在AISI 410不锈钢表面进行了添加6 mass%的CeO_(2)的膏剂渗硼处理。... 钢的表面强化技术在各个工业领域的应用都具有重要的实际意义。渗硼技术是最经济的选择之一,然而,该技术存在的主要问题是难以获得厚且致密的渗硼层。为解决这一问题,在AISI 410不锈钢表面进行了添加6 mass%的CeO_(2)的膏剂渗硼处理。采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射、摩擦磨损实验和电化学工作站等研究了渗硼层的组织、物相和耐蚀耐磨性能。结果表明:渗硼层的显微组织由外到内分别是FeB和Fe_(2)B。在渗硼剂中添加CeO_(2)可以使AISI 410不锈钢基体表面产生更厚、更致密的渗硼层,从而提高其耐磨性和耐蚀性。稀土元素铈的催化机理可以归结为两个方面。首先,添加CeO_(2)可以参与渗硼过程中的化学反应,从而产生更活跃的硼原子。二是由于Ce原子尺寸大,扩散到钢表面会产生严重的晶格畸变,从而促进了硼原子的扩散。 展开更多
关键词 膏剂渗硼 二氧化铈 微观组织 耐磨性 耐蚀性
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导热绝缘高密度聚乙烯复合材料的制备与性能
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作者 王贯春 李瑶 +4 位作者 李吉祥 周生态 梁梅 邹华维 邱邵宇 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期39-46,共8页
文中采用片层状绝缘导热六方氮化硼(h-BN)和高导热导电铜粉(Cu)复配填充来提升高密度聚乙烯(HDPE)的导热性能。控制导热填料总体积分数为30%,通过改变h-BN和Cu在HDPE中的复配比例,实现复合材料中导热网络通路的构建。扫描电镜结果表明,h... 文中采用片层状绝缘导热六方氮化硼(h-BN)和高导热导电铜粉(Cu)复配填充来提升高密度聚乙烯(HDPE)的导热性能。控制导热填料总体积分数为30%,通过改变h-BN和Cu在HDPE中的复配比例,实现复合材料中导热网络通路的构建。扫描电镜结果表明,h-BN进入Cu粉无法占据的HDPE基体,起到桥梁作用。h-BN通过连接其周围的Cu粒子,促进了HDPE内部导热网络的形成与构筑。Hot Disk测试结果表明,随着h-BN/Cu比值增加,HDPE复合材料导热系数增大。当V(h-BN):V(Cu)≤1时,大片径h-BN_(30)/Cu体系的热导率高于小片径h-BN_(05)/Cu改性体系;与之相反,当V(h-BN):V(Cu)>1时,相对于大片径h-BN_(30),小片径h-BN_(05)对复合体系热导率的贡献更明显。通过调控h-BN与Cu的含量,实现了在抑制导电网络形成的前提下大幅改善复合材料的导热性能。其研究工作为导热绝缘复合材料的设计制备提供参考。 展开更多
关键词 高密度聚乙烯 氮化硼 铜粒子 导热网络 协同效应
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从高钙富硼老卤中提硼研究
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作者 张利珍 张永兴 +3 位作者 伊跃军 张秀峰 马亚梦 谭秀民 《有色金属(冶炼部分)》 CAS 北大核心 2024年第1期54-60,170,共8页
以青海某高钙富硼老卤为研究对象开展了提硼研究。结果表明,合适的萃取条件为:磺化煤油为稀释剂、异辛醇用量50%、萃取相比1.0、萃取混合时间15 min;合适的反萃条件为:反萃剂为pH=1的稀盐酸、反萃相比1.5、反萃混合时间15 min。以此条件... 以青海某高钙富硼老卤为研究对象开展了提硼研究。结果表明,合适的萃取条件为:磺化煤油为稀释剂、异辛醇用量50%、萃取相比1.0、萃取混合时间15 min;合适的反萃条件为:反萃剂为pH=1的稀盐酸、反萃相比1.5、反萃混合时间15 min。以此条件在5级混合澄清槽中完成了连续逆流萃取—反萃运转试验,连续运转45 h,硼萃取率为95.49%,硼与钾、钠、钙、镁的分离效果较好;硼反萃率为99.59%,反萃液中硼含量达17.17 g/L。采用“溶剂萃取—反萃—高温蒸发—低温冷却结晶—重溶—冷却结晶—过滤洗涤—干燥”工艺高效分离提取硼,硼总回收率为92.33%,制备出的硼酸产品达国家标准(GB/T 538—2018)要求。 展开更多
关键词 高钙富硼老卤 混合澄清槽 萃取 反萃 硼酸
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羟基化氮化硼改性PLA纳米纤维膜的制备及性能研究
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作者 王丽 李金强 +3 位作者 房志敏 谭文萍 明津法 王健 《棉纺织技术》 CAS 2024年第8期1-7,共7页
为拓展生物基可降解PLA纳米纤维膜在空气过滤等医疗卫生领域的应用范围,通过机械剥离与功能化改性方法制备羟基化氮化硼(BNO)二维纳米片,并采用静电纺丝工艺制备羟基化氮化硼纳米片改性聚乳酸(PLA/BNO)纳米纤维膜。探讨BNO纳米片的引入... 为拓展生物基可降解PLA纳米纤维膜在空气过滤等医疗卫生领域的应用范围,通过机械剥离与功能化改性方法制备羟基化氮化硼(BNO)二维纳米片,并采用静电纺丝工艺制备羟基化氮化硼纳米片改性聚乳酸(PLA/BNO)纳米纤维膜。探讨BNO纳米片的引入对PLA纳米纤维膜的微观结构与形貌、导热性能、力学性能以及空气过滤性能的影响。结果表明:与纯PLA纳米纤维膜相比,PLA/BNO纳米纤维膜的拉伸力学性能以及导热性能显著提高。当纺丝液中BNO纳米片质量分数为0.7%时,风速为0.01 m/s时,PLA/BNO纳米纤维膜的过滤效率为99.97%,品质因子达到最大值0.262 Pa^(-1),阻力压降最小为31 Pa,PLA/BNO纳米纤维膜的拉伸断裂强度以及导热系数较纯PLA纳米纤维膜分别提高27.39%和26.62%。 展开更多
关键词 聚乳酸 羟基化氮化硼 静电纺丝 过滤性能 导热性 力学性能
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含氟材料助燃硼粉研究进展
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作者 张为鹏 郭惠丽 +1 位作者 赵昱 庞维强 《兵器装备工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1-7,共7页
系统综述了含氟材料助燃硼粉的研究进展,并分析了助燃机制。研究表明,不论无机含氟材料、有机含氟材料还是自组装含氟材料,对硼粉燃烧都有一定的助燃效果。但是,不同含氟材料对硼粉的助燃效果有很大差异,新兴的自组装含氟材料结构规整,... 系统综述了含氟材料助燃硼粉的研究进展,并分析了助燃机制。研究表明,不论无机含氟材料、有机含氟材料还是自组装含氟材料,对硼粉燃烧都有一定的助燃效果。但是,不同含氟材料对硼粉的助燃效果有很大差异,新兴的自组装含氟材料结构规整,可能极具应用价值,值得深入研究。分析表明,含氟材料的助燃机制为氟自由基或含氟基团的自由基的催化作用,该发现对材料的应用场景具有重要参考意义。综合大量文献研究,作者首次提出,氢含量低、易于热解且热解时易产生氟原子及含氟烷烃、含氟烯烃的自由基的材料,对硼粉会具有更好的助燃效果。研究结果预计对火炸药行业从业者会有重要的参考价值。 展开更多
关键词 助燃 含氟材料 硼粉 助燃机制
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氧化硼对Al_(2)O_(3)-SiC-C质浇注料力学性能的影响
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作者 邵荣丹 鞠茂奇 +4 位作者 程水明 夏昌勇 李旭治 张寒 单江博 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第3期230-233,共4页
为了利用氧化硼“间接烧结”特性,进一步提升Al_(2)O_(3)-SiC-C质浇注料的力学性能,以氧化硼(≤0.075 mm)为助烧剂,制备了以FM60莫来石颗粒、致密刚玉、碳化硅、α-Al_(2)O_(3)微粉等为主要原料的浇注料,探究了氧化硼细粉加入量(加入质... 为了利用氧化硼“间接烧结”特性,进一步提升Al_(2)O_(3)-SiC-C质浇注料的力学性能,以氧化硼(≤0.075 mm)为助烧剂,制备了以FM60莫来石颗粒、致密刚玉、碳化硅、α-Al_(2)O_(3)微粉等为主要原料的浇注料,探究了氧化硼细粉加入量(加入质量分数分别为0、0.2%、0.4%和0.6%)对Al_(2)O_(3)-SiC-C质浇注料结构与性能的影响。结果表明,添加氧化硼细粉会显著提升浇注料的加水量,但其有利于晶须状莫来石的生成,从而加强骨料和基质间的结合强度,试样的力学性能得到明显提升。但当氧化硼细粉加入量提高至0.6%(w)时,试样中莫来石晶须长径比减小,试样的强度降低。综合以上结果,氧化硼最佳加入量为0.4%(w)。 展开更多
关键词 Al_(2)O_(3)-SiC-C质 浇注料 氧化硼 莫来石晶须
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BDD电催化耦合电解析处理载人航天器中冷凝废水的研究
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作者 王传增 周文兴 +3 位作者 余青霓 魏巍 卞强 杨润泽 《载人航天》 CSCD 北大核心 2024年第2期174-182,共9页
为解决在硼掺杂的金刚石电极(BDD)电催化处理冷凝废水中,由于冷凝废水电导率低而导致处理能耗较高的问题,提出了BDD电催化耦合电解析的新方法处理冷凝废水。在BDD反应器内填充吸附有无机盐的混合阴阳离子交换树脂,电催化处理冷凝废水时... 为解决在硼掺杂的金刚石电极(BDD)电催化处理冷凝废水中,由于冷凝废水电导率低而导致处理能耗较高的问题,提出了BDD电催化耦合电解析的新方法处理冷凝废水。在BDD反应器内填充吸附有无机盐的混合阴阳离子交换树脂,电催化处理冷凝废水时吸附在树脂上的离子在电场作用下解析下来进入废水中,并进行交替的吸附、解析及定向运动,从而改善废水的导电性,电极两端电压显著降低,停止加电后,离子又能重新交换吸附在树脂上。以Na_(2)SO_(4),Na_(3)PO_(4)以及NaNO_(3)作为电解质时,对总有机碳(TOC)去除没有影响;而以NaCl作为电解质时,TOC去除率随着NaCl添加量的增加而降低。 展开更多
关键词 冷凝废水 BDD 电催化耦合电解析 离子交换
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环保型钆硼柔性热中子吸收材料特性研究
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作者 王琦 郭晓林 +7 位作者 尹进南 王晓娟 原林 王博宇 方青龙 韩小祥 仇天祎 刘洋 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1364-1371,共8页
本文以聚苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯(SEBS)为基体、以Gd_(2)O_(3)、B_(4)C为功能填料,研制了一种柔性热中子吸收材料。SEM测试结果表明,不同含量的材料中Gd_(2)O_(3)和B_(4)C微米颗粒分布相对均匀;XRD和FT-IR测试结果表明,Gd_(2)O_(3)、... 本文以聚苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯(SEBS)为基体、以Gd_(2)O_(3)、B_(4)C为功能填料,研制了一种柔性热中子吸收材料。SEM测试结果表明,不同含量的材料中Gd_(2)O_(3)和B_(4)C微米颗粒分布相对均匀;XRD和FT-IR测试结果表明,Gd_(2)O_(3)、B_(4)C与基体SEBS未发生化学反应,属于物理性混合。通过实验和蒙特卡罗模拟进行热中子屏蔽性能验证,对照组材料的实验透射率为31.97%~35.35%,实验组材料的实验和模拟透射率分别为32.11%~36.54%和26.26%~31.31%。对实验组进行了热中子面透射率均匀性测试,结果表明,(10%Gd_(2)O_(3)+40%B_(4)C)/SEBS和(30%Gd_(2)O_(3)+40%B_(4)C)/SEBS材料的平均透射率分别为34.34%和31.60%,所有采样点的绝对偏差在±0.5%以内,标准差为0.33%和0.26%,离散系数为0.0096和0.0082。该柔性材料有效弥补了传统刚性射线屏蔽材料的不足,在核设施异形复杂结构表面包覆防护和可穿戴辐射防护服领域具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 中子防护 柔性材料 蒙特卡罗模拟
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造粒的氮掺杂碳纳米管基吸附剂对卤水中硼的吸附行为与机理
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作者 崔香梅 李可昕 +4 位作者 董明哲 潘彤彤 李旭日 叶秀深 罗清龙 《盐湖研究》 CAS CSCD 2024年第4期52-58,共7页
盐湖卤水中硼资源丰富,存在形式复杂多样,分离和回收硼的意义重大。基于N掺杂强静电与多羟基协同作用能够有效提高硼阴离子的分离机制,设计以水合肼为N源,多羟基的一维纳米材料碳纳米管(CNTs)为多羟基络合基,采用简单的一锅水热法合成了... 盐湖卤水中硼资源丰富,存在形式复杂多样,分离和回收硼的意义重大。基于N掺杂强静电与多羟基协同作用能够有效提高硼阴离子的分离机制,设计以水合肼为N源,多羟基的一维纳米材料碳纳米管(CNTs)为多羟基络合基,采用简单的一锅水热法合成了N掺杂的碳纳米管硼吸附材料(N-CNTs)。此外,以改性的聚丙烯腈为造粒剂,经造粒后,最大硼吸附容量为20.45 mg/g,特别在低浓度硼的分离中表现出优异的性能,这使N-CNTs成为硼的高效吸附材料。吸附机理为一维碳纳米管和改性聚丙烯腈的高比表面积上多羟基与N掺杂位置发生强静电协同增强络合吸附。硼吸附过程符合朗格缪尔吸附等温模型和准二阶动力学模型,在高浓盐多离子溶液中表现出优异的选择性硼吸附性能。该吸附剂在东台吉乃尔盐湖卤水中硼的吸附容量达18.92±1 mg/g,该技术在盐湖卤水及水处理行业具有较高的应用潜力。 展开更多
关键词 盐湖卤水 吸附法 碳纳米管 聚丙烯腈
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真空扩散对奥氏体灰铸铁渗硼层组织与性能影响的研究
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作者 曹驰 陈东升 +1 位作者 陈志林 宋相宇 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期436-444,共9页
为了改善奥氏体灰铸铁渗硼层厚度不足和脆性过大的问题,研究了渗硼处理和渗硼/真空扩散复合处理对奥氏体灰铸铁表面改性层摩擦磨损性能的影响和影响机理。利用光学显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、电子探针等设备对单一处理和复合处理试... 为了改善奥氏体灰铸铁渗硼层厚度不足和脆性过大的问题,研究了渗硼处理和渗硼/真空扩散复合处理对奥氏体灰铸铁表面改性层摩擦磨损性能的影响和影响机理。利用光学显微镜、能谱仪、X射线衍射仪、电子探针等设备对单一处理和复合处理试样的渗层进行了金相组织、元素分布、物相组成、表面硬度、截面硬度以及磨痕分析。结果表明:真空扩散对渗硼层有着增厚的作用,能够有效的将脆性较大的FeB相转化为脆性相对较小Fe2B相,改善渗硼层的耐磨性,但会使得渗层的表面硬度略微降低,渗层中石墨的粗化现象更为加重。 展开更多
关键词 真空扩散 固体渗硼 奥氏体铸铁 摩擦磨损
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高压密闭酸溶-电感耦合等离子体发射光谱法测定硼矿石中的硼
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作者 王蕾 于汀汀 +1 位作者 孙红宾 张保科 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期468-475,共8页
应用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)分析硼矿石中的硼含量,样品分解方法多采用酸溶法和熔融法,硼酸在浓酸溶液中加热蒸发时形成易挥发的BF_(3)或BCl_(3),造成硼的损失。熔融法可分解难溶于酸的硅硼钙石、电气石等样品,但将大量钠... 应用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)分析硼矿石中的硼含量,样品分解方法多采用酸溶法和熔融法,硼酸在浓酸溶液中加热蒸发时形成易挥发的BF_(3)或BCl_(3),造成硼的损失。熔融法可分解难溶于酸的硅硼钙石、电气石等样品,但将大量钠盐引入了样品中,基体较大,检出限高。本文建立了高压密闭酸溶、ICP-OES测定硼矿石中硼含量的方法。样品经硝酸和氢氟酸在高压密闭溶样罐中分解完全、定容稀释后,样品溶液用配备耐氢氟酸进样系统的ICP-OES测定。在ICP-OES中,硼有三条常用分析谱线,选取249.677nm为硼的分析谱线,标准曲线的线性相关系数大于0.9995。采用本方法对硼镁矿、锰方硼石和盐湖型固体硼矿三种类型5个不同含量范围的实际样品进行测定,相对标准偏差(RSD,n=11)为0.39%~2.66%,方法检出限为1.76μg/g,硼含量定量范围为5.87μg/g~10.8%。经标准物质验证,硼含量测定值与标准值一致,与容量法和微波消解法测定结果吻合。本方法试剂用量少,无需蒸干样品溶液,有效地避免了硼酸易挥发和试剂用量大的问题。 展开更多
关键词 硼矿石 高压密闭酸溶 电感耦合等离子体发射光谱法 耐氢氟酸进样系统
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硒对硼毒害下萝卜幼苗生理特性的影响
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作者 袁伟玲 陈卫芳 +2 位作者 刘志雄 陈磊夫 吴润 《中国农学通报》 2024年第16期36-42,共7页
在明确不同浓度硒和硼对萝卜幼苗生长影响的基础上,进一步探索硒对硼毒害下萝卜幼苗生物量及活性氧代谢的影响,旨在为减轻萝卜幼苗硼毒害提供技术支撑。以‘雪单1号’萝卜为试验材料,采用盆栽试验,设置5个硒浓度(0、2.5、5、7.5、10μmo... 在明确不同浓度硒和硼对萝卜幼苗生长影响的基础上,进一步探索硒对硼毒害下萝卜幼苗生物量及活性氧代谢的影响,旨在为减轻萝卜幼苗硼毒害提供技术支撑。以‘雪单1号’萝卜为试验材料,采用盆栽试验,设置5个硒浓度(0、2.5、5、7.5、10μmol/L)和5个硼浓度(0、125、250、500、750μmol/L),研究叶面喷施不同浓度的硒和硼对萝卜幼苗生长的影响;在此基础上,选取2个硼处理(250、500μmol/L),通过叶面喷施清水和适量硒(5μmol/L),研究适量硒对硼毒害下萝卜幼苗生理特性的影响。结果表明,萝卜幼苗鲜重随叶面喷施硒和硼浓度的增加呈现先增加后降低的趋势,萝卜幼苗适宜的硒喷施浓度为5μmol/L、叶面喷施硼浓度为500μmol/L时,萝卜幼苗出现中毒症状;与正常施硼(250μmol/L)相比,硼毒害(500μmol/L)显著降低了萝卜幼苗干物质重,增加了硼含量和硼累积量,降低萝卜幼苗过氧化氢酶(CAT)、过氧化物酶(POD)、抗坏血酸过氧化物酶(APX)和谷胱甘肽(GSH)的含量,增加过氧化氢(H_(2)O_(2))和丙二醛(MDA)含量。叶面喷施适量硒(5μmol/L),与无硒处理相比,硼毒害处理萝卜幼苗硼含量、硼累积量分别降低40.06%、37.36%,幼苗POD、CAT、APX抗氧化酶活性分别增加14.82%、17.45%、18.05%,非酶抗氧化物GSH、抗坏血酸(ASA)含量分别增加13.89%、5.88%,H_(2)O_(2)、MDA含量分别降低28.43%、20.45%。适量硒可以提高萝卜幼苗抗氧化作用,降低活性氧累积,减轻过量硼对萝卜幼苗产生的毒害,扩大植株对硼的适应范围。 展开更多
关键词 萝卜 硼毒害 抗氧化酶活性 非酶抗氧化物含量
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石墨烯与六方氮化硼导电性差异的理论研究
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作者 李晓艳 刘晴 +2 位作者 钟雨芙 罗培研 曾艳丽 《大学化学》 CAS 2024年第1期364-368,共5页
石墨烯和六方氮化硼(h-BN)属于等电子体。二者具有类似的结构,但导电性能截然不同。石墨烯具有良好的导电性能,但h-BN是电绝缘体。本文基于量子化学计算,通过自然键轨道分析、电子密度拓扑分析、核独立化学位移(NICS)和磁感应电流密度(A... 石墨烯和六方氮化硼(h-BN)属于等电子体。二者具有类似的结构,但导电性能截然不同。石墨烯具有良好的导电性能,但h-BN是电绝缘体。本文基于量子化学计算,通过自然键轨道分析、电子密度拓扑分析、核独立化学位移(NICS)和磁感应电流密度(AICD)等方法对模型分子C24H12及B12N12H12的电子结构进行了分析,对石墨烯和h-BN导电性差异进行了理论解释。研究结果有助于加深学生对等电子体、定域、离域π键等基本概念的理解。 展开更多
关键词 石墨烯 六方氮化硼 导电性
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