SeN^n(n=0,+1,+2,-1)基态及SeN低激发态a(~4Π_i)、A^2Π势能函数与稳定性研究

采用6-311++G**基组、B3LYP方法对SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6-311++G**含时方法对SeN分子低激发态a(4Πi)、A2Π进行了计算,得到SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态a(4Πi)、A2Π的平衡几何结构、电子状态、谐振频率、偶极矩、离解能De等相关性质,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数(Be、eα、ωe、和ωeχe)和力学性质.理论计算值与相关文献值吻合较好,说明用B3LYP(TDB3LYP)/6-311++G**方法计算SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态和SeN分子激发态微观结构性质是可行的.计算结果表明SeNn(n=0,+1,+2,-1)分子离子基态是可稳定存在的,其稳定性次序为SeN->SeN>SeN+>SeN2+.

N(2,2,0)代数的E-反演半群

本文研究了N(2,2,0)代数(S,*,△,0)的E-反演半群.利用N(2,2,0)代数的幂等元,弱逆元,中间单位元的性质和同宇关系,得到了N(2,2,0)代数的半群(S,*)构成E-反演半群的条件及元素α的右伴随非零零因子唯一,且为α的弱逆元等结论,这些结果进一步刻画了N(2,2,0)代数的结构.

N-(4-甲基-2-氨基苯并噻唑)α-氨基-α-(3-三氟甲基苯基)-O,0-二(2-烷氧基乙基)亚膦酸酯对小麦赤霉病原菌的抑制活性及作用机制的初步探究

实验室条件下采用生长速率法测定化合物N-(4-甲基-2-氨基苯并噻唑)α-氨基-α-(3-三氟甲基苯基)-O,O-二(2-烷氧基乙基)亚膦酸酯对小麦赤霉病原菌(Fusarium graminearum)的离体抑制效果,并初步研究了其抑制小麦赤霉病原菌作用机制。实验结果表明,该化合物对小麦赤霉病原菌的EC_(50)为46.05μg/mL,当化合物浓度为50μg/mL时,对该病原菌的抑制率就达到了60.5%。以浓度为250μg/mL的该供试化合物处理小麦赤霉病原菌菌丝24 h后,其细胞膜通透性增强,菌体内还原糖、几丁糖和可溶性蛋白含量及几丁质酶活性在短时间内均出现先升高然后下降的趋势。

N(2,2,0)代数的I-V模糊子代数

模糊子代数是模糊代数的一个重要研究内容。在N(2,2,0)代数中引入I-V模糊子代数概念,讨论N(2,2,0)代数的I-V模糊子代数的若干性质,证明N(2,2,0)代数的I-V模糊子代数的交以及同态像也是I-V模糊子代数。

Lusin面积积分函数在Lipα(R^n)(0<α

本文证明了 Lusin面积积分函数 S( f)的一个性质 ,即当 f∈Lipα( Rn) ( 0 <α<min{ε,2 - 1})时 ,若存在点 x0 使得 S( f ) ( x0 ) <∞ ,则 S( f)∈ Lipα( Rn) ( 0 <α<min{ε,2 - 1})且‖ S( f )‖∧α≤ C‖ f‖∧α这里 C仅与 n、α有关 .

N(2,2,0)代数的一个理想

考虑N(2,2,0)代数(S,*,Δ,0)的一个子类G={x|x∈S,x*a=a,a∈S},证明G是(S,*,Δ,0)的一个理想,用G给出(S,*,Δ,0)的一个同余分解,证明商代数仍是N(2,2,0)代数,研究自然同态下一类逆像的代数结构和性质.

N(2,2,0)代数的另一个同余分解

给出了N(2,2,0)代数的一个同余分解,研究了商代数的代数结构,并探讨了自然同态下一类逆象的代数结构和性质.

关于N(2,2,0)代数的中间幂等元

为了深入研究N(2,2,0)代数的代数结构,在N(2,2,0)代数中建立了中间幂等元的概念,讨论了它的基本性质,给出了中间幂等元关联的集合Mg是(S,?,,0)的子代数的一个条件.证明了当N(2,2,0)代数中包含一个右零半群时,Mg是幂等元集E(S)的子集.并利用Mg定义了一个等价关系.

N(2,2,0)代数的两类同余分解

给出了N(2,2,0)代数(S,*,△,0)的两类同余分解,研究了其商代数的代数结构,并研究了自然同态下一类逆象的代数结构和性质,最后证明了在半群(S,*)右可约化的条件下两类同余分解是一致的.

SeF_n(n=0,+1,+2)基态及SeF低激发态的势能函数与微观性质

为了弄清氟与硒相互拮抗作用的动力学特征,了解SeFn(n=0,+1,+2)分子离子基态和激发态势能函数及微观结构、性质的基本信息是必要的.本文采用6-311++G**基组、B3LYP方法对SeFn(n=0,+1,+2)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6-311++G**含时方法对激发态B12Π、B22Π进行了计算,得到SeFn(n=0,+1,+2)分子离子基态和SeF分子激发态B12Π、B22Π的平衡几何结构、电子状态、谐振频率、偶极矩、离解能De等性质,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,光谱参数Be、αe、ωe、和ωeχe,由此计算对应的光谱参数和力学性质.理论计算值与相关文献值吻合较好,说明用B3LYP(TDB3LYP)/6-311++G**方法计算SeFn(n=0,+1,+2)分子离子基态和激发态微观结构性质是可行的.

对N(2,2,0)代数的两类同余分解

本文推广了文[6]中的同余关系并对新的同余关系得到了与文[6]相同的结果.

N(2,2,0)代数的稳定化子与同余分解

为了深入研究N(2,2,0)代数的代数结构,首先利用代数的推理方法进一步研究了N(2,2,0)代数的稳定化子,改进了以前学者的部分结果,然后利用稳定化子建立了一种同余关系,给出了N(2,2,0)代数的同余分解,证明了其商代数仍是N(2,2,0)代数,并获得了自然同态下一类逆像的代数结构和性质.

电荷对VF^(n±)(n=0,1,2)双原子分子离子光谱与分析势能函数的影响

用密度泛函B3LYP/6-311++g(d,p)方法对VFn±(n=0,1,2)分子离子的势能函数及光谱常数进行了分析,结果表明它们都能稳定存在,其基态电子态分别为5Π(VF),4Σ(VF+),4Σ(VF-),3Σ(VF2+),5Σ(VF2-),其中2价离子的势能函数曲线明显呈"火山口"型,属于亚稳态分子离子,用8参数Murrell-Sorbie势拟合2价亚稳态双原子分子离子势能函数得到的拟合曲线与势能扫描点符合得非常好,而4参数Murrell-Sorbie势对2价离子的拟合与势能扫描点有较大的差距.

SeBr^n(n=0,+1,+2)基态及SeBr低激发态的势能函数及微观性质

采用6-311++G**基组、B3LYP方法对SeBrn(n=0,+1,+2)分子离子基态进行了结构优化和频率计算,用TDB3LYP/6-311++G**含时方法对激发态B12Π、B22Π进行了计算,得到SeBrn(n=0,+1,+2)分子离子基态和SeBr分子激发态B12Π、B22Π的平衡几何结构、电子状态、谐振频率、偶极矩、离解能De等相关性质,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,光谱参数Be、eα、ωe、和ωeχe,由此计算对应的光谱参数和力学性质.理论计算值与相关文献值吻合较好,说明用B3LYP(TDB3LYP)/6-311++G**方法计算SeBrn(n=0,+1,+2)分子离子基态和激发态微观结构性质是可行的.

CuH^n(n=0,+1,+2)分子及离子的势能函数与垂直电离势(英文)

为了弄清CuH在镁基合金储氢材料中运用,首先需了解CuHn(n=0、+1、+2)分子及离子体系势能函数和稳定性的信息,本工作用原子分子反应静力学原理推导出了CuHn(n=0、+1、+2)的基态电子状态及其离解极限.基于SDD和6-311G**基组,用B3PW91方法计算了他们的平衡几何、电子状态,在此基础上分别计算了CuH,CuH+1的Murrell-Sorbie解析势能函数和CuH+2的解析势能函数及其对应的力常数、光谱参数.CuHn(n=+1,+2)离子的垂直电离势为:I+=-965.00eV,I++=-944.70eV.计算表明CuH+、CuH2+的势能曲线均具有对应于稳定平衡结构的极小点,说明CuH+、CuH2+可稳定存在.

Spatial distribution of SiCln （n=O-2） in SICl4 plasma measured by mass spectroscopy

For a better understanding of the deposition mechanism of thin films in SiCl4 source gas, we have measured the spatial distributions of SiCln （n=0-2） radicals in SICl4 radio frequency glow discharge plasma utilizing a mass spectrometer equipped with a movable gas sampling apparatus. The experimental results demonstrate that the relative densities of SiCln （n=0-2） radicals have peak values at the position of 10 mm above the powered electrode along the axial direction; the relative densities of the Si and SiCIn （n=1, 2） radicals have peak values at the positions of 27mm and 7 mm away from the axis along the radial direction, respectively. Generally speaking, in the whole SICl4 plasma bulk region, the relative density of Si is one order of magnitude higher than that of SICl, and the relative density of SiCl is several times higher than that of SICl2. This reveals that Si and SiCl may be the primary growth precursors in forming thin films.

强N(2,2,0)代数

在N（2，2，0）代数的基础上引入了强N（2，2，0）代数的概念，并讨论了强N（2，2，0）代数的基本关联结构和关联并结构的性质．

关于N(2,2,0)代数的稳定化子

进一步研究N(2,2,0)代数的稳定化子,利用稳定化子给出N(2,2,0)代数的一类同余分解,获得自然同态下一类逆像的代数结构和性质.

N(2,2,0)代数的两类同余分解的继续研究

继续研究N(2,2,0)代数的两类同余分解,得到几个新的结论.

用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响

用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×10^9cm^-3。结果发现,在0.4-0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln（n=0-2）基团很有利。在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值。生成较多的SiCln（n=0-2）基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量。