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二维层状In2Se3铁电材料的光敏传感性能研究
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作者 陈芸 邢思玮 +1 位作者 周雪 侯鹏飞 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期107-113,共7页
α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其... α-In2Se3是一种同时具有稳定面内和面外极化的窄禁带二维铁电材料,探究其铁电极化与光电导性能关联对促进其光敏传感器的应用具有重要意义.该文采用微机械剥离法获得了平面尺寸在50μm以上的α-In2Se3纳米片,利用原子力显微镜研究了其自发极化特性.制备了Pt/α-In2Se3/Pt光敏器件单元,研究了明暗条件下Pt/α-In2Se3/Pt器件单元I-V特性以及高压极化对光敏性能的影响.结果表明:二维层状α-In2Se3具有较好的光敏性能,且高压极化将大幅优化器件的光敏特性.高压极化使器件的响应时间明显缩短,1V电压明暗条件开关比提高至10^3以上.可见,铁电极化对于α-In2Se3纳米片的光电导效应具有重要影响,高压极化操作能够有效地提高其光敏性能. 展开更多
关键词 α-in2se3 光电导 微机械剥离法 高压极化 开关比
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Stacking driven Raman spectra change of carbon based 2D semiconductor C_(3)N
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作者 Yucheng Yang Wenya Wei +5 位作者 Peng He Siwei Yang Qinghong Yuan Guqiao Ding Zhi Liu Xiaoming Xie 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2022年第5期2600-2604,共5页
As a two-dimensional carbon based semiconductor,C_(3)N acts as a promising material in many application areas.However,the basic physical properties such as Raman spectrum properties of C_(3)N is still not clear.In thi... As a two-dimensional carbon based semiconductor,C_(3)N acts as a promising material in many application areas.However,the basic physical properties such as Raman spectrum properties of C_(3)N is still not clear.In this paper,we clarify the Raman spectrum properties of multilayer C_(3)N.Moreover,the stacking driven Raman spectra change of multilayer C_(3)N is also discussed. 展开更多
关键词 C_(3)N Raman spectrum Carbon based semiconductor 2D materials Stacking structure
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共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响 被引量:1
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作者 崔教林 张晓军 +1 位作者 李奕沄 高榆岚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2118-2122,共5页
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m... α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。 展开更多
关键词 α-in2se3基半导体 禁带宽度(Eg) 热电性能
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