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新一代封装PrimePACK^TM3+提升IGBT5模块性能
被引量:
5
1
作者
赵振波
Wilhelm Rusche
Andre R.Stegner
《大功率变流技术》
2016年第1期26-29,38,共5页
为了充分发挥IGBT5所具有的高结温特点,新一代Prime PACKTM3+封装结合最新的.XT技术和新的设计方法,在保持Prime PACKTM3封装尺寸的基础上确保模块输出更大的电流。Prime PACKTM3+模块内部增加了一个交流母排和交流输出功率端子,使其电...
为了充分发挥IGBT5所具有的高结温特点,新一代Prime PACKTM3+封装结合最新的.XT技术和新的设计方法,在保持Prime PACKTM3封装尺寸的基础上确保模块输出更大的电流。Prime PACKTM3+模块内部增加了一个交流母排和交流输出功率端子,使其电流输出能力提升近30%,且在相比Prime PACKTM3芯片最高允许工作温度增加了25℃的情况下仍可有效地降低模块内部的最高温度水平。IGBT5芯片提高了电流密度,在相同模块封装尺寸下,需优化器件以实现软关断特性和损耗之间的平衡关系,从而降低尖峰关断电压水平,满足在RBSOA区(反向偏压安全工作区)的重复关断电流能力需求。
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关键词
IGBT5
PrimePACKTM3+
.xt技术
电流密度
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职称材料
题名
新一代封装PrimePACK^TM3+提升IGBT5模块性能
被引量:
5
1
作者
赵振波
Wilhelm Rusche
Andre R.Stegner
机构
英飞凌科技(中国)有限公司
英飞凌科技股份公司
英飞凌科技股份公司
出处
《大功率变流技术》
2016年第1期26-29,38,共5页
文摘
为了充分发挥IGBT5所具有的高结温特点,新一代Prime PACKTM3+封装结合最新的.XT技术和新的设计方法,在保持Prime PACKTM3封装尺寸的基础上确保模块输出更大的电流。Prime PACKTM3+模块内部增加了一个交流母排和交流输出功率端子,使其电流输出能力提升近30%,且在相比Prime PACKTM3芯片最高允许工作温度增加了25℃的情况下仍可有效地降低模块内部的最高温度水平。IGBT5芯片提高了电流密度,在相同模块封装尺寸下,需优化器件以实现软关断特性和损耗之间的平衡关系,从而降低尖峰关断电压水平,满足在RBSOA区(反向偏压安全工作区)的重复关断电流能力需求。
关键词
IGBT5
PrimePACKTM3+
.xt技术
电流密度
Keywords
IGBT5
PrimePACK^TM3+
.xt
technology
current density
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新一代封装PrimePACK^TM3+提升IGBT5模块性能
赵振波
Wilhelm Rusche
Andre R.Stegner
《大功率变流技术》
2016
5
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