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0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制
被引量:
1
1
作者
陈旭南
姚汉民
+1 位作者
林大键
刘业异
《微细加工技术》
1997年第4期1-7,共7页
本文介绍0.7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm,缩少倍率5倍.曝光视场15mm×15mm.光刻工作分辨力0.6μm,并具有双路暗场同轴对准.又能精确分...
本文介绍0.7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm,缩少倍率5倍.曝光视场15mm×15mm.光刻工作分辨力0.6μm,并具有双路暗场同轴对准.又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。
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关键词
0.
7
微米i线
微电子技术
光刻曝光系统
下载PDF
职称材料
题名
0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制
被引量:
1
1
作者
陈旭南
姚汉民
林大键
刘业异
机构
中国科学院光电技术研究所
出处
《微细加工技术》
1997年第4期1-7,共7页
文摘
本文介绍0.7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm,缩少倍率5倍.曝光视场15mm×15mm.光刻工作分辨力0.6μm,并具有双路暗场同轴对准.又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。
关键词
0.
7
微米i线
微电子技术
光刻曝光系统
Keywords
{
0.
i-line
projection lithography exposure
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制
陈旭南
姚汉民
林大键
刘业异
《微细加工技术》
1997
1
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职称材料
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