基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导

对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的在片背腔贴片天线（英文）

提出了一款基于0.13μmSiGeBiCMOS工艺设计、加工的340GHz在片背腔贴片天线.辐射贴片位于AM 金属层带状线馈线置于 LY 金属层并通过连接 AM 金属层和 LY 金属层的金属化通孔对辐射贴片馈电.通过设计连接 AM 金属层和 M1 金属层的金属化通孔形成谐振腔体展宽了天线阻抗带宽、提升了天线辐射性能.天线的仿真阻抗带宽(S11≤-10dB)为9.2GHz(335.6~344.8GHz).天线在340GHz处的仿真增益为3.2dBi.天线的整体尺寸为0.5×0.56mm2.

华润上华发布多款新型BCD及0.13μm工艺平台

华润上华近日发布其新近开发的BCD工艺平台，同时其8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13μm工艺平台，以满足客户在新兴半导体应用市场的需求。

0.13μm铜连线技术中的双镶嵌刻蚀工艺中的电荷效应研究(英文)

在0.13μm铜连线技术节点上,双镶嵌等离子体刻蚀的优化是最具有挑战性的问题之一。通过理论模型分析和实验对双镶嵌结构的刻蚀技术进行了研究。解释了等离子体电荷累积过程。提出了一个简化的模型并进行了定性的计算。模型和实验的结果表明:通过对等离子体刻蚀参数的优化可以产生一个能减少底部防反光层的围墙式缺陷的刻蚀剖面。

采用0.13μm CMOS工艺开关电容ΔΣ调制器的设计和实现

采用0.13μm CMOS工艺设计并实现了一个开关电容2阶ΔΣ调制器.该调制器能够将一个中心频率为455 kHz,带宽为10 kHz的调幅信号转换成具有10位分辨率、信噪比为62 dB的1位编码信号.在设计运算放大器时,充分考虑了短沟道晶体管设计的一些特殊要求,特别是考虑了MOS场效应管的输出电导gd这个非常敏感的设计参数.所设计电路的芯片的面积为260μm×370μm,工作电压为1.2 V.与其它的同类调制器相比,由于采用0.13μm CMOS工艺进行设计,因而芯片面积小,工作电压低.

基于0.13μm工艺的切断反馈回路单粒子效应加固电路的研究

对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工作频率下对LET为25 MeV·cm^2/mg的单粒子轰击达到加固,相比于同类结构拥有更小的面积和功耗.

SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进

针对IMEC0．13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管，在25～125℃温度范围内，对其进行了包括Early电压，Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量，提取了该器件在25～125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数．在此基础上，为Mextram 504模型对0．13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案．提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进，优化了提取流程．对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论，为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数，提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度．

10Gb/s宽动态范围CMOS跨阻前置放大器

采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为58.57dBΩ(848Ω),-3dB带宽为12GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为24.7pA/(Hz,1.2V单电压源下功耗为21.84mW,其中8mW来自输出缓冲.输入电压信号动态范围36.5dB(12mV～800mV).包括焊盘在内的芯片面积仅为0.462×0.566mm2.

O.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。

光通信用宽动态范围10Gb/s CMOS跨阻前置放大器

采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现。同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围。后仿真结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为57.6 dBΩ,-3 dB带宽为10.7 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度为18.76 pA/sqrt(Hz),1.2V单电压源下功耗为21 mW,输入信号动态范围40 dB(10μA^1 mA)。芯片面积为0.462 mm×0.566 mm。

宽带电台中的CMOS自动增益控制设计

自动增益控制(AGC)环路能够实现对输出信号幅度的精确控制,是射频接收器中不可或缺的一部分。提出了一种用于射频宽带电台中的自动增益控制环路。针对自动增益控制环路,从可编程增益放大器(PGA)、可变增益放大器(VGA)和峰值比较器3个角度论述了电路结构和设计方法。对AGC的功能实现和性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明,该自动增益放大器在0.13μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺下,具有80 d B动态范围,增益步进为1 d B。

Synopsys的Design Ware USB2．0 nanoPHY和PCI Express PHY IP可用于中芯国际的0．13μm工艺

Synopsys公司宣布基于中芯国际130nm G工艺的DesignWare USB2．0nanoPHY IP已获USB标志认证，PCI Express（PCIe）PHY IP已通过一致性测试。作为用于PCI Express和USB2．0的完整IP解决方案的技术供应商，Synopsys一贯为设计者提供高质量IP，该IP不但集成风险低、上市时间短，而且具有很高的互操作能力和标准兼容性。

美普思推出MIPS32 24K核心系列进阶版

美普思科技(MIPS)日前宣布推出MIPS32 24K核心系列的进阶版，是嵌入式产业中极高的微处理器执行效能，以0．13μm工艺在小于3．0mm^2的芯片上能达到625MHz与900 Dhrystone MIPS的执行效能。MIPS 24K核心系列是MIPS产品中，在短时间内争取到更多授权案的产品。使用24K核心的应用范围以数字消费性电子、网络和办公室自动化等市场为主。

0．13μm嵌入式闪存：闪存

上海宏力半导体制造有限公司，宣布其代工的0．13μm嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。