采用0.25μmCMOS工艺的SOC电源管理IP模块

设计了一个采用0.25μmCMOS工艺的电源管理IP模块。该模块包含DC/DC转换/调整、上电复位、低电压监测和后备电源自动切换功能,通过对电源的动态管理,可提供稳定的系统电源。该IP模块能够提供独立的数字电源、模拟电源和闪存电源,具有工作稳定,高电源噪声抑制比和较低的温度系数等显著优点。其接口符合VSIA标准,完全适用于深亚微米SOC的集成设计。

基于0.13μm工艺的低电压CMOS场效应管输出电导

对采用0.13μm工艺(p13)低电压工作条件下的CMOS模拟集成电路设计中场效应管的模型参数输出电导gd进行了研究,给出了设计公式。根据所研究的结果设计了一个两级运算放大器电路并进行了仿真。仿真结果与设计结果吻合得很好,证明了设计公式的有效性。

Al-9.0Zn-2.06Mg-2.12Cu-0.13Zr合金挤压工艺研究

通过对最新研发的高合金化Al-9. 0Zn-2. 06Mg-2. 12Cu-0. 13Zr合金均匀化退火后铸锭样品,进行不同温度和应变速率的热压缩试验,并结合组织分析,确定出新型合金的最佳变形温度和变形速率,进而通过在工业化条件下对挤压工艺进行验证,制定出新型合金合理的挤压工艺参数。挤压温度420℃±10℃,挤压速度0. 2 mm/s±0. 05 mm/s。

Al-9.0Zn-2.06Mg-2.12Cu-0.13Zr合金固溶工艺试验研究

超强高韧耐蚀铝合金是航空航天铝合金挤压材的发展方向。为此,进行了更高合金成分配比的Al-9. 0Zn-2. 06Mg-2. 12Cu-0. 13Zr合金挤压材的研制。为了获得更好的固溶效果,对Al-9. 0Zn-2. 06Mg-2. 12Cu-0. 13Zr合金进行单级固溶、双级固溶工艺对比试验,结合DSC曲线分析和组织观察,确定本试验合金宜采用的固溶工艺为450℃2 h+470℃4 h。

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的在片背腔贴片天线（英文）

提出了一款基于0.13μmSiGeBiCMOS工艺设计、加工的340GHz在片背腔贴片天线.辐射贴片位于AM 金属层带状线馈线置于 LY 金属层并通过连接 AM 金属层和 LY 金属层的金属化通孔对辐射贴片馈电.通过设计连接 AM 金属层和 M1 金属层的金属化通孔形成谐振腔体展宽了天线阻抗带宽、提升了天线辐射性能.天线的仿真阻抗带宽(S11≤-10dB)为9.2GHz(335.6~344.8GHz).天线在340GHz处的仿真增益为3.2dBi.天线的整体尺寸为0.5×0.56mm2.

基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计

设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。

Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2前驱体制备过程中共沉淀工艺参数的优化

在Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2的制备过程中,通过扫描电镜（SEM）对前驱体MCO3（M=Mn,Ni,Co）颗粒大小及形貌进行了考察,对共沉淀体系的工艺参数优化结果如下：pH值为7.08.0,氨水浓度为0.27 mol/L,采用4 m L/min并流加料、磁力搅拌条件下,60℃下反应6 h。

华润上华发布多款新型BCD及0.13μm工艺平台

华润上华近日发布其新近开发的BCD工艺平台，同时其8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13μm工艺平台，以满足客户在新兴半导体应用市场的需求。

0.13微米制造工艺的应用 明后年将达到高峰

英特尔发表的有关企业产品制造状况表明,目前英特尔晶圆厂具备实时支持能力,而且已经具有90纳米研发生产技术,未来晶圆厂产能利用会先以处理器为主,并进一步扩展到无线通讯、闪存生产方面,而2003～2004年将是0.13微米制造工艺生产高峰.

O.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。

0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化

通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。

IBM推出0．13微米SiGe BiCMOS工艺

IBM日前宣布推出被称为8HP的第四代硅锗Foundry技术，据称其性能可达到上一代技术的两倍以上。这种全新的130纳米硅锗双极互补金属氧化半导体（SiGe-BiCMOS）Foundry技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并应用在放撞汽车雷达等创新应用上。

Synopsys的Design Ware USB2．0 nanoPHY和PCI Express PHY IP可用于中芯国际的0．13μm工艺

Synopsys公司宣布基于中芯国际130nm G工艺的DesignWare USB2．0nanoPHY IP已获USB标志认证，PCI Express（PCIe）PHY IP已通过一致性测试。作为用于PCI Express和USB2．0的完整IP解决方案的技术供应商，Synopsys一贯为设计者提供高质量IP，该IP不但集成风险低、上市时间短，而且具有很高的互操作能力和标准兼容性。