采用0.13微米工艺实现低成本多处理器平台

LSI的Zevio项目表明,消费电子领域的成功并非总是意味着要用最新最好的工艺技术实现最快的SoC。

0.13微米制造工艺的应用 明后年将达到高峰

英特尔发表的有关企业产品制造状况表明,目前英特尔晶圆厂具备实时支持能力,而且已经具有90纳米研发生产技术,未来晶圆厂产能利用会先以处理器为主,并进一步扩展到无线通讯、闪存生产方面,而2003～2004年将是0.13微米制造工艺生产高峰.

华润上华发布多款新型BCD及0．13微米工艺平台

华润上华近日发布其新近开发完成的BCD工艺平台，同时由其持有19％股权的8英寸生产线也推出多款新型BCD和0．13微米工艺平台，以满足客户在离线电源、LED照明驱动等AC—DC转换电路，高电压、高效能及高集成度等应用市场的需求。

首颗0．13微米TD—SCDMA手机核心芯片国内诞生

重庆邮电学院日前向业界宣布，该学院成功研制开发出0．13微米工艺的TD—SCDMA 3G手机核心芯片，这标志着我国3G通信核心芯片的关键技术有了新的突破。

开发特色工艺平台,成就客户产品芯愿——在2009中国半导体市场年会上的演讲

华虹NEC为国内外客户提供涵盖1．0-0．13微米工艺的、专业的、高附加值代工服务，成功开发了嵌入式非挥发性存储器（Embedded Non—volatile Memory，eNVM）、模拟／电源管理芯片、高压、射频以及功率器件等特色工艺平台（见下图）以及逻辑、混合信号等通用工艺平台，代工产品已广泛应用于智能卡（第二代身份证卡、SIM卡、社保卡等）、通讯、计算机、消费类电子以及汽车电子等领域。

采购集市

嵌入式系统 Xilinx新版DSP开发工具提升DSP性能;ST0．13微米工艺微控制器；瑞萨16位MCU新增30款新品；模拟 TI低功耗零交越运算放大器；ADI仪表放大器增益达1000；

我国率先突破3G通信核心芯片关键技术

世界上第一颗采用0．13微米工艺的TDSCDMA手机基带芯片“通芯一号”，日前由重庆重邮信科股份有限公司研发成功。该芯片的研发成功，标志着我国3G通信核心芯片的关键技术已达到世界领先水平，并使3G手机芯片大踏步走向商用化。

富士通、TI竞推1Mb以上FRAM

日本经济新闻引述Semiconductor Reporter报导指出，期盼已久的铁电RAM(Ferroelectric Random Access Memory；FRAM)终于又有令人振奋的消息，自从富士通微电子美国分公司(Fujitsu Microelectronics America)日前推出两款IMb FRAM芯片，并声称该公司的1Mb FRAM芯片已达到量产阶段以来，在FRAM领域耕耘已7年之久的通讯芯片大厂TI亦马上回应指出，预计推出0．13微米工艺4Mb嵌入式FRAM(embedded FRAM；eFRAM)。