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在双镶嵌铜互联中0.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
1
作者 PrabuGopalraja SurajRengarajan 等 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期42-46,共5页
关键词 半导体制备工艺 双镶嵌铜互联 0.13微米器件 PVD ALD 阻挡层
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0．13微米铜导线微处理器出炉
2
《世界产品与技术》 2002年第10期79-79,共1页
关键词 0.13微米 铜导线 微处理器
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TI挑战性能极限720MHz DSP闪亮登场
3
作者 钰 《电子产品世界》 2003年第04B期81-81,共1页
关键词 德州仪器公司 DSP TMS320C6416 TMS320C6415 TMS320C6414 数字信号处理器 0.13微米铜工艺技术
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中芯国际推出LDO线性稳压器智能模块
4
《集成电路应用》 2006年第1期16-17,共2页
中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）日前宣布推出低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列，适用于0．13微米至0．35微米逻辑／混合信号和0．18微米以及0．35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。此系列的建立更丰富了中芯国际的电源... 中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）日前宣布推出低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列，适用于0．13微米至0．35微米逻辑／混合信号和0．18微米以及0．35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。此系列的建立更丰富了中芯国际的电源管理系列智能模块。中芯国际的低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列已经过硅验证并可以提供给客户使用，有些已经正式进入量产。此智能模块可嵌入于多种应用设备中，如手机、数码相机、MP3、 展开更多
关键词 中芯国际集成电路制造有限公司 线性稳压器 智能模块 LDO 0.18微米 0.13微米 只读存储器 工艺技术 CMOS 混合信号
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电脑硬件新品展示：承启FX5950U显卡
5
《网友世界》 2004年第1期61-61,共1页
关键词 电脑硬件 承启FX5950U显卡 0.13微米铜连接工艺 兼容性 显存容量
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英特尔推出采用90纳米量产的Intel Pentium4处理器
6
《电子测试（新电子）》 2004年第3期100-100,共1页
关键词 英特尔公司 PENTIUM4处理器 超线程技术 0.13微米工艺技术
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紫光AL220M笔记本电脑
7
作者 别理我 《电脑新时代》 2002年第11期43-43,共1页
关键词 紫光AL220M 笔记本电脑 移动处理器 0.13微米铜工艺
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