基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计

设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器的设计

介绍了一款基于SiGe BiCMOS工艺的Ka波段低噪声放大器(LNA)的设计与测试。分析了毫米波频段硅基集成电路的匹配设计方法,给出了HBT晶体管电流密度与噪声系数的关系,以及最佳噪声偏置点的选取方法。并基于以上方法设计了单级共基共射低噪声放大器,LNA芯片基于Global Foundry 8HP工艺流片验证。测试结果表明,该LNA实现了30~40GHz的-1dB带宽、小于3.5dB的噪声系数以及6.2dBm的1dB压缩输出功率(P-1dB);输入输出反射系数均小于-15dB,中心频率(35GHz)处增益为7.2dB(单级),LNA的直流电流为6.7mA,电源电压为1.8V。

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。

GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响

栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。

基于CMOS工艺的音频前置放大器的设计与实现

设计了一种基于CMOS技术的双声道四输入音频前置放大器芯片.芯片集成了音量控制、响度控制、可选择增益控制等功能,采用I2C介面控制,具有低失真、高可靠度等特点.放大器采用新颖的双级CMOS放大器结构,该结构简单,开环输出增益高,共模输入范围大,只有一个频率补偿电容.芯片根据国内生产线而设计制造,在ACSMC的3μm9V高压CMOS工艺线上流片,版图面积为3.0mm×2.6mm,样片经用户测试符合设计要求,可以产业化.

中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40nm以及55nm

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布其45nm的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术将延伸至40nm以及55nm。 这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备（如3G／4G手机）。

622Mbit/s光接收模块CMOS限幅放大器前端设计

文章采用0.25μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺设计了一种622 Mbit/s速率光接收模块的限幅放大器,整个系统包括偏置电路、输入缓冲、三级放大、输出缓冲和直流反馈,采用全差分结构。利用3.3 V电源供电,功耗约为109 mW,电路增益可达97 dB,在46 dB的输入动态范围内可以保持790 mV的恒定输出摆幅。

基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计

研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。

中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40及55纳米

C114讯 10月15日早间消息（常山）中芯国际宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术将延伸至40纳米以及55纳米。

中芯国际工艺技术延伸至40纳米以及55纳米

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术将延伸至40纳米以及55纳米。这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备（如3G／4G手机）。

压电传感器信号调理及输出芯片设计

为了提高压电传感器测量系统的集成度,采用1μm高压双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺,设计了一种适用于压电传感器的信号调理及输出芯片。集成了电压放大型阻抗变换电路、可调增益放大电路、二线制电流输出电路。仿真结果表明:芯片具有输入阻抗高,单位增益带宽大,总增益可调范围广等特点,在12~24 V宽供电范围下可正常工作,耗电仅为3.1 m A。

用于射频标签的低功耗上电复位电路

介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路。该上电复位电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响。电路产生上电复位信号脉冲后,通过反馈控制使能端信号关断整个电路,实现低功耗。电路采用华虹NEC公司0.13μm标准CMOS工艺流片,测试结果表明,此电路能够输出有效的脉冲信号;脉冲过后的导通电流基本为0。FPGA平台的验证表明,芯片输出的POR信号能够正确启动标签中的数字基带芯片,输出信号有效。

图像传感器面临的市场竞争

图像传感器在消费品市场和专用品市场均迎来了属于自己的销售旺期,在已经建立的相当大的市场基础上,销售额将不断攀升。