多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小

分析了一个发生在0.13μm嵌入式闪存芯片中振荡器电路模块失效的案例。通过研究发现此失效与作为门极的多晶硅与后段金属互联线之间金属钨导线的接触电阻(晶体管寄生电阻)有关,而金属钨导线的接触电阻大小在很大程度上取决于多晶硅表面刻蚀前处理工艺。通过对多晶硅表面前处理工艺的优化实验,探讨了金属钨导线接触电阻减小的方法。

0．13μm嵌入式闪存：闪存

上海宏力半导体制造有限公司，宣布其代工的0．13μm嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。