利用吸合电极实现亚微米电极间隙的可制造性设计

提出一种利用吸合电极结构的可制造性设计手段,实现亚微米电极间隙的方法。利用静电力拉动可动电极位移实现超出光刻和刻蚀能力的超窄间隙,使得敏感电极间隙由1.3μm减小至300nm,通过该方法获得的亚微米电极间隙对工艺离散性不敏感,电极间隙的不一致性可以下降1个数量级。结合本文提出的I2BAR结构的可制造性设计方法,可以实现完整的微机电系统(MEMS)振荡器可制造性设计。

深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备

介绍了深亚微米（０３５／０２５／０１８μｍ）半导体器件制造的最新工艺及设备，包括新一代ＣＭＯＳ工艺、ＦＯＮＤ工艺、ＰＳＭ技术、电子束光刻工艺、Ｘ射线光刻工艺、Ｃｕ互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。

纳米时代向我们走来从微米向纳米发展的CPU制造工艺

CPU的制造工艺以0.13μm和90nm等单位表示。那么这些数字和单位代表什么含义?制造工艺的精细化对CPU性能又有何影响?CPU制造工艺目前和未来会如何发展?对这些问题本文将——给予回答。

0.13微米制造工艺的应用 明后年将达到高峰

英特尔发表的有关企业产品制造状况表明,目前英特尔晶圆厂具备实时支持能力,而且已经具有90纳米研发生产技术,未来晶圆厂产能利用会先以处理器为主,并进一步扩展到无线通讯、闪存生产方面,而2003～2004年将是0.13微米制造工艺生产高峰.

深亚微米集成工艺仿真系统TSUPREM-4的功能及应用

介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型。以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了NMOS器件的二维剖面结构、杂质浓度的等值分布描述以及相应的电学特性。

ST TCG1．2可信平台采用0．15微米工艺

继推出符合TCG（可信计算组）TPM1．2规范的可信平台模块（TPM）后，意法半导体又推出了个采用该公司先进的0．15微米CMOS EEPROM制造工艺的新模块。新产品ST29NP18是在取得巨大成功的上代ST19WP18TPM的基础上改进而成的，制造技术采用了能够给PC制造商带来更多成本效益的0．15微米制造工艺。

全新深亚微米X射线T型栅工艺

GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。

SOC设计和制造工艺的技术现状和发展趋势

SOC芯片的技术特点及其高附加值性,使之成为一种具有国家战略意义的实用技术和代表该国家的高技术发展水平。近几年,美国、日本、欧州各国以及韩国和我国的台湾地区均投入了大量的物力和人力,把SOC芯片设计和制造技术作为一种能提高国际竞争力的战略技术来研究和开发。在本文中,将论述日美等国外的前沿性的半导体制造工艺(0.13um以下)的现状和发展趋势,说明其与SOC芯片技术的相关性和国外在半导体制造上的投资战略。然后,对SOC芯片技术的现状进行论述,并以本人设计的采用90nmCMOS工艺、有24M门和1200引脚的超大规模的SOC芯片的经验对SOC设计技术进行论述。最后,就SOC设计的技术难题和今后的发展趋势等进行论述。

亚微米级碳化钨的生产工艺

亚微米级碳化钨的制造技术是硬质合金生产技术中有待进一步研究的工艺技术之一,本文在于探讨采用常规的碳化工艺和设备制造亚微米级碳化钨的工艺特点.

硅器时代的魔术——微处理器制造工艺详解

半导体材料来源于地球上最普通、也最丰富的三种资源——沙子、氧气和铝而恰恰这三种其貌不扬的材料却能摇身一变成为价比黄金的芯片、对于如此神奇的魔术，恐怕连大名鼎鼎的魔术师大卫科波菲尔也自叹不如。这是怎样的一个魔术?别急，本文将会把它背后的秘密展现在你面前。

中芯国际推出差异化的0.13微米低功耗嵌入式工艺

2013年10月15日，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业——中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981）于上海宣布，其0．13微米低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。

0.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩（实际尺寸为0.162微米）,大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间，具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点；可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品，并填补了国内晶圆厂在该领域的空白。同时公司立足于内需巨大的中国市场，拥有一支优秀的技术团队，除了能为客户提供具有低成本、方便快捷供货的优势外，

工艺制造

中芯国际上海12英寸生产线6月装机；茂德获准在大陆投建采用0．18微米工艺晶圆厂；BCD采用先进BiCMOS工艺生产单路低电压运算放大器；华虹NEC获Cypress 0．13微米NVM工艺授权；

宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升，