0.18μm BCD工艺平台LogicEE IP的数据保持力

研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;如果SAB膜厚度小于一定尺寸,那么Logic EE IP的数据保持力将会失效。因此适当的SAB膜厚度对保证Logic EE IP的数据保持力通过合格性测试非常重要。主要研究在标准工艺条件下,通过3种SAB膜厚(标准厚度55 nm、80 nm和100 nm)、老衬底(标准厚度55 nm)、新衬底延长清洗时间(标准厚度55 nm)以及新衬底新生长材料的SAB膜(标准厚度55 nm)等试验,最终确定了在华虹宏力0.18μm BCD工艺平台上,当SAB膜厚度为100 nm时,Logic EE IP核的数据保持力通过了JEDEC标准的合格性测试。

辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应

基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题的困扰。本文基于标准0.18μm BCD工艺,开展了18 V NLDMOS器件总剂量辐射效应研究,提出了一种总剂量辐射加固工艺技术。采用离子注入和材料改性技术工艺,提高了浅槽隔离场区边缘的P型硅反型阈值,从而增强了NLDMOS器件的抗辐射能力。通过对比实验表明,当辐照总剂量为100 krad(Si)时,加固的NLDMOS器件的抗辐射性能明显优于非加固的器件。通过总剂量辐射加固工艺技术的研究,可有效提高器件的抗总剂量辐射能力,避免设计加固造成芯片面积增大的问题。

A Quadrature Oscillator Based on a New “Optimized DDCC” All-Pass Filter

In this paper, a new voltage-mode (VM), all-pass filter utilizing two second-generation current conveyors and tow differential difference current conveyors (DDCCs) is proposed. This filter uses a number of passive elements grounded capacitor. This structure of filter is used to realize a quadrature oscillator. The proposed circuits employ tow optimized differential difference translinear second generation current conveyers (DDCCII). These structures are simulated using the spice simulation in the ADS software and CMOS 0.18 μm process of TSMC technology to confirm the theory. The pole frequency can be tuned in the range of [11.6 - 39.6 MHz] by a simple variation of a DC current.

本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响

基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。

一种可编程多协议接口芯片设计与实现

基于0.18 μm BCD工艺,设计了一款可编程多协议串行接口芯片。该芯片采用数字和模拟混合信号芯片设计技术,实现了可编程协议选择、4通道收发器、三态控制、单电源、高速传输、ESD、电荷泵等功能。测试结果表明:可支持RS-232、RS-422、RS-485等多种协议,ESD满足抗±15 kV人体静电能力,RS-232传输速率不低于120 kbyte/s,RS-422传输速率不低于10 Mbyte/s。已经通过设计、仿真、流片、封装、测试、验证,成功应用于多型产品中。

一种高压、宽输入的LDO电路设计

为了满足在高压且大范围的电压条件下都能稳定输出一个电压,且有快速恢复时间和较小的过冲电压。本文基于华虹0.18μm BCD工艺设计了一款在高压下拥有宽范围输入电压8~40 V且在-50℃~165℃都能稳定输出5 V的LDO。并在带隙基准电路进行改进,采用无放大器的方法产生1.23 V的基准电压,温度系数达到10 ppm/℃。采取片外电容的方法和Buffer来分别提高电路的瞬态负载调整率和驱动电流,电路最大可驱动100 mA的负载。在负载为100 mA下,上冲电压和下冲电压也都分别为83 mV和79 mV,电压瞬态响应时间也在6μs左右。