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基于0.18μm工艺的压控增益仪表放大器设计
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作者 王宝晶 宋光坤 赵爱清 《集成电路应用》 2024年第7期25-29,共5页
阐述一款基于0.18μm CMOS工艺的压控增益仪表放大器设计。该仪表放大器可通过电压控制实现三个增益档位的调节,通过优化仪表放大器内部的运放结构,使得仪表放大器在0.18μm CMOS工艺下具有高性能指标,并可实现增益较大范围的调节。利用... 阐述一款基于0.18μm CMOS工艺的压控增益仪表放大器设计。该仪表放大器可通过电压控制实现三个增益档位的调节,通过优化仪表放大器内部的运放结构,使得仪表放大器在0.18μm CMOS工艺下具有高性能指标,并可实现增益较大范围的调节。利用Aether IC设计平台进行底层电路搭建及仿真验证,仿真表明,所设计的仪表放大器具有高电源抑制比、高输入阻抗、高共模抑制比、低功耗、低失调的特点,且具有较高的稳定性,为0.18μm CMOS工艺的压控增益仪表放大器的设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 0.18μm工艺 仪表放大器 压控增益 Aether Aeolus仿真
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10m超大采高智能化开采关键技术及装备研究
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作者 韩会军 韩春福 +3 位作者 李明忠 张金虎 张权 曾明胜 《中国煤炭》 北大核心 2024年第7期82-90,共9页
通过调研陕西陕煤曹家滩煤矿业有限公司22煤层赋存条件,探究了超大开采空间矿压显现规律及超高煤壁片帮特点,总结了超大采高综采工作面围岩控制关键技术,分析了超大采高综采工作面端头区支护特点,提出“大梯度+小台阶”端头区过渡模式,... 通过调研陕西陕煤曹家滩煤矿业有限公司22煤层赋存条件,探究了超大开采空间矿压显现规律及超高煤壁片帮特点,总结了超大采高综采工作面围岩控制关键技术,分析了超大采高综采工作面端头区支护特点,提出“大梯度+小台阶”端头区过渡模式,实现了综采工作面中部到两端头巷道6 m高差的短缓过渡及端头区三角煤高回收率支护;基于综采工作面智能化成套开采装备选型配套,研发了适应10 m超大采高综采工作面的成套开采装备,实现了超大开采空间安全防护、特厚煤层高效截割、超大运量煤流顺畅运输;搭建工作面“采支运”一体化智能协同作业控制系统及多源系统集成与数据融合分析平台,支撑10 m超大采高综采工作面安全高效开采。 展开更多
关键词 10 m超大采高 厚及特厚煤层 开采技术及装备 智能化开采
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Total Ionizing Dose Response of Different Length Devices in 0.13μm Partially Depleted Silicon-on-Insulator Technology 被引量:1
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作者 张梦映 胡志远 +4 位作者 张正选 樊双 戴丽华 刘小年 宋雷 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2017年第8期144-147,共4页
An anomalous total dose effect that the long length device is more susceptible to total ionizing dose than the short one is observed with the 0.13?μm partially depleted silicon-on-insulator technology. The measured ... An anomalous total dose effect that the long length device is more susceptible to total ionizing dose than the short one is observed with the 0.13?μm partially depleted silicon-on-insulator technology. The measured results and 3D technology computer aided design simulations demonstrate that the devices with different channel lengths may exhibit an enhanced reverse short channel effect after radiation. It is ascribed to that the halo or pocket implants introduced in processes results in non-uniform channel doping profiles along the device length and trapped charges in the shallow trench isolation regions. 展开更多
关键词 PDSOI Total Ionizing Dose Response of Different Length Devices in 0.13 m Partially Depleted Silicon-on-Insulator technology
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Velocity Measurement and Freezing Technology of Multi-shot Pellet on HL-1M Tokamak 被引量:1
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作者 李波 李立 +6 位作者 肖正贵 王明旭 刘德权 郑银甲 冯震 王明建 徐小桥 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第5期971-976,共6页
A measuring system for high-speed hydrogen ice pellet was introduced in this paper and the photographing of flying pellet taken therein. With the system, a pellet (minimum size of φ 0.3 mm) velocity (ranging from 50 ... A measuring system for high-speed hydrogen ice pellet was introduced in this paper and the photographing of flying pellet taken therein. With the system, a pellet (minimum size of φ 0.3 mm) velocity (ranging from 50 m/s to 2500 m/s) can be measured in the HL-1M tokamak fueling experiments. By analyzing photographs and the conditions of frozen pellets (including gas supply, gas replenishment, temperature controlling etc), the pellet-freezing technology is summarized in the paper. 展开更多
关键词 Velocity measurement and Freezing technology of multi-shot Pellet on HL-1m Tokamak HL
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以马尔尼菲篮状菌肺炎起病的X连锁高IgM综合征婴儿1例
5
作者 姚亚男 吕雪盈 +4 位作者 李文敏 袁凯旋 廖亚龙 张娟 肖伟欢 《中国真菌学杂志》 CSCD 2024年第2期173-176,共4页
X连锁高IgM综合征(X-linked hyper-immunoglobulin M syndrome,XHIGM)是罕见的原发性免疫缺陷病,该病以反复感染为特征,易感染机会致病微生物。临床上以马尔尼菲篮状菌肺炎起病的XHIGM更为罕见。该文回顾性分析1例以马尔尼菲篮状菌肺炎... X连锁高IgM综合征(X-linked hyper-immunoglobulin M syndrome,XHIGM)是罕见的原发性免疫缺陷病,该病以反复感染为特征,易感染机会致病微生物。临床上以马尔尼菲篮状菌肺炎起病的XHIGM更为罕见。该文回顾性分析1例以马尔尼菲篮状菌肺炎起病的X连锁高IgM综合征婴儿的临床资料,实验室、影像学检查结果和诊疗经过并探讨其基因型,结合最新文献复习,以提高对该疾病的认识。 展开更多
关键词 X连锁高Igm综合征 马尔尼菲篮状菌 婴儿 基因型 宏基因组学第二代测序技术
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Development of 0.50μm CMOS Integrated Circuits Technology
6
作者 Yu Shan, Zhang Dingkang and Huang Chang 《Journal of Systems Engineering and Electronics》 SCIE EI CSCD 1992年第4期7-10,2,共5页
Submicron CMOS IC technology, including triple layer resist lithography technology, RIE, LDD, Titanium Salicide, shallow junction, thin gate oxide, no bird's beak isolation and channel's multiple implantation ... Submicron CMOS IC technology, including triple layer resist lithography technology, RIE, LDD, Titanium Salicide, shallow junction, thin gate oxide, no bird's beak isolation and channel's multiple implantation doping technology have been developed. 0.50μm. CMOS integrated circuits have been fabricated using this submicron CMOS process. 展开更多
关键词 In m CmOS Integrated Circuits technology Development of 0.50 CmOS
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BIM技术在建筑机电施工项目管理中的应用 被引量:1
7
作者 邓开发 《江苏建材》 2024年第4期159-160,共2页
在机电工程建设中,机电专业较多,机电设备和线路比较复杂,其中机电施工技术比较先进,这就给机电工程的建设管理带来很大困难。基于此,须将BIM技术运用到建筑模型中,对建筑结构进行优化设计,实现对建筑的统一、协调管理,才能确保机电工... 在机电工程建设中,机电专业较多,机电设备和线路比较复杂,其中机电施工技术比较先进,这就给机电工程的建设管理带来很大困难。基于此,须将BIM技术运用到建筑模型中,对建筑结构进行优化设计,实现对建筑的统一、协调管理,才能确保机电工程的施工质量。而利用BIM技术的模拟展示施工流程,展示机电工程建设中错综复杂的步骤,同时也能使施工管理人员更好了解施工流程,对机电设备和线路进行合理优化,从而为后面的工作做好准备,并提高机电工程施工效率。 展开更多
关键词 BIm技术 建筑机电 施项目管理 应用
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BIM-Enabled Estimating through Technology Ontology for Owners and Contractors
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作者 Marcel Maghiar Lauren Livingston Avi Wiezel 《Journal of Civil Engineering and Architecture》 2014年第12期1495-1505,共11页
There are progressive architects, engineers, contractors and owners that adopt some of the newest technologies for financial benefits. The moving force to integrate BIM (building information modeling) tools may come... There are progressive architects, engineers, contractors and owners that adopt some of the newest technologies for financial benefits. The moving force to integrate BIM (building information modeling) tools may come from owners demanding a BIM deliverable to approve the work on these projects. Ifa contractor can produce this deliverable, then obtaining the project could be done in a more convincing way. Contractors are confronted with problems in selecting proper construction methods and applying their knowledge about specific and well-defined technologies to a project. Their decision-making process and better project outcomes can be improved through a database-oriented library of construction methods and therefore, a consistent methodology to classify construction methods is needed. This goal can be achieved by introducing rigorous construction method descriptors. The technology solution and the trending need of owners to pay software companies to develop software that really works for them and contractors are empirically proved in this paper through a technology ontology and BIM-enabled estimating procedure. An exploratory case study is presented. This way, owners can efficiently demand deliverables that can be utilized by them downstream, allowing contractors and subcontracting trades to work efficiently and to assure the daily flow of operations. 展开更多
关键词 OWNER CONTRACTOR B1m ONTOLOGY ESTImATING construction technology.
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M-learning in review: Technology, standard and evaluation
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作者 ANANI Adi ZHANG Deng-yin LI Hai-bo 《通讯和计算机(中英文版)》 2008年第11期1-6,共6页
关键词 电子学习 移动设备 移动学习系统 技术创新
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Experimental Investigation on Finishing Technology by Magnetostrictive Ultrasonic Vibration of Magnetic Liquid
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作者 陈善飞 顾邦明 +1 位作者 王正才 王正良 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS 2010年第3期166-170,共5页
Magnetic liquid can produce alternative internal pressure under the alternative high-frequency gradient magnetic field.Because it has higher bulk modulus,the internal pressure results in its volume change.Using piezoe... Magnetic liquid can produce alternative internal pressure under the alternative high-frequency gradient magnetic field.Because it has higher bulk modulus,the internal pressure results in its volume change.Using piezoelectric transducers,the ultrasonic wave generated by the vibration of magnetic liquids can be detected,which shows that the magnetic liquids have the magnetostrictive effect and can generate the ultrasonic vibration under the alternative magnetic gradient field.Some nonmagnetic abrasives and rust-proofing agents can be mixed into the magnetic liquids,under the alternative magnetic field,the abrasives held by magnetic liquids grind the surface of the workpieces,and thus,the finishing for the surface with complex shape,mold cavity and inner wall of tiny tubes can be realized. 展开更多
关键词 materials synthesis and processing technology FINISHING magnetic liquid mAGNETOSTRICTIVE ultrasonic vibration
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LTE-M技术在大连地铁13号线信号CBTC系统的规划研究
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作者 王文明 杜晓菲 万霞 《无线互联科技》 2024年第2期13-15,共3页
随着通信技术的迭代发展,基于CBTC的无线列车控制系统已逐步代替基于轨道电路的车地通信技术。其中,WLAN技术应用广泛。大连城市轨道交通中地铁1、2号线信号数据通信系统采用2.4 GHz频段的WLAN技术。近几年,随着我国无线网络的迅速普及... 随着通信技术的迭代发展,基于CBTC的无线列车控制系统已逐步代替基于轨道电路的车地通信技术。其中,WLAN技术应用广泛。大连城市轨道交通中地铁1、2号线信号数据通信系统采用2.4 GHz频段的WLAN技术。近几年,随着我国无线网络的迅速普及、Wi-Fi的大量使用,对地铁1、2号线信号系统车地无线通信的稳定性带来了隐患。因此,大连地铁13号线在修建过程中,信号数据通信网络DCS系统采用了1.8 GHz专用频段的LTE-M技术。文章以此为切入点,对大连地铁13号线信号系统LTE-M技术方案进行详细介绍,同时通过对WLAN技术以及LTE技术对比分析,阐述LTE技术在轨道交通车地无线通信系统中具有的技术优势。 展开更多
关键词 大连地铁 13号线 信号系统 LTE-m技术 无线网络规划
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0.18μm CMOS 10Gb/s光接收机限幅放大器 被引量:10
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作者 金杰 冯军 +1 位作者 盛志伟 王志功 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1393-1395,共3页
利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限... 利用TSMC 0 18μmCMOS工艺设计了应用于SDH系统STM 6 4 (10Gb/s)速率级光接收机中的限幅放大器 .该放大器采用了改进的Cherry Hooper结构以获得高的增益带宽积 ,从而保证限幅放大器在 10Gb/s以及更高的速率上工作 .测试结果表明 ,此限幅放大器在 10Gb/s速率上 ,输入动态范围为 4 2dB(3 2mV~ 5 0 0mV) ,5 0Ω负载上的输出限幅在 2 5 0mV ,小信号输入时的最高工作速率为 12Gb/s.限幅放大器采用 1 8V电源供电 ,功耗 110mW .芯片的面积为0 7mm× 0 9mm . 展开更多
关键词 STm-64 光接收机 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 0.18μm CmOS工艺
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基于0.18μm SMIC工艺的一款TDC芯片设计 被引量:2
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作者 马毅超 王亮懿 +1 位作者 滕海云 蒋俊国 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期44-51,共8页
为适应高能物理实验中飞行时间探测器对高速飞行粒子高分辨率的时间测量需求,本文提出了一种差分结构的时间数字转换器(Time to Digital Convertor,TDC),其主要测量部分采用差分延迟环实现,并基于该结构设计了一款TDC芯片。差分延迟环TD... 为适应高能物理实验中飞行时间探测器对高速飞行粒子高分辨率的时间测量需求,本文提出了一种差分结构的时间数字转换器(Time to Digital Convertor,TDC),其主要测量部分采用差分延迟环实现,并基于该结构设计了一款TDC芯片。差分延迟环TDC主要由时间测量核心模块、时间测量数据传输模块、延迟环校准模块以及时钟产生模块组成。对于时间测量核心模块,又将其细化为延迟环模块、温度计码生成模块以及粗计数与细计数生成模块三个部分。该TDC芯片采用中芯国际(Semiconductor Manufacturing International Corporation,SMIC)0.18μm工艺,版图面积为1.35 mm×1.35 mm,分辨率达到17 ps,精度达到8.5 ps(Root Mean Square,RMS),动态范围为0~210μs,可以满足通常情况下高能物理实验的高精度时间测量需求。 展开更多
关键词 差分延迟环TDC 高分辨率 0.18 μm工艺 SmIC
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抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究 被引量:2
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作者 谢儒彬 张庆东 +2 位作者 纪旭明 吴建伟 洪根深 《电子与封装》 2017年第4期30-33,48,共5页
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5... 基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求。探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱。评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题。 展开更多
关键词 辐射加固 总剂量效应 热载流子效应 0.18μm
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辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
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作者 谢儒彬 葛超洋 +4 位作者 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 《现代应用物理》 2023年第2期170-175,共6页
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题... 基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题的困扰。本文基于标准0.18μm BCD工艺,开展了18 V NLDMOS器件总剂量辐射效应研究,提出了一种总剂量辐射加固工艺技术。采用离子注入和材料改性技术工艺,提高了浅槽隔离场区边缘的P型硅反型阈值,从而增强了NLDMOS器件的抗辐射能力。通过对比实验表明,当辐照总剂量为100 krad(Si)时,加固的NLDMOS器件的抗辐射性能明显优于非加固的器件。通过总剂量辐射加固工艺技术的研究,可有效提高器件的抗总剂量辐射能力,避免设计加固造成芯片面积增大的问题。 展开更多
关键词 辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDmOS
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10Gb/s 0.18μmCMOS光接收机前置放大器 被引量:4
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作者 黄茜 冯军 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期29-32,共4页
采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。... 采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。整个电路采用1.8V单电压源供电。仿真结果表明:中频互阻增益为59.2dBΩ,-3dB带宽为9.08GHz。 展开更多
关键词 前置放大器 跨阻放大器 RGC 有源电感 光接收机 0.18 μm CmOS工艺
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0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计 被引量:2
17
作者 陈双文 刘章发 《电子技术应用》 北大核心 2011年第3期51-53,57,共4页
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
关键词 带隙基准 0.18 μm CmOS 温度系数
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X波段0.18μm CMOS5位数字移相器 被引量:1
18
作者 刘志芹 毛陆虹 《天津理工大学学报》 2016年第1期1-4,共4页
设计了一款应用于相控阵雷达系统,工作频段8 GHz^12 GHz,中心频率为10 GHz的5位数字移相器,该移相器采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现.五位移相单元分别为11.25°、22.5°、45°、90°和180°,其中180°移... 设计了一款应用于相控阵雷达系统,工作频段8 GHz^12 GHz,中心频率为10 GHz的5位数字移相器,该移相器采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现.五位移相单元分别为11.25°、22.5°、45°、90°和180°,其中180°移相单元采用高-低通滤波器型结构,其余移相单元采用低通π型滤波器结构.通过合理选择参数模型和拓扑结构,优化版图布局设计,实现了电路性能并给出仿真结果.在工作频率范围内,32种移相状态的相位均方根误差<1.08°,幅度均方根误差<1.14 d B,插入损耗值保持在14 d B^20 d B范围内,版图尺寸为2.85×1.15 mm2. 展开更多
关键词 相控阵雷达 数字移相器 高-低通滤波器 0.18μm CmOS工艺
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10Gb/s 0.18μm CMOS限幅放大器 被引量:1
19
作者 吴军 王志功 《中国集成电路》 2009年第6期23-25,共3页
采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb/s速率... 采用SMIC 0.18μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10Gb/s限幅放大器。该放大器采用了带有级间反馈的三阶有源负反馈放大电路。在不使用无源电感的情况下,得到了足够的带宽以及频率响应平坦度。后仿真结果表明,该电路能够工作在10Gb/s速率上。小信号增益为46.25dB,-3dB带宽为9.16 GHz,最小差分输入电压摆幅为10mV。在50Ω片外负载上输出的摆幅为760mV。该电路采用1.8V电源供电,功耗为183mW。核心面积500μm×250μm。 展开更多
关键词 0.18 μm CmOS 限幅放大器 有源负反馈 级间反馈
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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计
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作者 胡伟 陈金福 +1 位作者 张振勇 杨莲兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
关键词 高线性度 降频混频电路 0.18μm CmOS 射频电路 工作原理
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