基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

NEC Electronics扩大加州晶圆厂产能以支持MCU产品

NEC Electronics America Inc．近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器，目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0．15μm制程技术的8-bit和32-bit MCU。重点支持于汽车行业，NEC Electronics America表示，公司正在扩大设于加州Roseville的半导体制造工厂的产能，在原有150mm圆片0．35和0．25μm工艺制程的基础上增加了采用200mm圆片的0．15μm工艺制程。

远紫外光刻现状及未来

简要评述光学光刻技术由０３５μｍ工艺向０２５μｍ工艺转移中所面临的挑战，及远紫外光刻技术在器件制造中的地位。

远紫外光刻现状及未来

本文主要过评了光学光刻技术在由0．35μmat艺向0．25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。

国家鼓励扶持芯片产业发展 投资晶圆厂生产减免所得税

中国财政部、税务总局近日公布最新的企业奖励优惠政策“财税2008一号文”，政策中规定中国内地晶圆厂生产0．25μm工艺技术以下，可抵减15％的企业所得税；同时投资超过15年，从获利年度起的5年内甚至可全免企业所得税。这份最新的投资抵减规定，可望将扶持中国内地成熟工艺晶圆厂的生存，对向来倾向于消费芯片市场的中国内地半导体，也是一大利多。