采用0.25μmCMOS工艺的SOC电源管理IP模块

设计了一个采用0.25μmCMOS工艺的电源管理IP模块。该模块包含DC/DC转换/调整、上电复位、低电压监测和后备电源自动切换功能,通过对电源的动态管理,可提供稳定的系统电源。该IP模块能够提供独立的数字电源、模拟电源和闪存电源,具有工作稳定,高电源噪声抑制比和较低的温度系数等显著优点。其接口符合VSIA标准,完全适用于深亚微米SOC的集成设计。

2.25Cr-1Mo-0.25V纯净钢筒体锻件的工艺与性能

为了制造千吨级煤液化反应容器 ,满足更高温度 (482℃ )和更高的强度等级 (σ0 2 ≥ 4 15MPa) ,减少筒体锻件的重量 ,在原采用的 2 2 5Cr - 1Mo钢的基础上 ,开发出了加V钢。针对煤液化装置 (或大型热壁加氢反应器 )用 2 2 5Cr - 1Mo - 0 2 5V纯净钢筒体锻件的特点及理化性能要求 ,分析了冶炼、锻造、热处理等工序的难点 ,在进行大量的国内、外资料查寻以及材料和工艺试验的基础上 ,制定出并实施了制造工艺 ,经过筒体锻件的解剖及理化检验 ,证明所采用的工艺方法是非常有效的 ,完全满足煤液化装置用钢 2 2 5Cr- 1Mo - 0 2 5V的质量要求。

热处理工艺对2.25Cr-1Mo-0.25V钢低温韧性的影响

模拟实际大型锻件热处理工艺条件,研究了不同预备热处理和最终性能热处理工艺规范对2.25Cr1Mo0.25V钢-30℃冲击韧性的影响,结果表明经调质预处理后的低温韧性随再奥氏体化温度的升高而降低,而经1200℃正火预处理后进行1040℃奥氏体化,不仅有利于碳氮化物充分溶解与合金元素的均匀化,同时有利用奥氏体的自发再结晶细化晶粒并获得较高的低温韧性。

熔炼工艺对Mg-2Mn-1Si-0.25Ca镁合金组织和性能的影响

探索了熔炼时元素的不同加入次序对Mg 2Mn 1Si 0.25Ca合金相组成的影响,并研究了该合金的组织和性能。结果表明:铸态Mg 2Mn 1Si 0.25Ca合金组织由α镁基体,β(锰)和颗粒状的Mg2Si组成。熔炼时先加锰后加硅时,合金中含α Mg、Mg2Si、MnSi和β(Mn)相,Mg2Si相较少。先加硅后加锰时,合金中只含α Mg、Mg2Si和β(Mn)相。熔炼时先加硅后加锰的合金硬度明显高于先加锰后加硅的合金。

基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽；

Al-5Ti-0.25C合金制备工艺及其细化效果研究

目的对机械加工过程中的Al屑和Ti屑进行回收再利用。方法以Al屑和Ti屑为制备Al-5Ti-0.25C合金的原材料,分析Al屑和Ti屑的加料温度、反应温度和反应时间对Al-5Ti-0.25C微观组织的影响,确定最佳制备工艺。在此基础上研究Al-5Ti-0.25C的添加量、细化温度、细化时间和搅拌处理对纯铝的细化效果,确定最佳细化工艺,并与商用杆状Al-5Ti-1B合金对比细化效果。结果最佳制备工艺:加料温度为860℃、反应温度为950℃和反应时间为60 min。最佳细化工艺:Al-5Ti-0.25C合金的质量分数为0.2%、细化温度为730℃和细化时间为2 min,搅拌处理。添加0.2%Al-5Ti-0.25C合金(质量分数)后,纯铝平均晶粒尺寸细化到大约200.2μm。细化时间低于60 min时,Al-5Ti-0.25C合金无明显衰退现象。结论以机械加工产生的Al屑和Ti屑为原材料制备Al-5Ti-0.25C合金,可以有效解决Al屑和Ti屑的回收难题,而且Al-5Ti-0.25C合金的细化效果优于商用杆状Al-5Ti-1B合金。

0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化

通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。

临氢设备用2.25Cr-1Mo-0.25V钢及其焊材的研究现状

简单介绍了临氢设备用2.25Cr-1Mo-0.25V钢的化学成分、力学性能和当前应用状况,重点介绍了国内外2.25Cr-1Mo-0.25V钢配套焊接材料的发展现况及焊接要点,如焊前预热、焊后消氢、焊后热处理等,为国内外焊接工作着提供了一定的参考依据。2.25Cr-1Mo-0.25V钢配套国产焊接材料的研制,打破了国外垄断现象,缩短了企业的采购周期,减轻了企业的经济负担。

加氢锻件调质工艺及操作优化

介绍了2.25Cr-1Mo-0.25V钢加氢锻件调质热处理工艺在实际操作过程中的优化情况及燃气炉有效减少能源消耗的措施。研究结果表明:通过一系列操作优化,能够进一步巩固锻件质量,缩短锻件的生产周期,降低锻件的实际生产成本。

远紫外光刻现状及未来

简要评述光学光刻技术由０３５μｍ工艺向０２５μｍ工艺转移中所面临的挑战，及远紫外光刻技术在器件制造中的地位。

2.25Cr-1Mo-0.25V钢轧制间隙段显微组织演变和工艺窗口研究

采用Gleeble-3500热模拟机和200MAT光学显微镜,研究了2.25Cr-1Mo-0.25V钢的热流变曲线和金相组织演变规律;通过实验得到合理变形温度、变形速率、变形量和间隙时间等工艺参数,给出了2.25Cr-1Mo-0.25V钢的变形间隙段工艺窗口。

远紫外光刻现状及未来

本文主要过评了光学光刻技术在由0．35μmat艺向0．25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。

10Gbit/s CMOS高增益限幅放大器设计

利用UMC 0.13μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器。本次设计采用五级改进的Cherry-Hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间。后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8 mW,获得了58.7 dB的增益和9 GHz的-3 dB带宽。输入动态范围为46 dB(6 mVpp^1 200mVpp)时,输出幅度保持在600 mVpp,上升下降时间(10%~90%)为29 ps。芯片的核心面积仅为285.8μm×148.9μm,总面积为665.3μm×515.3μm。

NEC Electronics扩大加州晶圆厂产能以支持MCU产品

NEC Electronics America Inc．近期发布了含有嵌入式闪存芯片的29款微控制器，目标应用于汽车和安全控制等。新产品包括采用0．15μm制程技术的8-bit和32-bit MCU。重点支持于汽车行业，NEC Electronics America表示，公司正在扩大设于加州Roseville的半导体制造工厂的产能，在原有150mm圆片0．35和0．25μm工艺制程的基础上增加了采用200mm圆片的0．15μm工艺制程。

国家鼓励扶持芯片产业发展 投资晶圆厂生产减免所得税

中国财政部、税务总局近日公布最新的企业奖励优惠政策“财税2008一号文”，政策中规定中国内地晶圆厂生产0．25μm工艺技术以下，可抵减15％的企业所得税；同时投资超过15年，从获利年度起的5年内甚至可全免企业所得税。这份最新的投资抵减规定，可望将扶持中国内地成熟工艺晶圆厂的生存，对向来倾向于消费芯片市场的中国内地半导体，也是一大利多。

加氢反应器用钢变形段显微组织演变研究

针对加氢反应器用钢2.25Cr-1Mo-0.25V钢,从大型筒节的控轧控冷工艺和现有生产条件出发,考虑变形温度和变形速率的影响,通过单道次压缩实验和金相实验确定临界应变、动态再结晶动力学模型和晶粒尺寸模型。将再加热实验和压缩实验得到的试样沿经热压缩后轴向切开,然后采用200MAT光学显微镜图像分析仪观察奥氏体组织及平均截线法测定奥氏体晶粒尺寸;对比不同工艺对晶粒度的影响,寻求晶粒细化规律,并确定了变形段工艺窗口,并对模型的准确性和可靠性进行了分析,进一步验证了本文的实验和模型是科学合理的。