全固态薄膜锂电池0.3Ag-V2O5｜LiPON｜Li的制备及电化学性能

采用紫外脉冲激光沉积（PLD）法制备了0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜,结合真空热蒸镀法原位组装0.3Ag-V2O5｜LiPON｜Li薄膜电池。由扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）表征了0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜形貌与结构,利用恒电流充放电、循环伏安等技术考察了薄膜电池的电化学性能。结果表明,采用PLD方法在O2气氛和N2气氛中分别获得了表面均匀、无针孔、无裂缝、具有非晶态结构的0.3Ag-V2O5和LiPON薄膜。在电压1.0-4.0V,充放电速率2C时,以厚度100nm的0.3Ag-V2O5薄膜为阴极组装的液态电解质电池循环1000次后稳定容量仍为260mAh/g,表现出良好的循环性能。PLD沉积的Li-PON电解质薄膜具有很好的锂离子导电能力,室温离子电导率为1.6×10^-6S/cm,电子电导率〈10^-14S/cm。在电流密度7μA/cm^2,电压1.0-3.5V条件下全固态薄膜锂电池0.3Ag-V2O5│LiPON│Li的循环性能良好,100次循环后的体积比容量达40μAh/（μm.cm^2）。

由工业V_2O_5制取VO_2薄膜

以工业V2 O5为原料 ,采用N2 热分解法在普通玻璃和石英玻璃衬底上制备VO2 薄膜 ,在自制的电阻 -温度测量装置上测量VO2 薄膜的电阻随温度的变化。结果表明 :VO2 薄膜具有明显电阻突变特性 ,其相变达到了 1.5～ 2 .0个数量级 ,相变温度约为 35℃ ;VO2 薄膜的主要成分是二氧化钒 ,同时含有少量其它的钒化合物。

热处理对离子束溅射Ta_2O_5薄膜特性的影响

利用离子束溅射沉积技术制备了Ta2O5薄膜,在100～600℃的大气氛围中对其进行热处理（步进温度为100℃）,并对热处理后样品的光学常数（折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度）、应力、晶向和表面形貌进行了研究.研究显示,随着热处理温度增加,薄膜折射率整体呈下降趋势,折射率非均匀性和物理厚度呈增加趋势,结果有效地改善了薄膜的消光系数和应力,但薄膜的晶向和表面形貌均未出现明显的变化.结果表明：热处理可以有效改变薄膜特性,但需要根据Ta2O5薄膜具体应用综合选择最优的热处理温度.本文对离子束溅射Ta2O5薄膜的热处理参数选择具有指导意义.

Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文)

报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。

V_2O_5薄膜在传感器上的研究进展

V2O5薄膜具有优异的物理、化学性质,在化工催化、电子、电化学等许多领域有广泛的应用,由于V2O5薄膜对还原性气体和湿度具有良好的敏感特性,其在气体和湿度传感器上的研究也日渐广泛,因此本文综述了V2O5为基体的薄膜在气体传感器和湿度传感器上的研究进展及存在的问题和解决的思路。

溶胶-凝胶法制备V_2O_5为基体的薄膜材料及其应用

综述了以V2 O5为基体的薄膜材料的制备方法、结构及其特性 ,介绍了该材料在湿度传感器、电压开关和锂电池等领域的应用。

TiO_2-V_2O_5纳米复合薄膜的溶胶-凝胶制备及性能研究

采用溶胶 凝胶技术 ,以钛酸丁脂、V2 O5粉末为原材料制备了纳米结构的TiO2 V2 O5复合薄膜。使用XRD、FTIR、AFM、UV VIS NIR分光光度计等方法研究了复合薄膜的特性。实验结果表明 :复合薄膜具有纳米孔洞结构 ;随V2 O5含量的增加 ,TiO2 晶相由锐钛矿向金红石的转变率大大提高 ,从 5 0 0℃时纯TiO2 的 0 4 2 %增加到含 30 %V2 O5时的 80 5 % ;复合薄膜在紫外区域的吸收显著增强 。

溶胶-凝胶法制备V_2O_5薄膜的气敏特性研究

本文研究了用无机溶胶凝胶法制备的 V2 O5 薄膜的 XRD结果及其气敏特性 .凝胶在 40 0℃下烧结 12 h后完全形成了 V2 O5 晶体 .掺 3wt% Pd+1wt% Au的 V2 O5 薄膜在较大范围内对乙醇具有较高的灵敏度 .加热电压为 5 .5 V时灵敏度达到最大值 .该气敏薄膜具有较好的选择性 ,NH3、H2 、CO、CH3COCH3等气体不干扰元件的测量 .元件的响应时间为15 s,恢复时间为 5 s.

化学气相沉积法制备Ta_2O_5薄膜的研究进展

Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展方向作了简要的展望。

Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展

Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。

热处理对V_2O_5-TiO_2复合薄膜表面结构与光学性能的影响

以钛酸丁脂、V2O5粉末为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备了V2O5-TiO2复合薄膜,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Uv-vis-nir分光光度计等方法研究了热处理对薄膜性能的影响。结果表明,随热处理温度的升高,复合薄膜中钛离子的价态不变,仍为Ti4+;而V4+离子逐渐被氧化为V5+离子;并采用氢氧基团、碳氧键与多种钒离子进行叠加拟合,拟合结果与实验曲线非常符合;V2O5-TiO2复合薄膜在紫外光波段的透射率减小,吸收带边出现红移。

V_2O_5干凝胶薄膜的制备及应用

综述了V_2O_5干凝胶(VXG)薄膜的结构组成特性,介绍了VXG薄膜的制备方法及其在电压开关、气体传感器、湿度传感器、智能窗和锂电池等领域的应用,指出了该研究存在的问题和发展前景。

离子束溅射参数与Ta_2O_5薄膜特性的关联性

离子束溅射技术是制备Ta2O5薄膜的重要技术之一。采用正交试验设计方法,系统研究了Ta2O5薄膜的折射率、折射率非均匀性、消光系数、沉积速率和应力与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。通过使用分光光度计和椭圆偏振仪测量Ta2O5薄膜透过率光谱和反射椭偏特性,再利用全光谱反演计算的方法获得薄膜的折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度。Ta2O5薄膜的应力通过测量基底镀膜前后的表面变形量计算得到。实验结果表明:基板温度是影响Ta2O5薄膜特性的共性关键要素,其他工艺参数的选择与需求的薄膜特性相关。研究结果对于制备不同应用的Ta2O5薄膜制备工艺参数选择具有指导意义。

Li^+离子嵌入V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究

V2 O5薄膜是最具有实用价值的全固态“灵巧窗”器件中候选锂离子储存材料之一。本研究采用熔融淬冷法成功制备了V2 O5溶胶 ,利用提拉法在ITO玻璃片上制备了表面均匀和无裂纹的V2 O5干凝胶薄膜 ,并采用电化学方法将Li+ 离子嵌入到V2 O5干凝胶薄膜中。本文着重采用X射线光电子能谱 (XPS)分析了Li+ 离子嵌入V2 O5干凝胶薄膜前后的化学组成及钒、氧。

熔融淬冷法制备V_2O_5干凝胶薄膜的XPS研究

研究在熔融淬冷法中应用氧气顶吹工艺制备了 V2 O5溶胶。XRD分析表明 ,氧气顶吹工艺制备的 V2 O5· n H2 O凝胶薄膜与空气中熔融 V2 O5制备的 V2 O5· n H2 O凝胶薄膜的结构有细微差别。着重采用 X射线光电子能谱 (XPS)分析了两种 V2 O5干凝胶薄膜的化学组成及钒。

V_2O_5薄膜的结构和光电性能研究

在O2 /Ar混合气氛中 ,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2 O5薄膜。对所沉积的薄膜进行 4 5 0℃退火。利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析 ,从 2 0 0nm～ 2 5 0 0nm光谱的透射和反射测量结果 ,计算出薄膜的吸收系数。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高 ,结晶好 ,高低温电阻变化 2个量级。光学能隙为2 4 6eV。

脉冲准分子激光大面积扫描沉积V_2O_5光电薄膜及光谱分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。

TiO_2/Ta_2O_5复合薄膜对医用NiTi合金的表面改性

采用 AFM,XRD和 XPS等对 Ni Ti表面离子束合成 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜的表面微观形貌、微结构和表面化学组成进行了表征。同时研究了膜层的力学性能、抗模拟体液腐蚀性和抗凝血性。结果表明 ,适当组成的 Ti O2 /Ta2 O5复合薄膜能显著提高 Ni

V_2O_5熔化成膜法制备VO_2薄膜

发展了一种新的VO2薄膜制备方法—V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试。结果表明:通过该方法获得的薄膜,其主要成分是VO2,电阻突变达到4个数量级,相变温度为67.5℃。

溶胶-凝胶法制备SiO_2-P_2O_5-TiO_2电解质薄膜

溶胶-凝胶法制备的SiO2-P2O5-TiO2电解质薄膜,具有较高的质子电导率和化学稳定性。测定不同组分电解质薄膜的质子电导率,发现随着温度的上升,质子电导率呈上升趋势。其原因为随着温度的升高,附着水排出和羟基结构的缩合。