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AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究
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作者 王君君 刘宁炀 +5 位作者 张康 张志清 赵维 范广涵 张娜 陈志涛 《材料研究与应用》 CAS 2014年第3期169-172,共4页
采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.
关键词 相分离 AlN/蓝宝石模板 AL 0.6ga0.4n
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