-
题名0.8~18 GHz放大衰减多功能芯片
- 1
-
-
作者
刘莹
廖学介
邬海峰
王测天
滑育楠
-
机构
成都嘉纳海威科技有限责任公司
-
出处
《现代信息科技》
2023年第2期53-56,共4页
-
文摘
文章介绍了基于GaAs0.15μmpHEMT工艺的0.8~18GHz放大衰减多功能芯片的设计,给出了在片测试结果。该芯片集成了共源共栅行波放大单元、三位数控衰减单元和三位并行驱动单元,在0.8~18GHz的超宽带频率范围内,噪声系数典型值≤4.5 dB,增益≥11 dB,且具有3 dB的正斜率,P-1大于13 dBm,输入输出驻波≤1.8,3 bit数控衰减单元2/4/8 dB,衰减精度≤0.5 dB。其中放大器采用单电源+3.3 V供电,工作电流小于60 mA,TTL驱动电路采用-5 V供电,工作电流小于3 mA。芯片尺寸为:2.6 mm×2.8 mm×0.1 mm。
-
关键词
PHEMT
0.8~18
GHz
放大衰减多功能芯片
-
Keywords
pHEMT
0.8~18 GHz
amplification and attenuation multi-function chip
-
分类号
TN72
[电子电信—电路与系统]
-