反应磁控溅射制备c轴择优取向氮化铝薄膜的研究进展

AlN薄膜在力学、光学和电子学中有着广泛的应用,而反应磁控溅射技术由于沉积温度低,成本低,非常适合沉积应用于GHz通信系统中体声波(BAW)和表面声波(SAW)器件的(002)取向的AlN薄膜。本文先概述了反应溅射的两个模型,然后综述了工艺参数包括溅射气压、溅射功率、氮气浓度、衬底温度、衬底种类、靶基距、薄膜厚度、衬底偏压、退火处理等对AlN薄膜生长和性能的影响。

衬底对溶胶-凝胶法制备ZnO压电薄膜的影响

采用溶胶-凝胶法分别在晶态衬底Si/SiO2/Ti/Pt和无定形态衬底Si/SiO2上制备了ZnO压电薄膜.以X射线衍射仪和原子力显微镜研究了薄膜的002择优取向度和表面形貌.结果表明,采用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt和Si/SiO2衬底上都能制备出具有较好择优取向,表面粗糙度低的ZnO薄膜,而且由于Pt和ZnO的晶格失配度较小,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上生长的ZnO薄膜形成002择优取向的退火温度低于在Si/SiO2衬底上生长的薄膜形成002择优取向的退火温度.

Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。